Micron 近日發佈了專為 Android 旗艦行動裝置打造的 UFS 2.1 標準 NAND Flash，將會提供 64GB、128GB 及 256GB 儲存容量，採用 TLC 顆粒搭配3D 64層堆疊，Micron強調基於人工智能技術進行了APP打開、運行有關的性能優化。

Micron 全新 UFS 2.1 標準 NAND Flash 屬於 Micron第二代的3D NAND Flash，Micron 官方表示相比起上代將有 50% 的性能提升，單顆 Die 面積為59.341mm

Micron 在今日正式宣布與 Rambus、Northwest Logic 和 Avery Design 合作，為全球最快的獨立儲存器 GDDR6 提供全面的解決方案，這種首創的解決方案將使 GDDR6 可用於高性能網絡、自動駕駛汽車、人工智能和 5G 基礎設施等高級應用。

全新 GDDR6 全面的解決方案匯集了每家公司獨特的技術去解決問題，使 GDDR6 的覆蓋範圍及效益遠遠超出了傳統的圖形市場。

GDDR6 PHY ( Rambus )

Intel 與 Micron正式宣佈，將終止雙方之間在 3D NAND Flash 記憶體的開發合作 ，在未來將獨立研發3D NAND技術，兩家公司已經同意完成第三代 3D NAND 的開發至2019年初，在此之後，則分道揚鑣。

Intel強調，雙方都認為獨立之後，將能抽出更多資源優化自身產品、服務客戶，Micron 及 Intel 預計未來節點各自 3D NAND 技術發展的節奏不會有任何變化。

目前 Intel 與 Micron 正在推出基於第二代 3D NAND（64層）技術的產品，至於兩者最重要的 3D XPoint Optane 快閃記憶體，Intel 稱，他們仍舊會在猶他州的 Lehi 工廠聯合研發製造。

Micron 最新宣佈將計劃在整個 GPU 業務中積極採用 GDDR6 技術，GDDR6 繪圖記憶體已經完成所有的設計工作並通過了內部驗證，首發的分別是針腳頻寬 12Gbps 及 14Gbps 的晶片，GDDR6 的推出對於主流 PC 繪圖卡業務具有重大意義，但 GDDR5 仍然是主流的記憶體架構，並將由續步由舊一代 GDDR5 繪圖記憶體轉向即將於 2018 年上半年發佈的 GDDR6。

GDDR5 在 2008 年首次推出，其仍然佔據了 300 美元以下價格的個人電腦繪圖卡行業，隨著 VR 及 4K 雙雙進入主流市場，是時候提升 GDDR5 所提供的記憶體頻寬及容量，因此於 2016 年推出了 GDDR5X 增加高階頻寬作短暫的緩衝，但 AMD 及 NVIDIA 的繪圖卡亦需要新一代的解決方案，以滿足不斷增加的高繪圖能力需求。

根據上圖顯然， GDDR5X 及 GDDR6 這兩種設計的數據速率是相同的，但 GDDR6 有兩個完全獨立的記憶體通道，可根據需讀取或寫入數據，將有效提高整體的記憶體效率，同時 Access granularity 也有所改善由6 4 bytes 至 32 bytes。正如 GDDR5 與舊款繪圖卡相比，各級繪圖記憶體頻寬都得到了大幅提升，GDDR6 也將有助提升低階及中階繪圖卡的性能。

Micron 在 SC17 展會上宣布推出一款新型的 32GB NVDIMM-N 產品，相較 Micron 現有的 NVDIMM 容量增加了一倍，內建 64GB SLC NAND Flash 並將速度提升至 DDR4-2933 CL21，能夠支援數據分析及在線交易處理應用中不斷提高的性能、效能及運行時間的需求，為系統設計人員及 OEM 廠商提供更靈活的方案。

Non-Volatile DIMM (NVDIMM) 非揮發性記憶體對於 Micron 來說並非一款全新的產品，其實 Micron 第一款取得 JEDEC 標準的為 DDR3 NVDIMM 記憶體，此前亦有推出過 DDR4 8GB 及 16GB 容量，至於新一代的則為 32GB 容量的 DDR4 NVDIMM-N 產品。

NVDIMM 非揮發性記憶體有別於我們日常的 DRAM 記憶體，一般來說 DRAM 主要的特點是存取速率快，但缺點就是當電源供應中斷後，記憶體所儲存的資料便會消失，但 NVDIMM 非揮發性記憶體則結合了 DRAM 記憶體及 NAND Flash 快閃記憶體，讓系統不會因為突如其來的斷電導致資料損失。