全球半導體專利戰不斷升溫，在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴，最新由“韓國時報”的報導指出，韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術，該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利，企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標，並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域，專利對公司的成本結構由關重要，因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron，因為專利技術門檻高，三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術，中國大陸更到台灣挖角人才，早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師，陷入竊取商業機密的嫌疑，紫光也針對這個事件發表聲明。

NVIDIA 下一代 GeForce GTX1180/GTX2080 繪圖卡消息傳完又傳，但仍然未有正式的上市時間，同時產品的實際規格亦未獲得確認，根據“路透社”的消息， SK-Hynix 最新與 NVIDIA 簽訂了一項新合同並開始執行，預計該合同將有助刺激繪圖晶片的銷售，相信 NVIDIA 很快會將 GDDR6 記憶體用於全新的繪圖卡產品之上。

在消息公佈後，SK Hynix 在 5 月 23 日的股價錄得超過 5% 的漲幅，升至 94000 韓圜，創下近 17 年來的新高。受惠於 DRAM 及 NAND Flash 不斷漲價，在 2018 年 1 月至 3 月SK Hynix 的淨利潤為 3.1 萬億韓圜（28.9 億美元），比去年同期增長 64.4%。

對於電腦行業來說，SK-Hynix 與 NVIDIA 簽訂新合同相信是一個令人興奮的消息，在 4 月時有消息指 SK Hynix 透露已積極生產 GDDR6 記憶體，並會在三個月內大批量產。SK Hynix 新一代 GDDR6 的速度是目前 GDDR5 的兩倍，數據傳輸速率達到了 16Gbps ，高達 384-bit 記憶體介面，能夠實現 768GB/s 總記憶體頻寬，但工作電壓卻建低了 10% 。

Hagens Berman 律師事務所已向美國加利福尼亞州北部地區法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集體訴訟，根據該公司的調查，三家 DRAM 製造商共謀限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供應，目的是抬高價格。該公司確認，DRAM 在 2017 年的價格上漲了47%，這是過去30年來有史以來最大的漲幅。

據了解，截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集體擁有96% 的全球DRAM市場，Hagens Berman的訴訟提到，三家公司互相勾結，在2016年同意限制DRAM供應，以提高價格，這導致“DRAM價格上漲”，DDR4記憶體套件的售價是18-24個月前的兩倍（或更多），讓Samsung、Micron及 Hynix營收成長逾1倍。

此次的「固定價格方式」的集體訴訟是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日購買並使用 DRAM 記憶體設備的所有美國消費者，包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的筆記本電腦和台式機，同時智能手機及平板亦包括在內。

SK-Hynix 今天宣佈最近已完成了開發企業 SATA SSD（或“eSSD”）的工作，憑藉其 72 層 512Gb 3D NAND Flash 晶片，正為高附加值 eSSD 市場鋪平道路，SK-Hynix 將 72 層 512Gb 3D NAND Flash 與內部固件及控制器相結合，提供最大 4TB 的密度。

SK-Hynix 表示，一組 4TB 的 SSD 可能包含 200 個 UHD 超高清電影，每個電影大約為 20GB 容量。新的 eSSD 支援高達 560MB/s 及 515MB/s 的連續讀寫速度，並可以擁有 98000 IOPS 及 32000 IOPS 個隨機讀寫，提供了更高的讀取延遲。

SK-Hynix 還完成了開發企業 PCIe SSD 的工作，並向伺服務和數據中心客戶提供樣品。PCIe SSD 也將使用 72 層 3D NAND 並擁有大於 1TB 容量。1TB PCIeSSD 連續讀寫速度為 2700MB/s Read、1100MB / s，隨機讀寫性能達到 230,000 IOPS 和 35,000 IOPS。

SK-Hynix 最新在其產品目錄中添加了單晶片 16 Gb DDR4 記憶體晶片，這將使單組 DIMM 的最大記憶體容量提高兩倍，受惠於儲存密度的增加，讓 SK-Hynix 可以將更少的儲存器半導體裸片銷售相同容量的晶片，並能夠像以前一樣提高相同儲存器晶片的最大容量。

由於記憶體晶片的數量減少 ，單晶片16 Gb DDR4 記憶體的優點能夠提供更低的功耗，以及將兩個 64GB 模組、四列 128 GB LRDIMM 及八列 256 GB LRDIMM 組合在一起的可能性，將可讓 Intel 或 AMD 伺服器平台上的最大記憶體容量翻倍，例如，EPYC 系統可能會達到 4TB 記憶體容量。