雖然 DDR4 記憶體在 PC 系統中已非常普及，但其實仍有不少用家正在使用 DDR3 記憶體，以為 DDR5 仍然有一段時間才來?! SK Hynix 最新就透露了已正研發 DDR6 記憶體，預期速率非常驚人將可達 12Gb/s，亦即是 DDR6-12000。

去年，SK Hynix 宣佈開發了16 gigabit（2GB）的 DDR5 DRAM 晶片原型，該晶片的功率僅為1.1V，相比現有的 DDR4 記憶體，DDR5 記憶體消耗能源減少 30%，速度卻高達 5,200 Mbps，表示 DDR5 一秒鐘內能處理 41.6 gigabytes 的數據、或是 11 個 3.7 gigabytes 的電影檔。DDR5 最快將會在 2020 年量產，而於後續的產品呢?

一位來自 SK Hynix 的研究員 Kim Dong-Kyun 日前接受訪問時提到，預計公司在 2020 年將帶來DDR5-5200 記憶體，並正努力開發更創新、更觸目的DDR5新品，不僅會進一步在數據傳輸帶來速度上的提升，同時更會將DRAM技術與晶片系統如CPU 工藝相結合， 開發了一種多相位同步技術，通過在IP電路中放置多個相位，可以將晶片中高速運行期間的電壓保持在低水平，從而實現低電壓下運行更高的頻率。

DDR4 記憶體發展已經非常成熟並是現時 PC 平台的主流產品，因此各 DRAM 廠商亦推向下一個新的階段 —「DDR5」，SK-Hynix 最新宣佈已成功開發出16 Gb DDR5 DRAM，是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5，傳輸速度最高可達 5200 Mbps，為公司帶來了業界領先的競爭優勢。

SK-Hynix 表示，旗下全新推出的 DDR5 是下一代 DRAM 的新標準，並是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5 DRAM，相比現時主流的 DDR4，新的 DDR5 DRAM 擁有更高的傳輸速度、更高密度及更低的功耗，非常適合用於大數據、人工智能和機器學習等數據密集型應用。

SK-Hynix 成功地將 16 Gb DDR5 DRAM 的工作電壓從 1.2V 降至 1.1V，與上一代 DDR4 DRAM 相比，功耗降低了 30%，同時全新的 16 Gb DDR5 DRAM 支援 5200 Mbps 的數據傳輸速率，比上一代 3200 Mbps 快約 60%，頻寬高達41.6GB/s，能以每秒傳輸 11 部全高清電影。

繼 Samsung 及 Micron 宣佈推出新一代 1Ynm 工藝的 DRAM 記憶體晶片後，SK Hynix 最新亦宣佈已開發出 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 記憶體，支援高達 3,200Mbps 的數據傳輸速率，與上一代 1Xnm DRAM 相比，全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 的生產率提高了 20%，功耗降低了 15% 以上。

SK Hynix 全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 為客戶提供了最佳的性能和密度，新產品最高可提供 3,200Mbps 傳輸，官方表示是現時 DDR4 接口中最快的數據處理速度，生產效率上提升了 20%，性能也是目前最快的。同時採用了 “4-Phase Clocking” 方案，擁有雙倍的 Clock Signal 以提高數據傳輸速度和穩定性。

此外，新的 1Ynm DRAM 記憶體晶片還顯著提高了 Sense Amp. Control 傳感器精準度，調整了晶體管結構，降低了數據錯誤的可能性，同時 SK Hynix 還在電路中增加了一個低功耗電源，以防止不必要的功耗，使得數據傳輸的出錯率降低。

這過去的兩年時間，DRAM、NAND Flash 價格持續飆升，兩大行業的晶片廠賺得盆滿缽滿，即使在 2018 年 NAND Flash 有降價的跡象，但是市場需求持續異常旺盛，DRAM 更不用說。根據市調機構IC Insight的最新報告，2018 年全球 DRAM 記憶體晶片產業總價值預計將達 1016 億美元，將是歷史上首次單個領域的 IC 產業價值突破 1000 億美元大關，NAND 行業產值有望達到 626 億美元。

IC Insights 日前發佈的《The McClean Report》報告中分析及預測了全球 IC 晶片產業的情況，在 2018 年全球前 DRAM 產業總價值預計將達 1016 億美元，年增幅高達 39%，蟬聯今年的冠軍，佔全年整個IC行業的多達 24%。NAND Flash 行業排名第二，產值有望達到 626 億美元，與 DRAM 行業合計 428 億美元，佔全產業的 38% 之多。

第三位的則是標準 PC、伺服器微處理器，市場價值為 507.8 億美元，年增幅僅 5%。即便如此，也是該行業連續兩年創造新高了。之後是運算晶片、無線通訊晶片，分別為 276、160 億美元左右。

在日前舉行的 Flash Memory Summit 峰會上，SK Hynix 公佈旗下 NAND Flash 產品的未來發展路線圖，新款的 Flash 產品稱為“4D NAND”，由 3D NAND Flash 技術演變出來，相比起 3D NAND 能夠最大限度地減小佔用空間及降低成本。

SK Hynix全新推出的 4D NAND 採用 Charge Trap Flash（CTF）設計，使儲存單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。與傳統架構相比，4D NAND 的 PUC（Periphery Under Cell）位於儲存單元下方，可縮小晶片的面積、縮短處理工時、降低成本，因此在未來可以製造容量高達 64TB 的 U.2 SSD。

SK Hynix 4D NAND 初期是 96 層堆疊的 512Gb TLC，I/O 接口速度 1.2Gbps（ONFi 4.1標準），預計將在今年 Q4 送樣，SK Hynix 將基於 4D NAND 推出BGA 封裝（16mmx20mm）容量高達 2TB 的 SSD，U.2 eSSD 容量可達 64TB，預計將在 2019 上半年送樣。