Micron 17 日官方宣佈調整旗下 Crucial 產品線，將會停止推出 Gaming 記憶體產品，Ballistix、Ballistix Max 與 Ballistrix Max RGB 系列將會續漸退場，未來 Crucial 品牌將會專注於 JEDEC 標準規格的 DDR5 普通記憶體、SSD 固態硬碟與 Portable SSD 外置固態硬碟市場。

代理商收到 Micron 電郵通知，明確地表示 Ballistix 系列記憶體將會退出市場，不過信中未有說明取消的原因，只知道 Micron 業務將會重整，未來將會加強 Micron 自身客戶端與伺服器市場的產品發佈，Crucial 不再發展高階及發燒友級記憶體產品。

很多玩家聽到 QLC SSD 就搖頭說不，雖然 QLC NAND Flash 令容量再提升33%、成本降低，但代價就是寫入壽命越來越低，不過 Micron 在過去兩年不斷改良 QLC 顆粒制程，同時透過更多的堆棧層數，打破了 QLC 壽命比 TLC 的局面，採用 QLC 顆粒的 Micron 2210 系列 SSD 相較舊版 TLC 顆粒 Micron 2200 系列 SSD 壽命還要高 20%。

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性，隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級，由於需要更複雜的電壓層級控制，令 P/E 壽命因而降低了，另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。

究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出， SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000，但轉用先進的 1xnm 制程，P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。

據目前的發展方向，在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體，但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前，預計會在 2021 年正式上市，在 CES 2020 大會期間，Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展，全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝，密度提高了一倍，性能提升了 85%，並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術，Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品，與上一代 1ynm 製程相比，可提供更高的密度，顯著的增強性能以及更低的成本。如今，Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用，將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品，而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化，因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗，且受到移動和終端等因素的推動，而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加，滿足當下 CPU 核心數提升的速度，Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍，同時也提高了可靠性。

Micron 與 Intel 於 2019 年正式拆夥，結束了長達 14 年的共同合作關係，而由於兩家都有推出儲存裝置產品，所以在分手後就由「戰友」變成「敵人」，Micron 最新發佈了一款聲稱比 Intel 第二代 Optane SSD 速度更快的「Micron X100」，雖然未知確實的完整規格，但就表示 X100 SSD 的連續讀寫速度超過 9GB/s，隨機讀速更高達 250 萬 IOPS，是目前全業界最高規格的 SSD。

在「Micron Insight」大會上 Micron 執行副總裁兼首席商務長 Sumit Sadana 發佈了幾款重磅產品，當中的一大重點就是號稱「全球最快、業界最高規格」的 Micron X100 SSD，Micron 表示，這款使用最新晶片製作的新 SSD，比起以前的固態硬碟還要快，可以直接插入伺服器中，是面向數據中心的儲存和記憶體密集型應用的解決方案。

X100 SSD 利用 3D XPoint 技術的優勢，在記憶體到儲存的層次結構中引入新的層級，具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性，以及比 NAND 更高的耐用度和更強性能。

繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。