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代理商收到 Micron 電郵通知,明確地表示 Ballistix 系列記憶體將會退出市場,不過信中未有說明取消的原因,只知道 Micron 業務將會重整,未來將會加強 Micron 自身客戶端與伺服器市場的產品發佈,Crucial 不再發展高階及發燒友級記憶體產品。

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性,隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級,由於需要更複雜的電壓層級控制,令 P/E 壽命因而降低了,另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。
究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出, SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000,但轉用先進的 1xnm 制程,P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次,和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術,Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品,與上一代 1ynm 製程相比,可提供更高的密度,顯著的增強性能以及更低的成本。如今,Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用,將更具市場競爭優勢。
DDR5 是 DDR4 的後繼產品,而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化,因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗,且受到移動和終端等因素的推動,而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加,滿足當下 CPU 核心數提升的速度,Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍,同時也提高了可靠性。

在「Micron Insight」大會上 Micron 執行副總裁兼首席商務長 Sumit Sadana 發佈了幾款重磅產品,當中的一大重點就是號稱「全球最快、業界最高規格」的 Micron X100 SSD,Micron 表示,這款使用最新晶片製作的新 SSD,比起以前的固態硬碟還要快,可以直接插入伺服器中,是面向數據中心的儲存和記憶體密集型應用的解決方案。
X100 SSD 利用 3D XPoint 技術的優勢,在記憶體到儲存的層次結構中引入新的層級,具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性,以及比 NAND 更高的耐用度和更強性能。
2019-06-18

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。
另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。
