目前，NVIDIA 推出的 GeForce RTX 系列繪圖卡比 AMD Radeon RX5000 系列的最大優勢就是支援硬件 Ray Tracing 實時光線追蹤技術，不過由於光追需要龐大的運算性能作為基礎，在畫面提升的時候卻要在 Frame Rate 及性能上付出代價，為了處理這種情況 NVIDIA 亦同時也推出了 DLSS 技術，幫助 GPU 提升運行速度，而在昨日 NVIDIA 正式將 DLSS 技術升級帶來了新一代的「DLSS 2.0」，相比第一代的 DLSS 技術在畫質、效率、通用運算模型、圖像質量模式選擇 4 方面都有提升，讓 4k+ 光線追追蹤突然就近在眼前了。

在 2018 年 NVIDIA 正式發佈支援實時光線追蹤的 GeForce RTX 系列繪圖卡，聲稱可以讓遊戲內的反射和陰影效果更加真實，及後亦有數款遊戲支援 Ray Tracing，然而在進行遊戲測試得出的結果，遊戲畫面的確是有客觀性的提升，但卻要要付出巨大的性能代價。

以《Battlefield V》遊戲為例，即使在使用最高階的 RTX2080 Ti 繪圖卡，在沒有開啟光線追蹤的時候，4K 解像度下Frame Rate 可以達到 80-90FPS，體驗十分流暢。然而一旦開啟光線追蹤最高特效之後，在 1080p 解像度下 Frame Rate 甚至不能穩定在 60FPS，4K 解像度下基本就是在播幻燈片了。

為了令大家減少出外，共同對抗「武炎肺炎 COVID-19」，全球最大色情網站 Pornhub 23 日宣佈將 Pornhub Premium 服務全球免費開放，讓大家留在家中不會太苦悶，為地球出一分力、絕對是良心企業。

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今日，DRAMeXchange 發佈分析稱，雖然疫情在中國看似趨緩，然而在中東、歐洲、美國急速擴散，WHO 世界衛生組織已將「武漢肺炎」成為全球大流行傳染病，將讓全球經濟陷入系統性風險，記憶體市場恐怕提前反轉進入不景氣週期。在 2020 年第一季及第二季 DRAM 與 NAND Flash 均價仍維持上漲，主要是因為年初客戶端庫存水位偏低，雖在價格走勢持續上揚的前提下，採購備貨意願強烈。

DRAM 及 NAND Flash 價格週期大概 3~4年，兩者的價格分別在 2019 年 12 月及 7 月觸底，當前為週期底部復甦階段，在當前供求關係沒有出現明顯轉換情況下，後續價格下行空間不足，預計未來上漲概率較大，若因為「武漢肺炎」事件持續將會導致供應商出現短期不利變化，不排除價格短期快速上漲可能性。

DRAMeXchange 表示，DRAM 及 NAND Flash 價格真正的挑戰會從第三季開始，隨著需求萎縮導致庫存去化不易，將大幅削弱客戶端採購能力，使得價格漲幅受到抑制，在 NAND Flash 領域更可能由漲轉跌。

Intel 預計會在下月低發佈代號為 Comet Lake-S 的桌面版第 10 代 Core 系列處理器，搭配全新的 400 系列晶片組、主機板接口亦將會換為新的 LGA1200，以上這些訊息已經並不算新鮮了，而最新就有外媒放出了一張疑似為 Intel 500 系列平台的規格圖，洩露了第 11 代 Core Rocket Lake-S 的大量有關訊息，其中主要有 CPU 直連的 PCIe 通道數量將上升至 20 條，並正式升級支援 PCIe 4.0。

之前亦曾有少量關於 Intel 第 11 代 Core 系列 Rocket Lake-S 處理器的資料傳出，據了解，Rocket Lake-S 會接替快將推出的第 10 代 Core Comet Lake-S 系列，將仍然使用 Intel「最長壽」的 14nm 工藝（!!!），核心數將從10 個減少到 8 個，支援 DDR4-3733MHz、TDP 達到 125W，不過 Intel 可能會為 Rocket Lake 升級新 CPU 及 GPU 架構，搭載最新的 Xe 架構 GPU。

根據 Videocardx 爆料圖片上給出的訊息，500 系晶片組將搭配代號為 Rocket Lake-S 的桌面級處理器，與 Comet Lake-S 一樣兼容 LGA1200 接口，雖然 Rocket Lake-S 還是 14nm++ 工藝製程工藝，不過據了解 Rocket Lake-S 將是 Intel 在工藝與微架構相互脫鉤後的首款產品，採用了 Sunny Cove 甚至是 Willow Cove 架構，IPC 相比現在 6-9 代 Core 的 Skylake 架構有極大的提升，同時也支援 AVX-512 指令集。

在本月初的 Morgan Stanley 分析師會議上，Intel 首席財務長 George Davis 雖然坦言目前已落後競爭對手台積電至少兩年的時間，但公司正在調整步伐加快 10nm、7nm 晶片的量產速度，George Davis 更表示會在 5nm 時代重新奪回製程領先的地位，之前 Intel 曾透露 5nm 工藝已在研發中，日前的爆料稱在 5nm 工藝上 Intel 將會放棄目前使用中的 FinFET 晶體管，轉向使用更先進的 GAA 環繞柵極晶體管。

半導體工藝發展是一個永恆的話題，從摩爾定律誕生之後，半導體產品技術的發展、性能的進步和普及速度的快慢，最終幾乎都和工藝相關。沒有好的工藝，半導體產業幾乎無法快速前行。不過，隨著工藝快速進步，技術難度越來越大，由 28nm 開始傳統的 Bulk Planar 製程就開始面對物理極限的問題，尤其是在晶體管的尺寸縮小到 25nm 以下，傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小，而 FinFET 的出現就解決了 Planar 的物理限制，成功地延續了 22nm 以下數代半導體工藝的發展。

Intel 就是最早使用 FinFET 工藝的半導體廠，在 2011 年率先推出使用 22nm FinFET 工藝的第三代 Core 處理器，目前的 14nm 製程柵極距為 70nm、10nm 工藝下柵極距為 54nm，而在製程達到 5nm 甚至 3nm 時柵極距仍會縮小，當柵極距縮小到 FinFET 技術的 42nm 極限時，無論是鰭片距離、短溝道效應、還是漏電和材料極限也使得晶體管制造變得岌岌可危，甚至物理結構都無法完成，再好的法寶都會有失效的一日。