【慢到 PK 🤪】iPhone 18 Pro 正式出貨後，科技頻道《HOMOLAB》最新實測發現，Apple iPhone 18 Pro / Pro Max 的 1TB / 2TB 版本疑因成本考量，採用了成本較低、密度較高的 QLC 快閃記憶體（NAND Flash）。這導致手機在長時間持續高負載寫入下，出現嚴重的「斷崖式」降速，最低寫入速度甚至跌破 1.1 MB/s，表現有如傳統慢速 SD 卡；反觀售價較低的 512GB 版本由於採用 TLC 快閃記憶體，效能表現相當理想。

 

根據《HOMOLAB》針對 iPhone 18 Pro Max 1TB 的測試影片，該機所使用的 NAND Flash 為日本 KIOXIA 的 QLC NAND 晶片。在初始 SLC 快取（Cache）階段，寫入速度能達到逾 3,000 MB/s 的水準；然而，一旦快取用罄進入過渡區域，平均速度便降至約 578 MB/s。

 

當儲存空間大約寫入了 30% 後，就會進入 QLC 原生寫入階段，平均速度僅約 79.4 MB/s，最低更降至 25.6 MB/s。當容量佔用達 60% 狀態時，隨著可用空間減少，動態 SLC 快取空間進一步被壓縮，平均寫入速度跌至 45 MB/s，極限最低速甚至僅有 1.1 MB/s。

 

相比之下，較平價的 512GB 機型因採用每單元儲存 3 位元資料的 TLC 快閃記憶體，在混合負載測試中，持續表現比 1TB 的 QLC 機型高出多達 38%，整體寫入穩定度顯著佔優。

 

目前，根據中國華強北維修師傅實測，Apple iPhone 18 Pro / Pro Max 512GB 版本應該是 100% 全 TLC NAND，1TB 則是 80% 至 90% 採用 QLC NAND，2TB 則幾乎是 100% 全 QLC NAND。

 

造成儲存效能上的差異，主要是源於 QLC 與 TLC 的架構差別。TLC（Triple-Level Cell）每個儲存單元容納 3 個位元資料，而 QLC（Quad-Level Cell）則容納 4 個位元。QLC 雖具備容量密度高、每單位成本低的優勢，適合大規模製造大容量儲存裝置，但其原生寫入延遲較高、耐用度（P/E 循環）較低，一旦缺乏快取演算法的最佳化緩衝，速度就會大幅衰退。

 

 

 

資料來源:

 

• Apple put cheaper memory in the 1TB iPhone 18 Pro Max, and it gets as slow as an SD card under load.This is the video of HOMOLAB's test of the 1TB 18 Pro Max with cheaper, low-performing QLC memory, versus the cheaper 512GB model with TLC.