據多家台灣地區媒體報導，紫光集團在啟動建立研發中心、重慶建設 12 吋 DRAM 晶圓廠之後再度啟動挖角計劃，針對日本、韓國、中國台灣下重手挖人才，力度不下於 4 年前紫光宣布投資 NAND Flash 之時，台灣地區半導體產業界將嚴陣以待。

據了解，現任紫光 DRAM 事業群 CEO 的高啟全，即是紫光集團從台灣延攬，號稱“台灣 DRAM 教父”。日前高啟全返回台灣過中秋節，接受台灣地區媒體採訪時透露紫光集團“陽謀”：人才是最大的挑戰。

紫光集團正在建立研發團隊，希望五到十年能看到研發成果，台灣地區媒體調查了高啟全的行程，發現他奔走於日本、韓國、台灣各地，推測其正在網羅人才。

以往高頻的記憶體產品基本上都是 Intel 平台獨享，但隨著 AMD 的強勢回歸，這個局面好快就會被打破，CORSAIR 宣佈全新的 Vengance LPX DDR4 記憶體已經上市，是一款 2 x 8GB Kit 套裝，除了能夠兼容現有的大部份主機板平台之外，其最大賣點就是為 AMD 全新 Ryzen 3000 系列處理器進行了特別設計及全面測試，最高可達 4,866MHz 記憶體速度。

VENGEANCE LPX 系列自推出以來一直將記憶體的極限推向高峰，CORSAIR 最新就特別為 VENGEANCE LPX 模組及 AMD 新的主機板平台進行了專門及全面測試，官方實測在 ASUS ROG Crosshair VIII Formula、MSI MEG X570 GODLIKE 及 MSI PRESTIGE X570 平台上，用上 Ryzen 3000 系列處理器平台上搭配 VENGEANCE LPX 記憶體模組及其附帶的自動超頻工具，實現了最高 4,866MHz 時脈。

VENGEANCE LPX 採用 CORSAIR 標誌性獨特的純鋁製造散熱器，良好地將熱從 IC 帶入系統冷卻路徑，提供更快的散熱速度，用家記憶體還可選配 Vengeance Airflow Fan 風扇，能進一步降低運行溫度，並提供銀色、藍色、紅色不同風格。

在記憶體時脈超頻記錄達到 5.9GHz 之後，突破 6GHz 大關是指日可待了，沒想到這個記錄來的這麼快，G.Skill 在日前宣布再度突破記憶體超頻世界紀錄!! Trident-Z Royal 記憶體將超頻記錄推向了6016MHz，成為新的世界的第一。

這次超頻紀錄由來自 MSI 團隊的專業超頻好手 Toppc，使用 G.Skill Trident-Z Royal 高階記憶體，並搭載 MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC 主機板與 Intel Core i9-9900K 處理器，充份展現 G.Skill 記憶體與新世代平台的超頻極限。

專業超頻好手 Toppc 已連續多年於 Computex 期間，在 G.Skill 展位上現場突破記憶體超頻世界紀錄，也是當年率先全球好手突破DDR4-5000MHz 瓶頸的傳奇人物，今天，他再次締造全新超頻世界紀錄的里程碑，速度達到了令人難以置信的 DDR4-6016MHz 驚人成績。此一壯舉使用了液態氮極限超頻技術，並搭配 MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC 主機板與 Intel Core i9-9900K，再次展現各項硬體配備強悍的超頻潛力。

據 TrendForce 記憶體儲存研究 DRAMeXchange 所公布的最新全球記憶體模組廠排名調查顯示，Kingston 金士頓在 2018 年以高達 72.17% 的市場占有率連續 16 年蟬聯龍頭寶座，而此項排名更鞏固 Kingston 作為第三方 DRAM 模組供應商在業界的領導品牌地位。

TrendForce指出，記憶體模組現貨價格在 2018 上半年維持高價水位，與合約價差甚至超過兩成以上。儘管下半年價格反轉且庫存水位持續上升，但是大多數的記憶體模組廠皆控管得宜，並維持收益及利潤。有鑑於串流媒體、IoT 技術發展、資料中心及雲端服務等需求增加，市場主流趨勢和成長動能依然可期。

Kingston 在 2018 年繼續蟬聯，在 2018 年以高達 72.17% 的市場佔有率繼續穩居龍頭寶座，相比 2017 年的 68.53% 有少幅增長，銷售金額達到 119 億美元。而第二名是由美系 Smart Modular Technologies 奪得，市場佔有率為 5.07%，成為僅次 Kingston 的第二大模組廠，第三名則是 4.68% 市佔的 Ramaxel。

Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體，由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性，普通一條的 DDR4-2133 記憶體，都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000，深受不少超頻玩家的青睞。然而，Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產，取而代之的就是用上 Samsung 1z nm（1z 級別）光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量，記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要，Samsung 亦不得不調整公司的方向，由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態，並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上，舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產，至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點，預期在製程提升的情況下，新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率，同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb，即 2GB 或 4GB 容量，最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。