Microsoft 在上週表示，已獲美國政府發出許可證，可以向華為出口“大眾市場”軟件，雖然 Microsoft 官方無詳細說明所謂，不過據理解 “大眾軟件” 就是我們所熟識的 Windows 作業系統及 Office 應用程式，而在獲得許可證之後，華為在今早於上海 U+ 時尚藝術中心召開的大會上正式發佈了 MateBook D 系列行動電腦，將會預裝 Windows 10 系统，代表著 Windows 正版系統再次回歸到華為/榮耀筆電上。

根據早前的報導，華為被迫推遲了將已在今年 CES 大會上亮相的新型 Windows 筆記本電腦推出市場，Microsoft 還短暫停止在其商店出售華為的 MateBook X Pro 筆記本電腦，然後又出售華為筆記本電腦的現有庫存。

在「封鎖華為行動」以來，Microsoft 對華為的 Windows 禁令保持低調和沈默，從未發表相關言論，而華為筆記本或將繼續使用 Intel 處理器之類的硬件，但是要儲備 Windows 和 Office 許可證並確保微軟遵守規則則更加困難，而這份獲美國政府批准的新出口許可證亦將緩解這些問題。

在本屆超算大會（SC19）上，NVIDIA 發佈了多項新產品及技術，例如 ARM 伺服器基準設計，作為一個主打 HPC 高性能運算的展會，SC19 當然並不是發佈新款 GPU 的最佳時間，儘管如此，外媒還是在多個廠家的展位上見到了來自 NVIDIA 的新款 GPU，它就是 Tesla V100S。

NVIDIA 在 2017 年 5 月發佈搭載 Volta 架構的處理器 NVIDIA Tesla V100 GPU ，在當時發佈就立即成為「史上最強 GPU」，NVIDIA 第7代 GPU 架構 Volta擁有超過210億個電晶體，是前代 Tesla P100的 1.37倍，核心面積達到創紀錄的 815。

「Tesla V100 GPU」內建 GV100 核心，具備 5120 個 CUDA 單元，核心時脈為 1455MHz，搭載 16GB HBM2 繪圖記憶體，單精度浮點性能高達 15 TFLOPS，雙精度浮點 7.5 TFLOPS，記憶體頻寬 900GB/s 是 P1000 的 2 倍多，提供卓越的速度與擴充性外，還能加速 HPC 與繪圖作業的處理。

Microsoft 於 11 月 12 日開始發布被稱為版本 1909 的 Windows 10 November 2019 更新，在 2019 年 11 月更新中唯一的重大變化是官方為文件管理器加入了全新的搜索體驗。不過據外媒報導，更新完 Windows 10 November 2019 後可能會導致文件管理器出現問題。

Microsoft 全新代號為 19H2 的 Windows 10 November 2019 更新、也被稱為 1909 版，正如之前 Microsoft 宣布 Windows 10 November 2019 更新只是小幅更新，主要是改進系統質量和修復，更新主要新功能包括：鎖屏支援第三方語音助手、日曆面板可以快速添加約會安排、通知設置中有更多圖例等通知設置的優化、Windows Search 搜索支援 OneDrive 內容等。

在 Windows 10 November 2019 更新 1909 版本唯一重大且值得注意的變化是文件資源管理器的新搜索體驗，當在文件資源管理器的搜索框中鍵入時，用戶將會看到建議文件的預覽並且管理器還會搜索儲存在 OneDrive 賬號中的文件。

AMD 第三代 Ryzen 的確為 DIY 玩家帶來很的效能提升，在全新的 ZEN2 架構下核心調度機制也與以往有很大不同，在加速時脈方面引起了很多誤會。AMD 最近就 Ryzen Master 中的最佳內核與 CPPC2 中的首選內核差異進行了解讀。

在 AMD Ryzen Master 軟件當中，用家可以查看到 AMD 出廠前為 Ryzen CPU 標記的體質最佳核心（五角星）以及第二好的核心（圓點），不過有網友發現 Windows 並不總是使用體質最好的核心，這被認為是出現了 BUG。

AMD 最近通過社交媒體澄清：「確定最快的 CPU 核心時，Windows 及 Ryzen Master 都是正確的。Ryzen Master 中顯示了 CPU 中標記的最佳體質（最高 Boost 時脈）核心，衡量因素是電氣特性。而 Windows 10 Scheduler 的核心輪換選擇使用了另外一套對用戶不是非常透明的 CPPC2 機制，同時考慮了熱管理及核心間切換的性能損失，相對更為複雜：為了防止過熱，核心間切換是必須的，而切換策略會影響到性能表現。

中國身為全球最大的半導體市場，但卻必須高度依賴外國進口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 晶片為例，9 成以上都依靠國際大廠，單單在去年中國進口的 3000 多億美元晶片產品中，儲存晶片大概佔了1 /3，價值千億美元的 DRAM、NAND Flash 晶片國產率基本為「零」，其實中國在半導體產業已經部署多年，但距離世界最先進技術仍然存在一段差距。

即使中國近年一直希望走出一條「自家製」路，但肯定這條路並不容易走，以目前全球三大 DRAM 陣營的勢力分佈來看，Samsung、SK -Hynix、Micron 的市佔分別為 46%、29%、21%，意即全球 DRAM 晶片有超過 90% 都掌握在韓美兩國手上，尤其是韓國，手握超過 70% 的 DRAM 晶片，而中國必須成為全球 DRAM 產業除了韓、美以外的第三大勢力，才能平衡產業生態，也才能在全球半導體產業中取得上桌談判的資格。

不過，中國晶片業在美國貿易制裁壓力下，正加緊記憶體晶片生產，如中國記憶體晶片廠長江存儲預計，於 2016 年開始建設並耗資 240 億美元的武漢新工廠，到明年年底的 NAND Flash 快閃記憶體月產量將增加 3 倍，達每月 6 萬片晶圓。