傳統 HDD 機械硬碟速度太慢，但 SSD 固態硬碟的讀寫次數有限，而 NAND Flash 堆疊已達 100+，未來發展恐難避免瓶頸挾制，究竟有沒有新的方案可以替代呢?! 為了解決以上問題，Samsung 在今年三月份宣佈量產首款商用的 8Mb 容量的 eMRAM，為，而最近再有哨消息指 Samsung 已經開始生產 1Gb 容量 eMRAM，良率已經達到 90%，使得 eMRAM 實用性大大提升。

早在 2013 年，Samsung 已成功量產 3D NAND Flash，經過從 2D 向 3D 轉換的“青黃不接”之後，進入 2018 年，3D NAND 產能大規模爆發，現在已經實現了 128 層 NAND Flash 量產。

不過隨著 NAND Flash 堆疊層數的增加，對鍍膜均勻性和蝕刻縱深比的要求越來越高，工藝越來越複雜將造成良率越來越低，產品成本將會隨之增加。一旦成本增加到不足以支撐廠商在激烈的市場競爭中保持優勢地位時，這種工藝就將要面臨淘汰。

雖然 Intel 主要是為 PC 行業提供半導體晶片、處理器等相關的產品，但作為上游廠商來說，Intel 還會通過新技術研發幫助 PC 廠商推動產品創新發展。最新有消息指，Intel 將會在 CES 2020 大會上宣佈一種新的散熱模組設計，能夠提高行動電腦 25% - 30% 的散熱效能，預計在 CES 2020 期間將會有不少的品牌展示使用該創新的產品。

在 2019 年 Intel 公佈了 Project Athena 計劃，作為 Ultrabook 後最大的一次創新，Intel 為 Project Athena 計劃範疇內的行動電腦產品製定了六項關鍵體驗指標，只有符合這些嚴格指標的產品，才能被列入到 Project Athena 計劃之中，這也使得 Project Athena 計劃中的行動電腦，幾乎都是目前市面上最為先進的產品。

從本質上，Project Athena 旨在智能地跟蹤用戶在行動電腦上需要什麼而設計的，這樣配備的機器可以在一秒鐘內喚醒、處於連接待機狀態、提供遠場語音服務並調整電池性能，同時還支援 OpenVINO AI 及 WinML。

在過去多年 NVIDIA 及 AMD 兩大巨頭在 GPU 領域針鋒相對，GeForce 系列、 Radeon 系列繪圖卡互為競爭對手，經常“打”得不亦樂乎，雖然在性能上始終仍是 N 卡存在較大的優勢，不過 Microsoft 及 SONY 兩大遊戲主機廠商仍是選擇與 AMD 合作，在 2020 年推出基於 AMD 的 Zen 2+ Navi 架構處理器的 Xbox Series X 及 PlayStation 5 遊戲主機，未知是否因為 Microsoft 及 SONY 選擇 AMD 而激怒了 NVIDIA，近日在蘇州舉行的 GTC China 2019 大會上，老黃竟然嘲諷下代遊戲主機的性能仍未能超過 RTX 2080 繪圖卡。

在日前中國蘇州舉行的 GTC China 2019 大會上，NVIDIA CEO 黃仁勳向媒體們展示了一張 PPT，主要介紹了 NVIDIA 的 Max-Q 技術，「老黃」指出 Max-Q 技術已經徹底改變了筆記本電腦遊戲市場，目前市面上已經出現了眾多採用了 Max-Q 技術的高階遊戲筆記本，NVIDIA 也憑藉此技術稱霸遊戲筆記本市場多年。

Max-Q 是 NVIDIA 針對移動版 GPU 優化的一項技術，旨在以較少的功耗提升繪圖卡的性能，同時擁有更長的電池續航時間，這在以前的筆記本電腦上是不可能實現的。藉由 Max-Q 技術繪圖卡可以提供更低的功耗水平的同時帶來更低的發熱水平，因此新型的筆記本電腦遊戲就不需要傳統遊戲本大規模的散熱模組，因此重量也相比傳統遊戲本有著大幅度的降低。而搭載具備 MAX-Q 技術繪圖卡的筆記本由於優秀的功耗及發熱控制，在運行遊戲時的風扇轉速也就更低，噪音自然隨之降低。

中國是全球最大的半導體市場，一家就佔了全球市場份額的 1/3，2018 年進口晶片價值 3120 億美元，其中儲存晶片就佔了 1230 億美元。國內的記憶體、NAND Flash 國產率基本為 0，所以這個領域也是國內重點發展，今年合肥長鑫、長江存儲分別在 9 月份量產了記憶體、NAND Flash。

記憶體市場尤其重要，所以合肥長鑫是下了血本的 —— 長鑫內存自主製造項目總投資 1500 億元，將生產國產第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 記憶體晶片，並獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

在長鑫之外，本來還有福建晉華公司的國產記憶體，他們是跟聯電合作的，但是去年被 Micron 起訴，又被美國製裁，導致晉華公司無法獲得至關重要的半導體裝備，現在只能低調，何時量產還是個問題。

根據之前的各方消息，AMD 將會在下個發佈 7nm Ryzen APU 及移動版 Ryzen 4000 系列，基本上 7nm Zen 2 架構已算是功德圓滿，而 AMD 下一步就是推進到 7nm Zen 3 架構，在 11 月的時候 AMD 高級副總裁 Forrest Norrod 在接受華爾街採訪時表明 Zen 3 抱有非常十足的信心，還宣稱 Zen 3 的性能提升將會“完全符合你對全新架構的期望”，最新再有消息指，Zen 3 處理器的浮點性能會大漲 50%，同時 IPC 性能更會比 Zen 2 架構提升 17%，數據可以說是超出意料了。

如無意外的話，AMD 新一代的 Zen 3 架構的處理器將會使用台積電內含 EUV 技術的加強版 7nm + 製程，7nm+ 已經在今年第一季度就開始了量產環節，相比現有 Zen 2 架構採用的 7nm DUV 工藝，可將電晶體密度提升 20%。在設計通上，Zen 3 很大機會繼續使用 Zen2 的小晶片架構設計，核心數目未必會有增長，桌面繼續最多 16 核心、伺服器最多 64 核心。

由於重點並非放在增加核心數目，因此 AMD 將會著重於性能優化為主，新的 Zen 3 架構在同時脈下功耗最多可下降 10%，AMD 官方曾表示 Zen 3 的設計目標就是優異的能耗比，考慮到架構及工藝都不是大改，Zen 3 性能到底能提升多少呢？