Mircon 日前發放更多關於 DDR5 記憶體詳細規格，新一代記憶體效能翻倍提升，先透露部份規格，讓業界率先了解未來記憶體效能，預計要到 2020 才正式普及，相反 DDR4 於數年中仍屬於主流記憶體制式。

Mircon 近日於晶片論壇上公佈更多 DDR5 記憶體規格，其性能相對漸成主流的 DDR4 大幅提升， DDR5 容量最小為 8GB ，而最高單條容量將可達 32GB ，而 I/O 頻寬亦提升至 3.2-6.4Gbps 驚人頻寬，是現時的記憶體頻寬兩倍，但電壓則維持 1.1V 。

為滿足裝機改造及電競高手的訴求， ADATA 推出全新 XPG Dazzle DDR4 LED 光效記憶體，此次送測的是入門高容量型號， DDR4-2400 CL16 32GB Dual ChannelKit (16GB x 2) ，加入盔甲鋁熱片配搭 10 Layers PCB ，加入紅色 LED 顆粒運作擁有呼吸燈效果，記憶體顆粒經過挑選提供優異的超頻空間。

上年中由 Intel 及 Mircon 聯合發佈的 3D XPoint 記憶體技術，由該技術打造的原型硬碟亦於上年底公開亮相，其技術於容量、傳輸速度及耐用度亦有突破性發展，證實 Intel 將此類 SSD 命名為 Optane ， Micron 則命名為 QuantX ，業界隆重其事，因相對 1989 年面世的 NAND Flash 儲存技術， 3D XPoint 記憶體技術是另一個重大突破。

Intel 及 Micron 近日正式宣佈 3D XPoint 記憶體技術發展順利，於發表會上展示出 QuantX 開發樣本，從圖上可看到兩塊子板集成了四塊已封裝的 3D XPoint 晶片，總容量達到 128GB ，而每塊晶片則集成 2 顆 die ，每顆 die 為 16GB 容量、總共 32GB ，整個開發樣本採用 PCIe 3.0 x8 通道。

Micron 近日發佈全球首款用於行動裝置的 3D NAND 記憶體，相較於相同尺吋封裝大小的記憶體提供更大儲存容量，並採用最新 UFS 2.1 傳輸標準，加快行動裝置記憶體技術發展腳步，有望下年中正式付運。

Micron 宣佈推出行動裝置專用的 3D NAND 記憶體，主要目的為決儲存容需求日漸增加的智能手機使用，現時 VR 、大型遊戲或影片所佔容量大幅增加，導至手機內存空間漸漸不足，基本上 16GB 的儲存空間已經不足以應付現時需求，部份手機以 32GB 容量起跳，市場更盛傳新一代 iPhone 將配備 256GB 型號。

面對手機儲存容量的需求， Micron 最新推出的 3D NAND 記憶體能解決多項問題，其技術能將相同封裝大小的記憶體容量倍增，據官方表示，新 3D NAND 記憶體為 32 GB 容量，封裝面積僅為 60.217mm² ，相對同樣容量的記憶體減少 30% ，對於內部空間有限的智能手機來說，即可騰出更多空間集成其他零組件，進一步令手機設計得更為輕薄。

CORSAIR 推出全新 Vengeance LED 記憶體模組系列，主要針對追求高性能的玩家而設，擁有白光及紅光兩個版本可供選擇，採用高質素 10 Layers PCB 、支援 XMP 2.0 規格，速度由 DDR4-2666MHz 至最高 3466MHz ，備有 Dual 、 Qual Channel 版本及 16GB 、 32GB 及 64GB 版本可供選擇。