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Micron 2GB混合式内存立方樣品付運 明年底將量產 2GB和 4GB HMC設備
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Micron 26 日宣佈 2GB 混合式内存立方 (HMC) 工程樣品正式付運,為全球首款供客戶分享的 HMC 設備,專為資料包處理、資料包緩衝或存儲以及計算應用程式等需要高頻寬記憶體應用而設。 Micron 預期 2014 年初推出 4GB HMC 工程樣品, 2014 年底批量生產 2GB 和 4GB HMC 設備,並將於三至五年內將下一代 HMC 遷移到消費類應用中。

混合式内存立方 (HMC) 採用直通矽晶穿孔技術 ( TSV) , 利用垂直管道電連接一個獨立的晶片堆疊, 將高性能邏輯和 DRAM 結合 , Micron 的 HMC 具有一個容量為 2GB 的存儲立方, 由四片容量為 4GB 的 DRAM 堆疊而成,可提供高達 160GB/ 秒的記憶體頻寬,而且每位元組能耗卻比現有技術減少 70% 以上。

HMC 能夠讓記憶體抽象化,設計者可投入更多時間利用 HMC 減少花在實現基本功能所需的眾多記憶體參數上的時間,而且 HMC 更提供管理糾錯、 恢復 、 刷新和被記憶體處理變化加激的其他參數。
實現最小128GB MLC NAND閃存設備 Micron 16nm NAND獲閃存峰會肯定
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Micron 14 日宣佈剛於 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 上發表 16nm NAND 工藝技術,實現了現時 NAND 業界中最小的 128GB MLC NAND 閃存設備, 同時更獲得閃存峰會 2013 的創新產品和解決方案年度最佳獎項。

是次創新產品和解決方案年度最佳獎項由 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 專家小組評估,根據應用技術獨特性,閃存技術的創新以及該技術市場意義等作為標準。

透過最新發表的 16nm NAND 工藝,讓 NAND Flash 可在現有的多層單元設備 (MLC) 中,提供平方毫米位寬最高,而且價格最低廉的方案 ,並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。
正與完成收購Elpida 100%股權 將為Micron提升45%製造能力
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Micron Technology 31 日正式宣佈,在東京地方法院的管轄下, Micron 正式根據與 Elpida 在 2012 年 7 月 2 日簽定的資助協定,達成收購 Elpida 公司 100% 股權交易事項,同時也宣佈完成從 Powerchip Technology Corporation 公司及其部份子公司 收購 Rexchip Electronics Corporation 的 24% 股權交易事項,並已於 2013 年 7 月 31 日晚上 23:59 開始生效。

據了解,是次收購 Elpida 公司 100% 股權交易中,包括 Elpida 位於日本廣島的 300 毫米 (mm) DRAM 生產設施,以及持有 Rexchip 公司 65% 的所有權,而在 Rexchip 資產中,也包括了臺灣的 300 毫 米 (mm) DRAM 生產設施 , 以及 Akita Elpida Memory, Inc.100% 的所有權,當中也包括位於日本秋田的組裝和測試設施。

另一方面, Micron 也完成對 Powerchip 收購 Rexchip Electronics Corporation 的 24% 股權,今後 Micron 將控制 Rexchip 公司約 89% 的已發行股份,以及 100% 的 Rexchip 產品供應。預期,透過收購 Elpida 和 Rexchip ,可為 Micron 提供每月超過 185,000 片 300mm 晶圓,也表示 Micron 的製造能力將會提升 45% 。
收購事宜已進入最後程序 Micron將於31日完成收購Elpida
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Micron 29 日宣佈,經過多個月來的購併程序,目前收購日系 DRAM 記憶體顆粒廠商 Elpida 的事宜已接近進入完成階段,預期本月底可正式完成收購。此外, Micron 還宣佈預計會完成收購力晶科技公司及瑞晶電子公司 24% 股權。

去年由於財務問題,日系 DRAM 記憶體廠商 Elpida 曾宣佈申請破產保護,其後公開招標尋求機構作出購併,最終 Elpida 與 Micron 於去年達成協議,並於 2012 年 7 月 2 日簽訂協議購併事宣。

經過東京地方法院法多月院審批程序, Micron 今天正式宣佈有關購併已進入完成階段,預期 Micron 將於東京時間 7 月 31 日可完成收購 100% Elpida 股權。
Micron為16nm工藝技術進行測試 2013 年第4季度將進入量產
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Micron 17 日宣佈正式為新一代 16nm 工藝技術進行測試,可支援目前業界最小的 128Gb MLC NAND 快閃記憶體,是目前 NAND 以及半導體設備中先進的工藝技術,能夠進一步加強 Micron 在開發儲存技術上的競爭力,並實現該公司提供先進半導體解決方面的遠景。

據 Micron 表示, 128 Gb MLC NAND 快閃記憶體目前應用廣泛,主要應用在消費型固態硬碟、隨身碟、記憶卡、平板電腦、智慧型手機以及數據中心等,透過採用新工藝技術打造的 128Gb NAND Flash ,可在現有的多層單元設備 (MLC) 中,提供平方毫米位寬最高,而且價格最低廉的方案 ,並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。

據 Micron NAND 解決方案事業副總裁 Glen Hawk 指出, Micron 的專門工程師 團隊致力卡創造世上最小最先進的 NAND Flash 製造技術 ,以滿足客户不斷要求在更小的規格中容納更高的容量, 新一代的工藝範點讓 Micron 能够符合這些要求, 更加讓 Micron 提升市場領先地位。
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