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【Micron 製程再發展】 96 層 3D NAND 下半年量產、GDDR6 準備就緒
文章索引: Micron
Micron 最新公佈了 2018 財年第三季度的結果,同時亦公佈了公司未來的發展方向,預告在 2018 年下半年 96 層 3D NAND 技術將會開始批量出貨,全新 96 層是第三代 3D NAND 技術,可進一步增加每個晶片的儲存容量,從而能夠打造出更小、更節能的設備。

目前的大多數 SSD 通常採用 32 層或 64 層 NAND Flash,全新的 96 層 3D NAND 技術已是第三代,Micron 並已計劃打造超過 120 層的第四代 3D NAND。Micron 表示,與目前採用的 64 層 NAND 相比,96 層的價格也會更便宜,將有望能夠降低 SSD 的價格。

同時,Micron 已報告準備為客戶提供適用於汽車行業的類型 GDDR6 記憶體,採用1x-nm 技術製造、低功耗的首款 GDDR6 記憶體,能為車載系統如“自動駕駛”提供更佳的解決方案。
Micron 對固態硬碟發展作出預測 3 年後 SSD 平均容量將逼近 600GB
文章索引: Micron
SSD 的出現雖然為我們帶來了更高速的讀寫速度,但仍然未能夠取代傳統硬碟機的位置 ,因此不少平台都會採用 SSD + HDD 的混合使用模式,同時對於日益增長的雲端使用,傳統硬碟的大儲存容量及價格低的特性,即使 SSD 需要完全取代 HDD 硬碟目前還需要一後時間,然而 Micron 對於 SSD 未來市場就有著不同的觀點。

根據 Micron 對客戶固態硬碟部份發展的預測,若果現在約有 36% 的新 PC 或筆記本電腦配備 SSD,預估在未來三年內他們的份額將提升 2.3X 達到 81%,在實際上每個使用硬碟的新 PC 系統將有四個固態驅動器。

2017年至 2021 年期間部份固態硬碟的平均容量將由 264GB 增加至 597GB ,同樣提升了 2.3X,但並不令人震驚。儘管如此,固態儲存器仍然是一種昂貴的產品,這將會阻礙了 SSD 在客戶消費族群中的擴展。
旗艦智能手機儲存空間需求劇增!! 預計 2021 年將增加至 12GB RAM、1TB 容量
文章索引: Micron
智能手機已成為我們日常不可或缺的產品,除了為我們用作通訊之外,亦可儲存日常拍攝的相片及影片,因此對於內置儲存容量的需求亦不斷增加,Micron 最新就公佈了對移動市場發展前景的看法,智能手機每年發佈的數量超過 10 億部,同時用戶需要的儲存空間越來越大,Micron 預計在 2021 年旗艦智能手機型號將會具備 12 GB 的記憶體及 1 TB 的儲存空間。

在Micron Technology (MU) 2018 Analyst and Investor 財報會議上針對不同行業的儲存需求作出預測,並對比 2017 年與 2021 年的需求變化,智能手機領域方面,在去年平均每款智能手機就需要使用 2.7 GB 的記憶體及 43 GB 的儲存空間,到 2021 年的平均數字將增加到 4.8 GB 的記憶體及 142 GB 的儲存空間,至於旗艦智能手機型號將分別增加至 12 GB 的記憶體及 1 TB 的儲存空間。如果你認為它們已經提供了 8GB 的 RAM 和 256GB 的固態存儲器,那麼這個預測就沒有什麼了不起。
採用 QLC NAND、最大 7.68TB 容量  Micron 全新 5210 ION SSD 開始出貨
文章索引: Micron
Micron 與 Intel 日前共同宣佈基於 64 層的業界首款商用 3D QLC(4bits/cell) NAND 產品開始生產和出貨,隨即 Micron 就發佈了全新的 Micron 5210 ION 固態硬碟,是全球首款 Quad-Level Cell NAND SSD,相比 TLC NAND 提供的 bit 密度提高了 33%,與傳統的 3.5" 硬碟相比,能夠實現在更少空間中提供更高的性能,使數據中心可以節省昂貴的電源和散熱成本。

全新的「 5210 ION 」SSD 採用 2.5" 設計、7mm 厚度,基於 Micro 5200 系列 SATA SSD 經驗證的架構打造而成,5210 ION SSD 通過為客戶提供數據中心構建的已知設計,簡化了認證過程,客戶還將能夠 Micron 獨特的 Flex 容量功能定製配置硬盤的耐用性和寫入性能,同時針對讀取密集型雲工作負載如人工智能(AI)、機器學習、實時分析、大數及媒體流進行了優化。

目前 Samsung、Toshiba、WD 等 SSD 新品主要是基於 64 層3D TLC NAND 技術,採用的單顆 Die 256Gb 或 512Gb 容量,而 Micron 採用的 64 層 QLC 技術的「 5210 ION 」SSD 將有更低的成本,比其對手推出的產品容量增加了一倍,Micron QLC NAND 技術更可以達到單 Die 1Tb 的儲存密度,這是目前業界最高密度的閃存產品。
每晶片密度最高可達到 1Tb Intel 與 Micron 攜手打造  3D QLC NAND 技術
文章索引: Micron
Intel 在日前宣佈與 Micron 聯手生產並發佈業界首款 3D QLC ( 4 bits/Cell ) NAND 技術,利用久經考驗的 64 層結構,新的 4 bits/Cell 3D NAND 技術每個晶片的密度達到 1Tb,是現時全球密度最高的 NAND Flash,這兩家公司還宣佈了第三代96 層 3D NAND 結構的開發進展,層數增加了 50%,這個進步讓其能夠生產最高 Gb/mm

在CMOS under the array (CuA) 陣列技術,能夠減少die sizes尺寸並提高性能,Intel 及 Micron 全新的 NAND Flash可以並行寫入和讀取更多單元,從而在系統級提供更快的吞吐量及更高的頻寬。

全新的64層4bits/cell NAND技術可在更小的空間內實現更密集的儲存容量,為讀取密集型雲工作負載節省大量成本,同時也非常適合消費用家及客戶端運算應用,提供成本優化的儲存解決方案。
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