上年底，業界正式發表全新的 MRAM 記憶體技術取代沿用的 DRAM ，採用磁阻隨機存取原理，並且其設計相容 SRAM 顆粒，其控制器無需重新設計，廠商成本下降及研發進程更具效率，有望加快進程，令 MRAM 早日面世。

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) 其採用磁阻存儲方式進行讀寫儲存，兼具 SRAM 的高速讀寫能力及 DRAM 的高集成度能力，並且於斷電後亦能保存資料。其技術理論上 MRAM 的功耗僅為 DRAM 的 30% 左右，而且其讀寫速度更快更 10 倍。

近日，日本電子元件生產商 TDK 首次展示旗下 MRAM 原型工程樣本，採用 Spin Transger Torque-type 技術，利用自旋轉換矩（ Spin-transfer Torque ）引起的電流感應式開關效應，解決 MRAM 一些常見問題。

Samsung 年中宣佈推出 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶後，針對固態硬碟 Samsung 9 日宣布開始量產業界首款 Samsung 3bit V-NAND 記憶體，其效能大幅提升，而且晶圓生產效率同時提高，相應正式量產後，其應用範疇將進一步應用到個人電腦層面。

Samsung 3bit V-NAND 快閃記憶體基於 Samsung 第二代 V-NAND 技術研發，採用 3D Charge Trap Flash (3D CTF) 技術，電荷被暫時放置的絶源的快閃記憶體中，採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾，並逐層向上埋疊達 10 億組存儲單元，以 3D 結構垂堆疊 32 層組，其單一芯片的儲存容量可提供 128 Gb 容量，容量及效能顯著提高。

同時， 3bit V-NAND 快閃記憶體每個存儲單元為 3bit ，相對 Samsung 10nm 3bit 平面快閃記憶體， 3D CTF 技術令快閃記憶體令晶圓生產率大幅提升一倍以上。

Toshiba 6 日宣佈全球最微型的 15nm 內嵌式 NAND Flash 記憶體 16 GB 樣本正式向生產商付運。 Toshiba 最新 15nm 系列 NAND Flash 主要針對智能手機及穿戴式裝置開發，體積堪稱暫時是全球最微型 NAND Flash 零部件。

為配合日漸輕薄化的智能裝置，是次系列相對上一代 19nm 制程的 NAND Flash 體積更縮減約 26% ，其 32GB Supreme 版本體積為 11.5 x 13 x 1m ，除了能縮減所佔空間外，效能亦因制程而有所提升。

同時， Toshiba 15nm 系列 NAND Flash 採用最新 JEDEC e-MMC 標準，內建優化控制晶片，其讀寫速度更為提升。據 Toshiba 表示， 15nm 系列 NAND Flash 提供 Premium 及 Supreme 版本，分別資料讀取速度較上代 Supreme 系列 NAND Flash 提升達 8% ，而其中一個版本的資料寫入速度更提升 20% 左右。

ADATA 近日推出新產品 SP910 SSD ，屬於中高階定價產品，擁有穩定且高速讀寫能力，轉用 Marvell 控制晶片，能夠提供高達 560MB/s 連續讀取及 460MB/s 連續寫入能力，更不受壓縮檔案所影響，同時兼備 NCQ 、 S.M.A.R.T 、 ECC 等技術，在提高速度的同時亦增加 SP910 的可靠程度。

OCZ 在針對入門級市場推出 ARC 100 系列 SSD ，雖然售價及定位針對入門用家，但用料及效能方面卻比得上一般效能級產品，採用自家 INDILINX 主控器，令讀寫速度部份均接近 500MB/s ，且不像 SandForce 主控會受資料壓縮而有所影響，令 ARC 100 這款入門產品變得不再入門。