日前在位於 Santa Clara 的 2018年美國三星鑄造論壇（SFF）上，Samsung 公佈了旗下新技術流程的路線圖，除了重申計劃於今年晚些時候開始使用 7LPP 工藝技術及 EUVL 極紫外光刻技術生產晶片之外，同時亦提到 3nm 製造工藝的第一個細節。

Samsung 在晶片代工生產的主要競爭對手台積電已宣佈在今年第二季度開始批量生產 7nm，並會在明年開始大規模生產第二代 7nm 工藝技術的晶片，部分使用 EUV 投影，並會邁向 5nm 工藝 Risk Production 風險生產，預計將於 2020 年開始量產 5nm，再一步的 3nm 標准則大概會於 2022 年推出。

至於 Samsung 方面，大規模生產 7nm 將在今年下半年開始，實際上落後於台積電兩三、個季度，然而 Samsung 將會用上 7nm 的低功耗 7LPP 及採用 EUVL 極紫外光刻技術，並將立即開始製作第二代 7nm 的產品，意味著 Samsung 將成為第一間採用 EUV 技術 ( 13.5 nm )，在 SFF2018 會議上 Samsung 確認啟動 7LPP 工藝技術的計劃和進度保持不變。同時，Samsung 還指出將為第三方廠商全面開發 7nm 產品的 IP 塊，將在 2019 年上半年投入使用。

去年 Samsung 表示，其 2018 年的 5LPP 和 6LPP（Risk Production）將跟隨其 7LPP 製造技術推出，新路線圖沒有提及詳細的資料，但與 7LPP 相比，它引入了 5LPE（早期的 5nm 低功耗版），該技術有望“實現更大的面積縮放和超低功耗優勢”，目前尚不清楚 Samsung 計劃何時開始使用 5LPE 於商業產品中，但由於它將取代 7LPP，預計該技術將在 2019 年為風險生產做好準備。

很明顯，4nm 的技術過程不會像計劃那樣具有革命性，此前 Samsung 計劃在未來幾年使用更先進的製造技術，看來 Samusng 已決定延長 FinFET 晶體管製造工藝，並能夠提升至更穩定良率水平。與此同時，Samusng 表明與 5LPE 相比，4nm 技術將實現更高的性能和幾何縮放比例。至於計劃何時採用 4LPE 和 4LPP 工藝技術開始風險生產和批量生產，Samsung 提到如果一切工作符合當前的工藝技術節奏的話，預計在 2020 年會到達初期的 4LPE / 4LPP 技術製程生產。

最後，Samsung 革命性的 3nm 工藝技術亦已在路線圖的框架內，並承諾將會比台積電早一年、在 2021 年開始，3nm 工藝技術也將作為 3GAAE / GAAP（3nm Gate-All-Around Early / Plus）的早期改進版本，該工藝節點將使用全新的架構，並開發了獨一無二的 GAA 技術，通過使用納米片設備製造出 MBCFET (multi-bridge-channel FET，多橋-通道場效應管 ) 去實現，MBCFET 能使 Samsung 繼續增加晶體管密度及增強柵極控制，將降低功耗並提高 SoC 的性能。

由於 3GAAE / GAAP 技術距離三四代，所以很難預測其實際效益。可以肯定地說，3GAAE 將是 Samsung 的第五代 EUV 工藝技術，EUV 工藝技術的成功將在三年後將會為 Samsung 在生產方面帶來極大的影響。