據外媒報導，Toshiba 位於日本三重縣的四日市工廠在日前發生電力故障，一些生產線已關閉，考慮到 Toshiba 在該市擁有多個工廠，此次的停電風波對於 Toshiba 的影響備受業界關注。

根據日媒報導，Toshiba 的 NAND Flash 工廠於當地時間 6 月 15 日下午 6 點 25 分發生斷電事故，停電過程非常短，13 分鐘之後電力就恢復了，不過工廠卻一直停產，直到 21 日上午才恢復，至少停工了 5 天時間。

Toshiba 發言人解釋稱，通常情況下，一旦半導體工廠停產，需要幾天到幾週才能恢復運行並穩定其質量。

在過幾多 NAND FLASH 的技術不斷急速發展，將更多的Cells整及在同一包裝內以實現更大的儲存容量，同時並擁有低功耗及更高的性能，Toshiba 繼去年 9 月宣佈96 層 BiCS FLASH 樣品已出貨後，最新再公人佈與其戰略合作夥伴Western Digital幾乎完成了最新的迭代：128層3D NAND，並稱之為「BiCS-5」，預計最快可於2020 - 2021年實現商業化生產。

在一年前，NAND FLASH產品已經來到48層及64層堆疊技術，到 2019 年更會有 96 層堆疊的產品開始量產，至於下一代的 128 層堆疊亦準備要來，Toshiba與Western Digital合作正在積極開發「BiCS-5」NAND Flash，相比 96 層的「BiCS-4」，新技術額外多出的32層，能夠輕鬆將容量提升 1/3，並可大幅降低製造同等容量終端產品的成本。

據了解，全新的「BiCS-5」NAND Flash邏輯電路層在晶片的底部，而數據層則堆疊在上方，採用了陣列下電路（CuA）設計與非CuA技術相比可把晶片尺寸縮小15%。消息指全新的128層堆疊 3D NAND 採用了TLC設計，儲存密度接近96層堆疊的3D QLC，與96 層的BiCS-4 相比，BiCS-5 可讓模具總體縮小23%，密度亦相較96層堆疊3D TLC提升了29.8%。

現時多媒體影音娛樂的需求不斷增加，手機內建的儲存容量亦成為用家購買時考慮的一個重要因素，Toshiba 最新就宣佈已啟動業界首款符合通用快閃記憶體 (UFS) Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備的樣品出貨，新系列產品採用 Toshiba 96 層 BiCS FLASH 3D快閃記憶體，提供 128GB、256GB 和 512GB 三種儲存容量，具備高速讀取和寫入效能及低功耗特點，適用於行動裝置、智慧手機、平板電腦和擴增/虛擬實境系統等應用領域。

Toshiba 指出，旗下首款 UFS Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備在符合 JEDEC 標準的 11.5 x 13mm 封裝中整合了 96 層 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體和控制器，該控制器執行錯誤校正、耗損均衡、邏輯位址向實體位址的轉換以及瑕疵區塊管理等功能，便於簡化系統開發。

全新UFS Ver.3.0快閃記憶體備有 128GB、256GB 及 512GB 三款容量，同樣符合 JEDEC UFS Ver.3.0 標準，包含 HS-GEAR4，每個通道理論介面速度最高可達11.6Gbps（2 通道=23.2Gbps），雙通道那就是 23.2Gbps，換算一下即 2.9GB/s，同時具備抑制功耗增加功能 ，512GB 容量的循順讀取和寫入效能分別比上一代設備提高了約 70%和 80%。

Toshiba Memory Corporation 東芝記憶體公司與 Western Digital 今日共同於日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式，該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

Toshiba 於 2017 年 2 月開始興建 6 號晶圓廠，作為生產 3D NAND Flash ( 快閃記憶體 ) 的專用廠區。Toshiba 與 Western Digital 已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產 96 層 3D NAND Flash。

3D NAND Flash 在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加，未來幾年這些需求將持續擴大；為因應此市場趨勢，可望進一步投資擴大產能。

上週 Toshiba 才剛剛公佈成功開發了 96 層 3D QLC BiCS FLASH 的原型樣品，在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) ，單一封裝 16-Die 能實現 2.66TB 儲存容量，可謂業界暫時的最高水平，可惜的是 Toshiba 首先會將這技術用於企業級產品之上，消費用戶還需要一段時間才可以享受到。在 3D TLC 產品方面，Toshiba 最新宣佈推出市場首款基於 96 層 3D TLC BiCS FLASH 儲存器的 SSD「XG6」，最高提供 1TB 儲存容量，連續讀取和寫入速度高達 3,180MB/s 及 2,960 MB/s，主要針對客戶端 PC、高性能移動設備、遊戲領域及嵌入式系統。

Toshiba 全新「XG6」SSD 屬於「XG5」NVMe SSD 的更新產品，採用 96 層 3D TLC BiCS FLASH，Toshiba 表示，與採用 64 層堆棧 3D TLC 的「XG5」產品相比，新型的 SSD 每單位晶片尺寸增加了約 40%，同時連續讀寫及隨機性能亦達到頂級的水平。

「XG6」SSD 採用 M.2-2280 Form Factor 設計、PCI-Express 3.0 x4 連接介面，支援 NVMe 1.3a 協議，備有 256GB、512GB 及 1024GB 三種容量選擇（單面 PCB 佈局），根據官方的資料，「XG6」系列 SSD 的可提供高達 3,180 MB/s 連續讀取速度、寫入速度高達 2,960 MB/s，在 4K 隨機讀寫方面，最高可達 355,000 IOPS 讀取速度、365,000 IOPS 寫入速度。