【+50% 📊】中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正式宣布成功進入第 2 代 DRAM 製程技術（代號 G5）的量產階段，採用深紫外光（DUV）搭配四重曝光（Quadruple-Patterning Lithography）技術，成功將主動區半間距（Active-Area Half-Pitch）縮減至 11.95nm，規格指標跨入 12nm 級（相當於先進 10nm 級別範疇），預計晶片產能提升可達 50%，首批 24Gb LPDDR5X 晶片已開始出貨。

 

據中國長鑫表示，採用 G5 製程生產的首款量產產品為 24Gb（3GB）容量的 LPDDR5X 記憶體晶片。相較於前代 G4 製程同級產品，新架構下的單晶片（Die）儲存容量大幅增加 50%，該款 24Gb LPDDR5X 晶片亦已陸續導入中國主流旗艦手機產品線及 PC 電腦產品當中。

 

根據長鑫存儲公布的技術參數，G5 製程的主動區半間距為 11.95nm，對應的主動區間距（Pitch）為 23.9nm，此尺寸表現已逼近 Samsung、SK Hynix 等先進大廠的 10nm 級別的製程水平。

 

為了在有限的晶片面積內維持足夠的儲存電容量，長鑫存儲在 G5 製程改良了步驟並導入未公開的新材料，成功將儲存電容器（Storage Capacitor）的深寬比推升至約 45:1。

 

此外，該技術採用針對 DRAM 架構最佳化的金屬柵極高介電常數（HKMG）技術，將核心單元陣列的高度縮減至 6,762nm。原廠宣稱相較前代技術，每片晶圓的毛晶粒數量（Gross Dies Per Wafer）可提升至少 50%，預期 CXMT 的技術提升將有助舒緩通用記憶體短缺情況惡化。

 

 

 

資料來源:

 

• China's CXMT hits 12nm-class DRAM milestone — new 5th-gen DRAM tech uses quadruple-patterning to boost die capacity by 50%