近年行動裝置應用發展迅速，相關智慧型手機與平板電腦產品已十分流行，連帶記憶體廠商也加強對行動式記憶體的發展，據市場調查機構 DRAMeXchange 13 日發表的行動式記憶體調查報告指出，一線 DRAM 廠已紛紛調高行動式記憶體的生產比重，其中 SAMSUNG 受惠 Galaxy S2 及 Note 的熱賣下，，行動式記憶體出貨持續暢旺。

據 DRAMeXchange 指出，由於智慧型手機與平板電腦的興起，一線 DRAM 廠調高行動式記憶體生產比重，去年第四季出貨量出貨持續暢旺，但由於價格輕微下跌，較上一季度跌幅約 10% ， LPDDR2 8Gb 均價約 17.4 美元，因此整體營收也較上一季度下輕微下跌 1% ，總營收為 15 億 9200 萬美元，在 2012 年第一季為傳統出貨淡季下，預期行動式記憶體價格仍將維持下跌走勢，預估跌幅為 15 ~ 20% 。

其中， SAMSUNG 因 Galaxy S2 及 Note 於全球熱賣，其行動式記憶體出貨量明顯續暢，第四季營收微幅成長 0.5% ，為 8 億 5700 萬美元，市場佔有率則由去年第三季的 53% 微升至 53.8% ，無論在營收或市佔率上均遠勝對手，成為業界一哥。同時，除了行動式記憶體表現比對手優勝外， NAND FLASH 產品產出也讓 SAMSUNG 營收和市佔進一步提升。

美國加州北區地方法院 24 日宣佈，記憶體廠商 Hynix 侵犯 Rambus 記憶體技術專利， Hynix 需要賠償 1% 的 SDRAM 產品收入及 4.25% 的 DDR 產品產品收入予 Rambus ，但法院駁回了 Rambus 公司禁止 Hynix 產品進口美國的要求，原因是該公司正進行談判有關技術許可條款。

Rambus 高級副總裁兼總顧問 Tom Lavelle 表示，對法院的判處感到高興，並認為 Hynix 必需為持續使用 Rambus 的專利發明，作出公平合理的賠償。

根據美國加州北區地方法院 24 日的判決， Hynix 需向 Rambus 支付專利權費用，即在 2005 年 12 月 31 起，所有在美國境內生產及銷售的 1% SDRAM 產品收入及 4.25% DDR 產品收入，而 DDR 產品則泛指 DDR 、 DDR2 、 DDR3 、 GDDR2 、 GDDR3 及 DDR SGRAM 顆粒，賠償金額高達 1.33 億美元。

佔有全球 20%DRAM 市場的 Hynix ，將減少其 DRAM 產出約佔全球 DRAM 市佔約 3 ~ 3.5% ，這是繼 PSC 及 Elpida 宣佈減產後，第三家宣佈減低的 DRAM 廠商，目前估計三家合共減少約 5 ~ 6% 產能。據市調機構 DRAMeXchange 指出，全球 DRAM 產品需要減少約 1 成，才能讓 DRAM 產業渡過這嚴峻的寒冬，市場亦能提早復甦，產能問題已不再是已經不是公司間的輸贏，而是整個產業均輸。

繼 PSC 及 Elpida 相繼宣佈減產後，韓國 DRAM 大廠 Hynix 亦於 18 日宣佈約 20% ，約佔全球 DRAM 產能約 3 ~ 3.5% ，令全球 DRAM 產出整體下降 5 ~ 6% 。由於 DRAM 供過於求，令 DRAM 顆粒價格已低至成本價甚至賠錢出售，令 DRAM 市場自 2007 年第 2 季起，連續 7 季均出現虧損，讓 DRAM 廠面臨史無前例的壓力。

韓系廠商 Hynix 首先發難宣佈八吋廠產能將逐步淡出標準型 DRAM 的業務，影響著海力士近每月 140K 的八吋廠產能，亦成為近日第三家宣佈減產的 DRAM 廠。據 DRAMeXchange 預期，成本結構不佳 DRAM 廠亦有可能跟進減產行列來降低虧損的數字，預計可能跟進減產廠商的總投片量需減少 45-60K 間，才有機會渡過 DRAM 產業有史以來最嚴峻的寒冬。

記憶體顆粒，據最新消息指出，

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