據目前的發展方向，在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體，但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前，預計會在 2021 年正式上市，在 CES 2020 大會期間，Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展，全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝，密度提高了一倍，性能提升了 85%，並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術，Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品，與上一代 1ynm 製程相比，可提供更高的密度，顯著的增強性能以及更低的成本。如今，Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用，將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品，而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化，因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗，且受到移動和終端等因素的推動，而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加，滿足當下 CPU 核心數提升的速度，Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍，同時也提高了可靠性。

Micron 與 Intel 於 2019 年正式拆夥，結束了長達 14 年的共同合作關係，而由於兩家都有推出儲存裝置產品，所以在分手後就由「戰友」變成「敵人」，Micron 最新發佈了一款聲稱比 Intel 第二代 Optane SSD 速度更快的「Micron X100」，雖然未知確實的完整規格，但就表示 X100 SSD 的連續讀寫速度超過 9GB/s，隨機讀速更高達 250 萬 IOPS，是目前全業界最高規格的 SSD。

在「Micron Insight」大會上 Micron 執行副總裁兼首席商務長 Sumit Sadana 發佈了幾款重磅產品，當中的一大重點就是號稱「全球最快、業界最高規格」的 Micron X100 SSD，Micron 表示，這款使用最新晶片製作的新 SSD，比起以前的固態硬碟還要快，可以直接插入伺服器中，是面向數據中心的儲存和記憶體密集型應用的解決方案。

X100 SSD 利用 3D XPoint 技術的優勢，在記憶體到儲存的層次結構中引入新的層級，具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性，以及比 NAND 更高的耐用度和更強性能。

繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

在以往的記憶體超頻領域，Samsung B-Die 有著高頻、低時序、食電壓的特性，一向都是高階用家追捧的產品，但 Samsung 在日前宣佈 B-Die 顆粒即將進入 EOL 狀態，那麼接替的會是甚麼的產品? Micron 最新宣佈旗下的 Ballistix Elite DDR4 記憶體就創了一個新的超頻記錄，超頻後的頻率達到 DDR4-5726MHz ，更超越了 ADATA Spectrix D60G 記憶體僅僅 3 日 DDR4-5634MHz 的紀錄。

這個新的紀錄是由 OGS 超頻遊戲系統團隊的成員 Stavros Savvopoulos 和 Phil Strecker 採用 Intel Core i7-8086K CPU、ASUS MaximusXI Apex 主機板、Ballistix Elite 360​​0mt/s 8GB 記憶體模組以及 LN2 液氮冷卻系統打造，這個破記錄頻率在 HWBOT 上能夠找到。相比之前 ADATA Spectrix D60G 記憶體的超頻記錄 5634MHz 整整提高了 92MHz，是一個相當大幅度的提高。

Micron Ballistix Elite DDR4 的 5726MHz 超頻速度，比 JEDEC DDR4 速度 3200MHz 快 79%，比目前認為主流的 2666 MHz 快 115%。

DRAM 合約價自去年第四季開始下跌，不少分析更將 2019 年第一季跌幅由原先預估的 25% 調整至逼近 30%，是繼 2011 年以來單季最大跌幅，不過有留意市況的用家都會發現，當 DRAM 價跌之時工廠就會有事故出現，你無估錯，今次發生事故的就輪到「Micron」，位於台中后里園區的記憶體封測廠在昨日發生二氧化碳外洩意外，有十名人員因身體不適送院。

據了解， Micron 位於台中后里的在 3 月 20 日中午進行消防設備保養檢測，檢測時懷疑外包廠商員工不慎誤觸二氧化碳滅火設備導致二氧化碳外洩， 約有十名員工因吸入過多二氧化碳導出現身體不適，其中 2 人一度失去意識，即時送院救治。

在事故發生後，Micron 已即時疏散部份員工，表明事故對整個生產並沒有影響，目前工廠已經恢復運作，這方面相關供貨商也表示如此，現正亦就此事配合有關單位進行調查。