記憶體顆粒廠商 SK Hynix 30 日宣佈，目前已經採用 20nm 製程開發 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒，可透過堆疊達成實現高密度 3GB 容量記憶體，較現時的 4Gb 顆粒能夠減省 30% 運行功率，而且封裝的高度變得更薄，目前產品樣本已提供予客戶，預期將於 2014 年初開始大規模生產。

新的 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒擁有更低運作功耗、待機電流以及令封裝變得更薄，工作在超低電壓為 1.2V ，可滿足利動裝置應用的需要，並可利用 POP 封裝到行動裝置之中，最高可支援達 1866Mbps 速率，介面為 32bit 可在單通道頻寬下達成 7.4GB/s 傳輸，雙通道則為 14.8GB/s 。

6Gb LPDDR3 記憶體顆粒預期會封裝成以 3GB LPDDR3 為主，主要應用在高端的行動設備上，並預期由上半年開始一直加載到 2015 年。 SK Hynix 正計劃加強在行動裝置市場的高性能記憶體產品技術開發，並積極擴展多元化的產品組合。

上週 SK Hynix 位於無錫廠房大火，對 DRAM 產業及相關供應鏈造成重大影響，根據市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 指出，火來源為晶圓廠內的 CVD(Chemical Vapor Deposition) 重要機台樓層，雖然目前仍能保住一半產能，但對 DRAM 產業的供給仍會造成一定程度的衝擊，估計影響時間至少兩個月， Samsung 和 Micron 將成最大受益者。

據 DRAMeXchange 針對 SK Hynix 無錫廠房大火作出的調查及分析指出，目前火災除令機器燒毀外，濃煙與全面停電導致無塵室遭濃煙污染，雖然廠房採用雙子星架構設計，讓無塵室可以獨立系統來運作力保一半產能，但預期一半產能短期內仍難以復工，雖然 SK Hynix 已經派出百位專家與工程師緊急進駐搶修，但對 DRAM 產業的供給將會造成一定程度的衝擊。

目前，由於廠房遭濃煙入侵仍處於全面停工中，在復工日期仍需待清理現場後，再經過無塵室落塵檢驗、機台重新檢測與參數重新設定才能確定，產能衝擊影響將不可看低。據 DRAMeXchange 指出，無論晶圓廠損壞程度為何，以目前無錫廠房每月 13 萬片的產能計算，在後續投片遞延下至少有二個月的投片量會受影響。

韓系 DRAM 大廠 SK Hynix 位於中國無錫的廠房於 4 日發生猛烈大火，除工作人員需要緊急疏散外，產線亦全面停工，而且更致全球 DRAM 暫停報價，部份大廠更立即通知客戶指需要重新議價。根據消息指出，是次大火起火源可能由晶圓廠內部重要設備或是 CVD 機台引發，並有可能造成無塵室 (clean room) 的污染。是次火災發生，有業者估計受影響時間至少一個月，針對此情況，據分析師指出，是次火災有可能對後續產出以及市場造成一定程度的衝擊。

無錫廠投片主要為 100K 的標準型記憶體及 30K 的行動式記憶體 ( 含 MCP) ，據了解，無錫廠房為 SK Hynix 生產 DRAM 的重鎮，每月投片約 13 萬片，約佔 SK Hynix 總產能 50% ，即便停產一個月也會影響近千萬台行動電腦及千萬台智慧型手機的出貨量，同時第四季標準型記憶體及行動式記憶體的價格走勢也必將受到衝擊。

而根據分析機構以過去 1998 年聯電及 1996 年華邦鉑發生火災並影響到無塵室的經驗所見，由火災發生後至無塵室重建復工所需時間長達半年以上，因此假如是次 SK Hynix 的火災造成無塵室污染情況嚴重的話，影響程度絕對不能輕視。

繼標準型記憶體表現亮麗後，市場調查機構 DRAMeXchange 14 日發表第二季行動記憶體表現報告，其中指出韓系廠商 SK Hynix 仍然排行第二位，但季度成長卻是一眾廠商之冠，營收與上季相較成長超越 30% 之多，整體行動記憶體總營收則增加 11% ，營收逼近 30 億美元，佔整體 DRAM 營收的 34% 。

據 DRAMeXchange 指出，隨著智慧型手機應用普及，第二季智慧型手機出貨季成長約 7% ，總出貨量達到 2.2 億台，而且準備後續旺季來臨，不少廠商均積極為行動記憶體進行備貨，使得第二季行動記憶體表現理想。

在各記憶體廠商之中，仍以 Samsung 擁有超過 50% 的市場佔有率穩守龍頭之位，但市佔出現微跌，由 55.8% 下跌至 50.3% ，營收則維持 14.5 億美元。主要原因是雖然 Samsung 所生產的行動式記憶體以供應 Samsung 手機部門為主，但在維持供應鏈穩固的考量之下， Samsung 手機部門開始擴大對外採購零組件，進而採購 SK Hynix 、 Elpida 等廠商的記憶體，讓對手市場得到提。雖然此舉會影響 Samsung 自家行動記憶體的市佔，但在目前 Samsung 已獲得超過 50% 市佔率下，，釋放某部分行動式記憶體產能，讓各產品線之間的調配更有彈性，對長遠發展而言甚為理想。

目前 SSD 應用已十分普及，不少廠商也加入市場分一杯羹，其中 SK Hynix 繼為 OEE 廠商推出 mSATA 介面的 SSD 後， 25 日於官方網頁中宣佈正式推出自家品牌的 SSD 產品，並率先推出 SH910 系列，採用 SandForce 控制晶片，配搭 20nm 級別同步快閃記憶體，最高支援 510MB/s 連續讀取速度，預期將率先於日本、韓國和美國市場發售。

SK Hynix SH910 系列 SSD 將針對消息級市場，推出 128GB 及 256GB 兩種容量選擇，其採用 SandForce SF-2281 控制晶片，採用 SATA 6Gbps 介面，配搭由 ONFI 推出的 20nm 同步 NAND 快閃記憶體，最高可提供 510MB/s 連續讀取速度，以及 470MB/s 的連續讀取速度，最大隨機 4K 讀 / 寫為 55000 IOPS 和 85000 IOPS 。

同時， SH910 系列 SSD 支援多種管理功能，包括支援 TRIM 加強內部擦拭數據的速度，也支援 End-to-End Protection 防止數據丟失，以及加強數據安全性，也支援 128 bit AES 加密技術，以保障 SSD 內的資料安全。