電腦業界對於昨日南韓慶尚北道浦項市北方發生規模 5.5 地震甚感關注，據當地消息指在南韓全國均能感受到搖晃，除了 LGD 龜尾廠部分設備因地震暫時停機外，Samsung 及 SK Hynix 兩家記憶體廠部分機台也因地震自動中止運轉，隨後立即恢復正常運作，並對外表示後續影響仍在查證當中，現貨價格呈現停止報價的情況。

由於韓國是全球半導體產品、顯示器件以及智能終端產品的重要生產地，地震發生後，產業界對地震造成的影響也頗為關注。而業界最擔心的可能是韓國最大企業 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圓產線生產情況。

根據 DRAMeXchange 半導體研究中心第一時間調查顯示，Samsung 及 SK Hynix 等廠商工廠距離震中央至少有 300 公里以上的距離，地震僅有 0-1 級，目前正常運作中，不需停機檢查。但有業界人士稱由於部分設備對於震動很敏感，當感受到震動系統將會立刻停止運作避免造成損害，在確認正常隨即會恢復運作。而 LGD 樂金顯示器龜尾廠部分設備因地震暫時停機，但在檢查後已重新運作。

近期不斷有記憶體廠商針對下代平台宣佈開發 DDR4 記憶體模組，其中 SK Hynix 繼早前開發 64GB DDR4 記憶體模組後，剛於 7 日正式宣佈開發為目前業界最高容量的 128GB DDR4 模組，採用 20nm 級別程製的 8Gb DDR4 記憶體顆粒，比較 64GB 模組具有雙密度。

全新的 SK Hynix 128GB DDR4 記憶體模組專為伺服器市場而設，並可適用於 Intel 的下一代平台 Haswell-EP Xeon E5-2600 v2 處理器，支援 2133Mbps 傳輸速率，在 64-bit I/O 位寬下可提供 17GB/s 頻寬，而且其電壓為 1.2V ，比較現有的 DDR3 模組的 1.35V 更低。

據 SK Hynix 高級副總裁 Sung Joo Hong 表示，世界上第一個 128GB 的 DDR4 模組開發打開了超高密度服務器市場意義， SK Hynix 將進一步鞏固其在高檔的 DRAM 領域的競爭力，並發展高密度、超高速、低功耗產品。

去年 9 月 SK Hynix 無錫廠房發生火災引起標準型 DRAM 供應短缺，雖然現時該廠房已經進入復工階段，但據業者表示目前實際開出的產能仍然有限，而且不時傳出良率欠佳的問題，因此標準型 DRAM 供應未能回復早前水平。加上 Samsung 及 Micron 將產品鎖定在高毛利的 Mobile DRAM 或繪圖 DRAM ，據分析師預期，標準型 DRAM 現貨價目前仍會緩步上升，更可能於本週再創新高。

按現時價格走勢所見，由於一線 DRAM 廠已大幅減少 2Gb DDR3 產出，但現時大陸市場白牌平板需求卻是有增無減，因此 2Gb DDR3 原廠顆粒現貨價持續上升，最高達到 3 美元；另一方面主流的 4Gb DDR3 目前仍是供不應求，現貨價回升到約 4.3 美元，更有望短期內突破 4.3 美元創下歷史新高。

據記憶體業者指出，現時三大 DRAM 廠對於標準型 DRAM 投片量持續下降，而 OEM 廠手中庫存量則低於 4 周安全水平，儘管 SK Hynix 無錫廠房進入復工階段，但產能仍未見到大量開出，面對中國農曆新年旺季前需要大量回補庫存，令標準型 DRAM 價格被推高。

繼 Samaung 上週宣佈推出全球首款單顆 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒後， SK Hynix 也於 30 日於其官方網站宣佈正式推出採用 2x nm 製程技術開發的 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒，為代行動記憶體配置提供超高速和低功耗效能表現。

SK Hynix 與 Samsung 推出的 LPDDR4 記憶體顆粒同樣支援達 3200Mbps 傳輸速率，比較現時的 1600Mbps 快兩倍，而且支援在 1.1V 超低電壓中運行，比較 LPDDR3 的 1.2V 更低。

據 SK Hynix 表示，目前已計劃將於明年下半年開始大規模生產，同時也會加強與客戶在行動 DRAM 的標準化合作，並將進一步鞏固其在移動領域的競爭力，以及高密度，超高速，低功耗產品的發展。而早前， SK Hynix 亦已率先發表了 8Gb 和 6Gb LPDDR3 。

SK Hynix 20 日宣佈現時正開始大規模批量生產採用目前業界最薄的 16nm 製程 64Gb MLC NAND Flash 快閃記憶體顆粒，為大規模生產的第二個版本，能夠擁有更少的記憶體顆粒尺寸，同時提升成本競爭力。另一方面， SK Hynix 也宣佈正開發 128Gb 容量版本，預期將於明年年初開始大規模生產。

一般而言，採用越薄程製技術在收縮細胞之間發生下將會產生頻繁的干擾，但在 SK Hynix 採用最新氣隙技術下，可構建絕緣屏蔽使絕緣物質在路之間形成真空，以克服細胞之間的干擾。

據 SK Hynix Flash 技術開發部門高級副總裁 Jin Woong Kim 表示，其高密度 NAND 閃存產品組合得益於 16nm 的 128Gb MLC 的發展， SK Hynix 開始大規模生產業界最薄的 16nm 產品，目前正計劃積極響應客戶的需求，為用戶提供具有高可靠性和耐久性的 NAND 快閃記憶體產品。