NVIDIA 在新一代 GeForce RTX 20 系列不但採用了全新的 Turing 架構之外，亦升級搭配了新一代的 GDDR6 記憶體，Micron 最新宣佈將成為 NVIDIA RTX 20 系列繪圖卡的合作夥伴，將會將在未來幾個月為 RTX 2070 以上產品提供 GDDR6 記憶體。

在未正式推出 GDDR6 記憶體之前，Micron 推出了 GDDR5X 記憶體作為 GDDR5 和 GDDR6 之間的橋樑，但只有 Micron 一家將 GDDR5X 推出市場，直至發佈了全新的GDDR6記憶體，Micron 預計 GDDR6 將成為廣泛採用且壽命長的產品，因此已停止進一步開發 GDDR5X。

Micron 最新的公告指出，已正式與 NVIDIA 達成合作協議成為 RTX 20 系列繪圖卡供應 8Gb GDDR6 記憶體，用於生產包括 RTX 2070、RTX 2080 及 RTX 2080Ti 型號，雖然 Micron 還有開發 Hybrid Memory Cube 產品，但公司表明將會專注生產用於圖形應用的 GDDR6 記憶體，並會預留足夠的生產線，全力量產 GDDR6 記憶體以減低記憶體供不應求的情況，並計劃未來用作開發 HBM2。

Intel 與 Micron 在今年 1月宣佈將會在 2020 年後終止 NAND Flash 合作夥伴關係，但在此前將不會對雙方的製程提升、產品規劃產生重大影響，Intel 最新就更新了他們的 3D XPoint 聯合開發合作夥伴關係，兩家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技術的聯合開發，預計將於 2019 年上半年完成。

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料，使用電阻並且是位元可尋址，基於「 bulk 材料的電阻變化」，從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定，而且各個資料單元不需要電晶體，因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。

3D XPoint 於存取速度及延遲值上將有著可媲美 DRAM 的性能表現，但價格卻是 DRAM 的一半左右，速度上相較傳統 NAND 快閃記憶體快 1000 倍及耐用可高達 1000 倍，即最少一百萬覆寫次數，比起 NAND 快閃記憶體能耐的 3000 至 10000 覆寫次數高出很多，即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十萬覆寫次數，但價格方面會比 NAND 快閃記憶體貴 4 至 5 倍。

半導體行業近年不斷傳出侵權訴訟案，Micron 與 UMC 聯電的侵權案週旋了半年以上，中華人民共和國福州中級人民法院最終裁定 Micron 侵犯聯電專利權，並發佈了針對 Micron 半導體（西安）有限公司和 Micron 半導體（上海）有限公司的初步禁令，要求 Micron 在中國禁止銷售 26 個 DRAM 和 NAND 相關產品，包括旗下推出的 SSD 及記憶體，並需要賠償人民幣 2.7 億元。

聯華電子於 2018 年 1 月向中國大陸法院提起針對美光的專利侵權訴訟，涉及三個領域，包括與 DDR4、SSD 及繪圖卡記憶體相關的特定記憶體應用，福州中級人民法院的裁決，Micron 的產品面臨著中國大陸的法院判決中違反聯華電子專利權的禁令。

聯華電子表示， Micron 在中國大陸地區銷售的產品侵害了聯華電子在大陸地區獲准的專利權，聯華電子投入大量資源和人力來研究和開發半導體製造技術，其成就可應用於邏輯晶片或儲存晶片（DRAM），該公司已獲得多個國家的專利。隨著市場條件的發展，聯華電子不斷監控這些專利。當違規行為發生時，聯華電子隨時準備進行專利侵權訴訟，以獲取判斷和補救措施，以保護公司的知識產權。

Micron 最新宣佈 8GB GDDR6 記憶體已正式量產，GDDR6 是現時 Micron 慕尼黑開發中心設計最快、功能最強大的圖形儲存器，專為包括 GPU 圖形處理單元在內的各種應用而優化，與 GDDR5 設計相比性能得到顯著提升，將可實現高達 20GB/s 的速率。

Micron 表示，隨著用戶對高級應用的需求不斷增加，對高性能 GDDR6 記憶體的需求也在不斷增長，全新的 GDDR6 記憶體不只能用於圖形繪圖卡領域，同時亦適用於人工智能、網絡、汽車、VR 虛擬現實等，能夠實現更高的性能及更低的功耗表現。在一個封裝中以高達 64GB/s 為目標，GDDR6 相較現時的 GDDR5 帶來更顯著改進，實現前所未有的單晶片性能水平，採用行業標準的 BGA 封裝，提供了功能強大、經濟高效、低風險的解決方案。

規格方面，Micron 8GB GDDR6 記憶體最高速率可達 20Gbps，在汽車電子中更可達 448GB/s 頻寬 ( 14Gbps )，未來還會推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 晶片，可提供最高 16Gbps 速率。

Micron 最新公佈了 2018 財年第三季度的結果，同時亦公佈了公司未來的發展方向，預告在 2018 年下半年 96 層 3D NAND 技術將會開始批量出貨，全新 96 層是第三代 3D NAND 技術，可進一步增加每個晶片的儲存容量，從而能夠打造出更小、更節能的設備。

目前的大多數 SSD 通常採用 32 層或 64 層 NAND Flash，全新的 96 層 3D NAND 技術已是第三代，Micron 並已計劃打造超過 120 層的第四代 3D NAND。Micron 表示，與目前採用的 64 層 NAND 相比，96 層的價格也會更便宜，將有望能夠降低 SSD 的價格。

同時，Micron 已報告準備為客戶提供適用於汽車行業的類型 GDDR6 記憶體，採用1x-nm 技術製造、低功耗的首款 GDDR6 記憶體，能為車載系統如“自動駕駛”提供更佳的解決方案。