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打破定律 !! QLC 才不是垃圾 Micron : 我的 QLC SSD 壽命比 TLC 高 20%
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很多玩家聽到 QLC SSD 就搖頭說不,雖然 QLC NAND Flash 令容量再提升33%、成本降低,但代價就是寫入壽命越來越低,不過 Micron 在過去兩年不斷改良 QLC 顆粒制程,同時透過更多的堆棧層數,打破了 QLC 壽命比 TLC 的局面,採用 QLC 顆粒的 Micron 2210 系列 SSD 相較舊版 TLC 顆粒 Micron 2200 系列 SSD 壽命還要高 20%。

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性,隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級,由於需要更複雜的電壓層級控制,令 P/E 壽命因而降低了,另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。

究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出, SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000,但轉用先進的 1xnm 制程,P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次,和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。
【CES 2020】最高 6400MHz、1.1V 電壓 Micron DDR5 正式出樣,有望 2021 年上市
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據目前的發展方向,在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體,但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前,預計會在 2021 年正式上市,在 CES 2020 大會期間,Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展,全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝,密度提高了一倍,性能提升了 85%,並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術,Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品,與上一代 1ynm 製程相比,可提供更高的密度,顯著的增強性能以及更低的成本。如今,Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用,將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品,而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化,因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗,且受到移動和終端等因素的推動,而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加,滿足當下 CPU 核心數提升的速度,Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍,同時也提高了可靠性。
【9GB/s 讀寫速度,隨機高達 250 萬 IOPS】 Micron 發佈全球速度最快 SSD - X100
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Micron 與 Intel 於 2019 年正式拆夥,結束了長達 14 年的共同合作關係,而由於兩家都有推出儲存裝置產品,所以在分手後就由「戰友」變成「敵人」,Micron 最新發佈了一款聲稱比 Intel 第二代 Optane SSD 速度更快的「Micron X100」,雖然未知確實的完整規格,但就表示 X100 SSD 的連續讀寫速度超過 9GB/s,隨機讀速更高達 250 萬 IOPS,是目前全業界最高規格的 SSD。

在「Micron Insight」大會上 Micron 執行副總裁兼首席商務長 Sumit Sadana 發佈了幾款重磅產品,當中的一大重點就是號稱「全球最快、業界最高規格」的 Micron X100 SSD,Micron 表示,這款使用最新晶片製作的新 SSD,比起以前的固態硬碟還要快,可以直接插入伺服器中,是面向數據中心的儲存和記憶體密集型應用的解決方案。

X100 SSD 利用 3D XPoint 技術的優勢,在記憶體到儲存的層次結構中引入新的層級,具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性,以及比 NAND 更高的耐用度和更強性能。
【有助降低 DRAM 生產成本?!】 DRAM 廠商有意升級 EUV 技術
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繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光(EUV)微影技術後,同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產,Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM,SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。
【ADATA DDR4 世界紀錄僅保持三日】 Micron Ballistrix 創下 DDR4-5726 新紀錄
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在以往的記憶體超頻領域,Samsung B-Die 有著高頻、低時序、食電壓的特性,一向都是高階用家追捧的產品,但 Samsung 在日前宣佈 B-Die 顆粒即將進入 EOL 狀態,那麼接替的會是甚麼的產品? Micron 最新宣佈旗下的 Ballistix Elite DDR4 記憶體就創了一個新的超頻記錄,超頻後的頻率達到 DDR4-5726MHz ,更超越了 ADATA Spectrix D60G 記憶體僅僅 3 日 DDR4-5634MHz 的紀錄。

這個新的紀錄是由 OGS 超頻遊戲系統團隊的成員 Stavros Savvopoulos 和 Phil Strecker 採用 Intel Core i7-8086K CPU、ASUS MaximusXI Apex 主機板、Ballistix Elite 360​​0mt/s 8GB 記憶體模組以及 LN2 液氮冷卻系統打造,這個破記錄頻率在 HWBOT 上能夠找到。相比之前 ADATA Spectrix D60G 記憶體的超頻記錄 5634MHz 整整提高了 92MHz,是一個相當大幅度的提高。

Micron Ballistix Elite DDR4 的 5726MHz 超頻速度,比 JEDEC DDR4 速度 3200MHz 快 79%,比目前認為主流的 2666 MHz 快 115%。
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