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7nm 工藝製造、4400 MT/s 數據速率 Micron 聯手 Cadence 打造 DDR5-4400 記憶
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Cadence 和 Micron 最新宣佈將聯手打造全球首款可用 DDR5-4400 記憶體模組, Cadence 將會提供其 DDR5 記憶體控制器及 PHY ,並由 Micron 提供台積電生產的 7nm 8 Gb 晶片,全新的 DDR5 記憶體模組能夠實現 4400 MT/s 的傳輸速度,比目前市場上最快的 DDR4 記憶體快大約 37.5%。

全新的 DDR5-4400 記憶體模組測試晶片採用台積電 7nm 工藝製造 8 Gb 晶片,並包含 Cadence 的 DDR5 控制器和 PHY,在 CL42 上實現了 4400 MT/s 的數據速率。與目前的 DDR4 相比,DDR5 的電源電壓從 1.2V 降到 1.1V,允許的波動範圍僅為 ±0.033 V。在這種情況下,規格意味著 8 Gb DDR5 DRAM 晶片可能會達到相當高的 I / O 速度,比現在的 8 Gb 商用 DDR4 IC 低 9% 左右。

DDR5 記憶體模組主要並非僅提升性能部份,同時亦要著重容量方面,目前各種應用對高容量 DRAM 的需求很大,但現代伺服器可以物理地容納有限數量的記憶體模組,而現代記憶體控制器可以處理每個通道有限數量的 DIMM。因此,為了增加 DRAM 的單機容量,記憶體製造商需要構建更高容量的晶片。
涉嫌串謀操控並抬高 DRAM 價格 Samsung、Micron 及 Hynix 面臨集體訴訟
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Hagens Berman 律師事務所已向美國加利福尼亞州北部地區法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集體訴訟,根據該公司的調查,三家 DRAM 製造商共謀限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供應,目的是抬高價格。該公司確認,DRAM 在 2017 年的價格上漲了47%,這是過去30年來有史以來最大的漲幅。

據了解,截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集體擁有96% 的全球DRAM市場,Hagens Berman的訴訟提到,三家公司互相勾結,在2016年同意限制DRAM供應,以提高價格,這導致“DRAM價格上漲”,DDR4記憶體套件的售價是18-24個月前的兩倍(或更多),讓Samsung、Micron及 Hynix營收成長逾1倍。

此次的「固定價格方式」的集體訴訟是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日購買並使用 DRAM 記憶體設備的所有美國消費者,包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的筆記本電腦和台式機,同時智能手機及平板亦包括在內。
提供可靠、穩定的 24x7 連續記錄能力 Micron 推出工業級 MicroSDXC 卡
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Micron 最新宣佈推出 128GB 及 256GB 容量的邊緣儲存 microSD 卡解決方案,基於 Micron 的 64 層 3D TLC NAND 技術,新發佈的解決方案可在更小的空間內提供更大的容量,可為攝影機提供長達 30 天的監控視頻儲存空間。

據 IHS Markit 稱,2017年全球銷售的所有microSD卡中,98% 以上用於消費應用,然而這些消費級儲存卡未沒有特別經過驗證用於視頻監控應用中的商業用途,Micron 的工業級 microSD 卡專為專業視頻監控而設計,包括為期 24x7 連續視頻錄製使用的三年保固,同時 Micron 的 microSD卡設計及固件經過優化,可確保提供可靠、穩定的 24x7 連續記錄能力。

Micron 的工業級 microSD 卡專為 IP 視頻監控工作負載而設計,具有以下特點:
Intel 與 Micron 在 3D NAND 96 層後終止合作 將各自尋找合作夥伴
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Intel 與 Micron 於 2018 年 1 月 8 日共同宣布,在完成第三代 3D NAND Flash 研發後,雙方將開啟各自的研發之路,雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash,預計第三代將可堆疊 96 層,也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發,Intel 將正式與 Micron 分道揚鑣。

儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家之後,雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據記憶體存儲研究 DRAMeXchange 調查,Intel 與紫光集團正積極研擬後續合作計畫,雙方可望建立正式銷售合作關係。

從 Intel 的動向來看,Intel 一直以來高度關注中國市場,在 CPU、modem、記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會。除此之外,Intel 也持續擴大在中國的產能,包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。近日 Intel 與中國紫光存儲 (紫光集團旗下子公司) 正積極擬訂長期合約,未來在此合約架構底下,紫光存儲將能夠獲得一定比例來自Intel 的 NAND 晶圓,經自行封裝測試成不同產品後,由紫光存儲的自有渠道進行銷售。
TLC 顆粒、3D 64 層堆疊 Micron 推出 UFS 2.1 手機用 NAND Flash
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Micron 近日發佈了專為 Android 旗艦行動裝置打造的 UFS 2.1 標準 NAND Flash,將會提供 64GB、128GB 及 256GB 儲存容量,採用 TLC 顆粒搭配3D 64層堆疊,Micron強調基於人工智能技術進行了APP打開、運行有關的性能優化。

Micron 全新 UFS 2.1 標準 NAND Flash 屬於 Micron第二代的3D NAND Flash,Micron 官方表示相比起上代將有 50% 的性能提升,單顆 Die 面積為59.341mm
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