TSMC 18 日於 ISSCC 2021 大會上透露了更多 TSMC 制程工藝的進展，據執行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技術進度超出預期，預期將會提前至 2021 年下半年正式試產、2022 年正式量產。

據了解，無論是 TSMC 或是 SAMSUNG，半導體制程均已推進至 3nm 級別，技術研發基本上已完成，剩下來是產能和良率問題了，但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰，因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝，TSMC 做法則比較保守，選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝，所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

與 5nm 制程相比， TSMC 3nm 的電晶體管密度提升70%，時脈提升 11% 或者功耗降低 27%，表現相當出色。

2020 世界半導體大會 26 日正式舉行，TSMC 除了公佈了 6nm、5nm、3nm 制程的進度外，亦首次談及了 2nm 制程研發，TSMC 2nm 將會首次導入 GAA 環繞閘極工藝，將會投入 8,000 工程師專門針對 2nm 進行研發，並會在台灣新竹興建 2nm 廠房，2nm 將會是 TSMC 能否持續領先的關鍵之役。

據了解，無論是 TSMC 或是 SAMSUNG，半導體制程均已推進至 3nm 級別，技術研發基本上已完成，剩下來是產能和良率問題了，但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰，因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝，TSMC 做法則比較保守，選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝，所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

現時大部份 14nm 或以上制程均是採用 FinFET 鰭片式電晶體，當前的微縮製程走到3nm，將會面臨新的物理極限，除非改用 GAA 環繞閘極工藝結構，否則摩爾定律就很難再維持下去，GAA 環繞閘極工藝成為了兵家必爭之地。

2020 世界半導體大會 26 日正式舉行，TSMC (南京) 總經理羅鎮球透露了更多未來 3nm 制程的消息，TSMC 在 3nm 進度比預期理想，預計會在 2021 年下半進入風險試產階段，可望 2022 年可進入大規模量產，在半導體制程技術上繼續保持領導地位。

早前，TSMC 已在第 26 屆技術研討會上已確認了 7nm 的改良版 6nm (N6) 已經開始量產，其電晶體密度提升接近 20%，5nm 則完成了生態系統設計，並且已有客戶開始在 5nm 技術基礎上設計產品，現正進行 5nm 風險試產，預計年底可進入量產期，首先會應用在智能手機晶片上。

此外， 3nm 研發進度比預期理想，預期 2021 年下半年可進入風險試產，並看到 3nm 晶片出現市場上，並且將於 2022 年實現 3nm 大規模量產，相較 5nm 制程技術，TSMC 3nm 將可降低 25~30% 功耗，同時帶來 10~15% 的性能提升。

TSMC 21 日於宣佈達成新里程碑，7nm 制程自 2018 年 4 月正式量產，至今已接到數十家客戶、合共超過 100 款不同的晶片，截至今年 7 月共生產了 10 億顆沒有缺憾、功能完好的 7nm 晶片，相等於鋪滿 13 個美國曼哈頓市中心

據 TSMC 指出，使用 7nm 制程的晶片通常都是 10 億電晶體以上的架構，所以從晶體管的角度，累計也超過了百億億的規模，首批下單 TSMC 7nm 的客戶包括 AMD、Apple、Xlinx、Huawei 等等。

TSMC 透露，已率先將 EUV 極紫外光刻 技術導入 7nm 生產並為未來 5nm 作出準備，另外 7nm 的改良版 6nm (N6) 已經開始量產，其電晶體密度提升接近 20%，對比 Intel 7 月宣佈將 7nm 量產延至 2023 年 .................

據《Bloomberg》的報導，TSMC 台積電在 7 月 16 日晚的業績說明會上正式對外宣佈，在遵從美國新頒布的出口管制法規由 5 月 15 日起已經暫停接收華為的新訂單，若果美國政府對華為的製裁不變，公司將在 9 月 14 日之後停止對華為的供貨。

按照美國商務部日在 5 月 15 日宣佈的新出口管制規定，限制中國華為使用包含美國技術、軟體或材料所進行生產或設計的晶片。規定還要求如果晶圓代工廠向華為提供使用了

由於台積電生產晶片過程中運用的晶圓刻蝕、清洗等工藝步驟，都需要採用美國的技術，因此，在沒有向美國政府申請及獲得許可的情況下，由 5 月 15 日起不能再處理任何來自華為以及華為旗下的海思半導體公司的新訂單，並且必須在 9 月 14 日之前將原有的訂單完成。