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Micron 意外影響全球 DRAM 產能 預估價格恐進一步攀升
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TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 表示, Micron 台灣美光晶圓科技(原華亞科)上週六驚傳氮氣系統意外,其 Fab2 受到汙染影響,以目前台灣美光晶圓科技每月投片達 125K 來計算,保守估計損失約 60K ,約將影響全球 DRAM 產能 5.5% ,對供貨吃緊的 DRAM 市場來說無疑雪上加霜,預估價格可能將進一步攀升。

DRAMeXchange 指出, Micron 台灣美光晶圓科技在此事件中受影響的工廠為 Fab2 ,保守估計損失約 60K ,此數字尚未計入上週六( 7/1 )停工至今未投片的片數, Fab2 目前預計盡快復工並拉高量產速度,但仍需克服清理後的挑戰。

觀察 DRAM 整體產能,第三季每月平均投片量約在 1135K ,以目前 Fab2 的產能約 60K 來估計,七月損失的投片量占整體產能約 5.5% ,加上 Micron 台灣美光晶圓科技晶圓科技供應的是 PC 、 Server 與 Mobile DRAM 三大主力產品, DRAM 產品至今都是維持供貨吃緊的狀況,在整體投片量減少 5% 的情況下,將對 DRAM 市場產生一定程度的衝擊。
獨家記憶體技術 效能突破性提升 Intel & Micron 釋出 3D XPoint 資料
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上年中由 Intel 及 Mircon 聯合發佈的 3D XPoint 記憶體技術,由該技術打造的原型硬碟亦於上年底公開亮相,其技術於容量、傳輸速度及耐用度亦有突破性發展,證實 Intel 將此類 SSD 命名為 Optane , Micron 則命名為 QuantX ,業界隆重其事,因相對 1989 年面世的 NAND Flash 儲存技術, 3D XPoint 記憶體技術是另一個重大突破。

Intel 及 Micron 近日正式宣佈 3D XPoint 記憶體技術發展順利,於發表會上展示出 QuantX 開發樣本,從圖上可看到兩塊子板集成了四塊已封裝的 3D XPoint 晶片,總容量達到 128GB ,而每塊晶片則集成 2 顆 die ,每顆 die 為 16GB 容量、總共 32GB ,整個開發樣本採用 PCIe 3.0 x8 通道。
UFS 2.1 儲存標準 高效省電更耐用 Micron 發佈手機專用 3D NAND 記憶體
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Micron 近日發佈全球首款用於行動裝置的 3D NAND 記憶體,相較於相同尺吋封裝大小的記憶體提供更大儲存容量,並採用最新 UFS 2.1 傳輸標準,加快行動裝置記憶體技術發展腳步,有望下年中正式付運。

Micron 宣佈推出行動裝置專用的 3D NAND 記憶體,主要目的為決儲存容需求日漸增加的智能手機使用,現時 VR 、大型遊戲或影片所佔容量大幅增加,導至手機內存空間漸漸不足,基本上 16GB 的儲存空間已經不足以應付現時需求,部份手機以 32GB 容量起跳,市場更盛傳新一代 iPhone 將配備 256GB 型號。

面對手機儲存容量的需求, Micron 最新推出的 3D NAND 記憶體能解決多項問題,其技術能將相同封裝大小的記憶體容量倍增,據官方表示,新 3D NAND 記憶體為 32 GB 容量,封裝面積僅為 60.217mm² ,相對同樣容量的記憶體減少 30% ,對於內部空間有限的智能手機來說,即可騰出更多空間集成其他零組件,進一步令手機設計得更為輕薄。
繪圖卡記憶體頻寬效能提升一倍 Micron 宣佈GDDR5X 正式付運
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Micron 宣佈開始向客戶提交的 GDDR5X 記憶體建基於 GDDR5 ,其傳輸速度翻倍至 64byte/access ,理論上可將顯示卡的記憶體的頻寬效能提升一倍以上。現時推出的 GDDR5X 記憶體可達 10-12Gbps ,據 Micron 表示,其目標將會提升至 14-16Gbps 。

另外,現時高階顯卡大約 400GB/s ,但 配搭 GDDR5X 的顯示卡將提供 800 至 1000GB/sec ,將帶來重大影響。同時,, GDDR5X 在電氣特性、物料結構上都與 GDDR5 基本相似,升級過程很簡單,成本能進一步降低,而且電壓只有 1.35V 。
新世代記憶體技術 效能跳躍式提升  「 3D XPoint 」Octane 明年秋季上市
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Intel 於 2015 年 7 月底發佈一項記憶芯片突破性技術 - 「 3D XPoint 」,除即於 8 月 IDF 2015 大會上公開首款採用該技術設計的 「 Octane 」原型硬碟,引發市場熱話,最新消息指「 Octane 」將於 2016 年秋季配搭下一代處理器平台公開亮相,擊起新世代 PC 業界浪花。

「 3D XPoint 」記憶體技術由 Intel 及 Micron 共同研發,其相對現時 SSD 的傳輸速度快近 7 倍, Latency 亦快近 8 倍之多,而且「 3D XPoint 」具備了斷電後亦能繼續保持數據的特點,以及比傳統 DRAM 的存儲容量高出 10 倍左右,並耐用度提升了 1,000 倍,勢成下一代記億體技術指標。
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