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【100-200TB 容量 SSD 不是夢!!】 NAND Flash 到2030 年可達 800+層堆疊
文章索引: Hynix
兩大韓系 NAND 廠 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齊齊公佈了新 NAND Flash 的發展,SK-Hynix 宣內成功研發並批量生產 128 層堆疊的 4D NAND Flash,而 Samsung 則推出 136 層堆疊的第六代 V-NAND Flash,不過 NAND Flash 堆疊仍未到達極限,SK-Hynix 公佈了公司的規劃路線圖,預計在 2030 年將會推出 800+ 層的 NAND Flash,到時更可以輕鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

於正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上,SK-Hynix 公佈了旗下推出的新產品及公司未來的計劃,目前 SK-Hynix 正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash,其量產將於今年第四季度開始。

在會上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD,採用 PCIe 4.0x4 介面連接,提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量,連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s,4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。
【TLC 技術再升級!!單顆最高可達 1TB 容量】 SK-Hynix 量產 128 層 4D NAND Flash
文章索引: Hynix
從去年開始 SSD 價格就在持續下跌,因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動,除了控制產能之外,另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前,SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產,是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商,是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後,時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊,擁有 3600 多億個 NAND 單元,為了實現此工藝,SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術,包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度,許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品,但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性,在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額,SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。
【有助降低 DRAM 生產成本?!】 DRAM 廠商有意升級 EUV 技術
文章索引: Hynix
繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光(EUV)微影技術後,同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產,Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM,SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。
【儲存密度倍增!!輕鬆打造 16TB SSD】 SK Hynix 96 層 QLC 1Tb NAND 正式採樣
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NAND Flash 價格過去已錄得連續 6 個季度下跌,為了防止 NAND Flash 價格進一步下滑,廠商們都各出其謀,除了減產控制 NAND Flash 供應之外,亦需要加強低成本的 NAND 晶片開發,並開始由 TLC 投向 QLC,SK Hynix 在日前就宣佈已向主要SSD 控制器公司提供新的 1Tbit QLC 產品樣品,採用了96層堆棧 4D NAND 技術,將單個晶片中的平面數量從 2 個增加到 4 個,1Tbit 的核心容量是目前 MLC/TLC 主流的 256Gbit、512Gbit 至少兩倍,就能夠輕鬆打造成 16TB 的硬碟。

QLC在一個NAND單元中儲存四位數據,與每單元儲存三位的 TLC 相比,允許更高的密度,96 層 QLC 4D NAND 不僅面積低於現在 3D QLC 產品的 90%,單個晶片中同時處理多達 64KB 數據的高性能產品,確保了成本和性能競爭力。

相比 SLC、MLC 及 TLC,QLC NAND Flash 在容量方面更有優勢,同時成本更低,但 QLC NAND Flash 的電壓控制相對來說更加複雜,導致寫入速度變差,可靠性亦會降低。
【容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上】 Samsung、SK-Hynix 計劃今年底發佈 DDR5 模組
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DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及,各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備,其中,兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品,Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品,而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。

至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。
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