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頻寬達 2.9GB/s,性能直逼 NVMe SSD  Toshiba 發佈首款 UFS 3.0 快閃記憶體
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現時多媒體影音娛樂的需求不斷增加,手機內建的儲存容量亦成為用家購買時考慮的一個重要因素,Toshiba 最新就宣佈已啟動業界首款符合通用快閃記憶體 (UFS) Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備的樣品出貨,新系列產品採用 Toshiba 96 層 BiCS FLASH 3D快閃記憶體,提供 128GB、256GB 和 512GB 三種儲存容量,具備高速讀取和寫入效能及低功耗特點,適用於行動裝置、智慧手機、平板電腦和擴增/虛擬實境系統等應用領域。

Toshiba 指出,旗下首款 UFS Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備在符合 JEDEC 標準的 11.5 x 13mm 封裝中整合了 96 層 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體和控制器,該控制器執行錯誤校正、耗損均衡、邏輯位址向實體位址的轉換以及瑕疵區塊管理等功能,便於簡化系統開發。

全新UFS Ver.3.0快閃記憶體備有 128GB、256GB 及 512GB 三款容量,同樣符合 JEDEC UFS Ver.3.0 標準,包含 HS-GEAR4,每個通道理論介面速度最高可達11.6Gbps(2 通道=23.2Gbps),雙通道那就是 23.2Gbps,換算一下即 2.9GB/s,同時具備抑制功耗增加功能 ,512GB 容量的循順讀取和寫入效能分別比上一代設備提高了約 70%和 80%。
提升 96 層 3D NAND Flash 產能  Toshiba、WD 日本四日市 Fab 6 正式開幕
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Toshiba Memory Corporation 東芝記憶體公司與 Western Digital 今日共同於日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式,該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區,並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

Toshiba 於 2017 年 2 月開始興建 6 號晶圓廠,作為生產 3D NAND Flash ( 快閃記憶體 ) 的專用廠區。Toshiba 與 Western Digital 已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產 96 層 3D NAND Flash。

3D NAND Flash 在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加,未來幾年這些需求將持續擴大;為因應此市場趨勢,可望進一步投資擴大產能。
採用 96 層 3D TLC、最大  1TB 容量 Toshiba 推出全新 XG6 M.2 NVMe SSD
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上週 Toshiba 才剛剛公佈成功開發了 96 層 3D QLC BiCS FLASH 的原型樣品,在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) ,單一封裝 16-Die 能實現 2.66TB 儲存容量,可謂業界暫時的最高水平,可惜的是 Toshiba 首先會將這技術用於企業級產品之上,消費用戶還需要一段時間才可以享受到。在 3D TLC 產品方面,Toshiba 最新宣佈推出市場首款基於 96 層 3D TLC BiCS FLASH 儲存器的 SSD「XG6」,最高提供 1TB 儲存容量,連續讀取和寫入速度高達 3,180MB/s 及 2,960 MB/s,主要針對客戶端 PC、高性能移動設備、遊戲領域及嵌入式系統。

Toshiba 全新「XG6」SSD 屬於「XG5」NVMe SSD 的更新產品,採用 96 層 3D TLC BiCS FLASH,Toshiba 表示,與採用 64 層堆棧 3D TLC 的「XG5」產品相比,新型的 SSD 每單位晶片尺寸增加了約 40%,同時連續讀寫及隨機性能亦達到頂級的水平。

「XG6」SSD 採用 M.2-2280 Form Factor 設計、PCI-Express 3.0 x4 連接介面,支援 NVMe 1.3a 協議,備有 256GB、512GB 及 1024GB 三種容量選擇(單面 PCB 佈局),根據官方的資料,「XG6」系列 SSD 的可提供高達 3,180 MB/s 連續讀取速度、寫入速度高達 2,960 MB/s,在 4K 隨機讀寫方面,最高可達 355,000 IOPS 讀取速度、365,000 IOPS 寫入速度。
單一封裝 16-Die 實現 2.66TB 儲存容量 Toshiba 96 層 BiCS FLASH 樣品 9 月初發貨
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Toshiba 在過去幾年一直在使用其 BiCS Flash 技術持續取得進步,最新宣佈已成功開發了 96-Layer BiCS FLASH 的原型樣品,不僅將堆疊層數增加到 96-Layer 製程,而且採用了 4 bit/cell 的 QLC 技術,將單晶片記憶體容量提升到最高水平,最快在 9 月初開始向 SSD 和 SSD 控制器製造商提供樣品進行評估,預計於 2019 年開始量產。

Toshiba目前已量產64 層堆疊技術的 3D NAND 產品,最新的96 層 3D QLC NAND Flash與 64 層產品相比,每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加,每 bit 成本也下滑。QLC 技術的優勢在於將每個儲存單元的數據位數由每單元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每單元 4 位元(4bit/per cell),將有助顯著地擴展產品的儲存容量。

根據 Toshiba 的官方說法,原型 96 層 3D QLC BiCS Flash 在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量,該產品還在採用單一封裝的 16 晶片堆疊式結構中實現了無與倫比的 2.66TB 儲存容量。隨著 SNS 的普及和物聯網的進步,移動終端等產生大量的數據,並預計實時分析及利用該數據的需求將急劇增加,因此,需要速度快於 HDD 且存儲容量更大的存儲器,而使用 96 層工藝技術的 QLC 產品即是一種解決方案。
採用 64-layer 3D BiCS TLC 技術 Toshiba 推出 OCZ RC100 系列 NVMe M.2 SSD
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Toshiba 日前宣佈旗下 RCMS 系列的全新「OCZ RC100」NVMe M.2 SSD 正式上市,在今年初舉行的 CES 2018 上首次展示的新款「RC100」系列將會面向零售 DIY 市場,擁有功能強大及高效能的特點,新產品分別提供 120GB、240GB 及 480GB 容量,非常適用於所有主流運算領域,包括遊戲台式機、筆記本電腦及 NUC 迷你電腦等產品之上。

全的「OCZ RC100」系列 NVMe M.2 SSD 採用了 Toshiba 先進的 64 層 3-bit-per-cell TLC BiCS FLASH 技術,搭配自家開發的控制器,能夠讓整個 SSD 封裝在單一的 BGA 內。RC100 系列在成本及性能之間作出了平衡,彌補SATA及發燒級NVMe SSD 之間的差距,緊湊的設計使 RC100 能夠安裝到 M.2 2242 ( 22 x 42mm ) 尺寸的 PCB 上,使其成為市場上最小的 SSD 之一。
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