Toshiba 在過去幾年一直在使用其 BiCS Flash 技術持續取得進步，最新宣佈已成功開發了 96-Layer BiCS FLASH 的原型樣品，不僅將堆疊層數增加到 96-Layer 製程，而且採用了 4 bit/cell 的 QLC 技術，將單晶片記憶體容量提升到最高水平，最快在 9 月初開始向 SSD 和 SSD 控制器製造商提供樣品進行評估，預計於 2019 年開始量產。

Toshiba目前已量產64 層堆疊技術的 3D NAND 產品，最新的96 層 3D QLC NAND Flash與 64 層產品相比，每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。QLC 技術的優勢在於將每個儲存單元的數據位數由每單元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每單元 4 位元(4bit/per cell)，將有助顯著地擴展產品的儲存容量。

根據 Toshiba 的官方說法，原型 96 層 3D QLC BiCS Flash 在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量，該產品還在採用單一封裝的 16 晶片堆疊式結構中實現了無與倫比的 2.66TB 儲存容量。隨著 SNS 的普及和物聯網的進步，移動終端等產生大量的數據，並預計實時分析及利用該數據的需求將急劇增加，因此，需要速度快於 HDD 且存儲容量更大的存儲器，而使用 96 層工藝技術的 QLC 產品即是一種解決方案。

Toshiba 日前宣佈旗下 RCMS 系列的全新「OCZ RC100」NVMe M.2 SSD 正式上市，在今年初舉行的 CES 2018 上首次展示的新款「RC100」系列將會面向零售 DIY 市場，擁有功能強大及高效能的特點，新產品分別提供 120GB、240GB 及 480GB 容量，非常適用於所有主流運算領域，包括遊戲台式機、筆記本電腦及 NUC 迷你電腦等產品之上。

全的「OCZ RC100」系列 NVMe M.2 SSD 採用了 Toshiba 先進的 64 層 3-bit-per-cell TLC BiCS FLASH 技術，搭配自家開發的控制器，能夠讓整個 SSD 封裝在單一的 BGA 內。RC100 系列在成本及性能之間作出了平衡，彌補SATA及發燒級NVMe SSD 之間的差距，緊湊的設計使 RC100 能夠安裝到 M.2 2242 ( 22 x 42mm ) 尺寸的 PCB 上，使其成為市場上最小的 SSD 之一。

Toshiba 在今日宣佈推出新型 MQ04 系列 2TB 硬盤，型號為「MQ04ABD200」，專為筆記本電腦、All-in-One、超薄台式機等需要高性能 2.5" 儲存裝置的系統而生，英寸移動級耐用性，新的MQ04 2TB型號在空間高效的設計中提供了卓越的價值及容量。

Toshiba 全新「MQ04ABD200」雙磁盤型號採用 2.5" 設計、9.5mm厚度，提供最高 2TB 的儲存容量，該驅動器支援 6 Gbit/s SATA 接口、5,400 rpm 轉速，擁有 128 MB 大容量緩衝區使得最大傳輸速率提高了 34%，與 Toshiba 此前的「MQ01ABD100」1TB 儲存裝置相比，降低了 50% 的功耗。

Toshiba 最新宣佈在 CES 2018 期間將推出新一代 NVMe SSD RC100 系列 SSD，全新 RC100 系列性能上優於目前市場上佔比最高的 SATA 固態硬盤，新款固態硬碟將主攻 DIY 製造商和 PC 玩家群體，此外 Toshiba 亦會展示新款的 XS700 及其他應用 BiCS FLASH 3D 儲存器的產品。

全新 Toshiba RC100 M.2 NVMe SSD 以小巧外形設計，尺寸為 22mm x 42mm，擁有低功耗、出色的性能表現，並將會在 CES 2018 大會上首次亮相。同時，亦將會在 CES 2018 展示包括 96 層 512Gb 晶片、業界第一款採用四級單元 ( QLC ) 技術的 Flash Memory 及 TSV 矽通孔技術的產品。TMA的BiCS FLASH 已經能夠支持當今的企業，數據中心，PC和移動應用，為未來的應用鋪平了道路。

身為垂直堆疊的 3D 快閃記憶體，BiCS FLASH 的顆粒密度遠遠勝過前一代的平面記憶體。此外，BiCS FLASH 更優化了電路技術及製程，繼續微縮了晶片尺寸。96 層 BiCS FLASH 的單位面積儲存空間，已達 64 層 BiCS FLASH 的 1.4 倍。

Toshiba 與 WD 在 2017 年經歷長時間的法律訴訟及合資爭議後，已於 2017 年 12 月 13 日達成和解，雙方延展合資關係至 2029 年，並確保 WD 在 Fab6 中能夠參與投資，延續在 96 層以後 3D-NAND Flash 的競爭門票。Toshiba 隨即 在 12 月 21 日宣布 Fab 7 興建計畫，TrendForce 記憶體儲存研究 ( DRAMeXchange ) 指出，隨著 Toshiba、Samsung、Intel、Yangtze 長江存儲等都將擴增 NAND Flash 產能，對 NAND Flash 產業的影響將在 2019 年轉趨明顯，並使得整體產業可望呈現供過於求狀況。

DRAMeXchange 指出，Toshiba Fab 7 有別於以往廠房集中於四日市，廠址改設在岩手縣北上市，該廠投入量產的時程將落在 2019 年下半年後，主要投產 96 層以上的 3D-NAND Flash，對整體產出真正產生影響的時間點將落在 2020年。

綜觀 2018 到 2020 年 NAND Flash 擴產趨勢，DRAMeXchange 指出，各個陣營皆可說是磨刀霍霍，除 Toshiba 剛宣布新建的 Fab 7 以及已興建中的 Fab 6 以外，備受各界關注的 Yangtze 長江存儲位於武漢未來城的生產基地也預計於 2018 年下半年開始營運，初期投產 32 層的 3D-NAND Flash 產品，並致力 64 層產品的開發，以拉近與其他供應商之間的差距。