SK-Hynix 最新在其產品目錄中添加了單晶片 16 Gb DDR4 記憶體晶片，這將使單組 DIMM 的最大記憶體容量提高兩倍，受惠於儲存密度的增加，讓 SK-Hynix 可以將更少的儲存器半導體裸片銷售相同容量的晶片，並能夠像以前一樣提高相同儲存器晶片的最大容量。

由於記憶體晶片的數量減少 ，單晶片16 Gb DDR4 記憶體的優點能夠提供更低的功耗，以及將兩個 64GB 模組、四列 128 GB LRDIMM 及八列 256 GB LRDIMM 組合在一起的可能性，將可讓 Intel 或 AMD 伺服器平台上的最大記憶體容量翻倍，例如，EPYC 系統可能會達到 4TB 記憶體容量。

Rambus 日前宣佈推出面向高性能應用的 GDDR6（圖形雙倍數據速率）記憶體 PHY IP Core，將用於包括 Crypto Mining 加密貨幣挖掘、人工智能（AI）、ADAS（高級駕駛員輔助系統）及網絡，利用近 30 年的高速接口設計專業知識和先進的FinFET工藝節點，同時利用現有的封裝和測試技術，Rambus GDDR6 PHY 架構將提供業界最高達 16 Gbps 的速度。

Rambus 記憶體與介面部門資深副總裁暨總經理 Luc Seraphin 表示，“我們很高興能與記憶體合作夥伴攜手，提供最佳的 GDDR6 記憶體解決方案。GDDR6提供的高頻寬最早是為高性能顯示卡而設計，而使其成為人工智慧、ADAS（先進駕駛輔助系統）及高速網路等其他數據密集應用的理想選擇。我們在高速介面設計領域已累積近30年的經驗，很自豪是第一家為GDDR6提供PHY解決方案的 IP 供應商，奠定我們在產業標準的領先地位。”

Rambus GDDR6 記憶體 PHY 技術提供了 GDDR6 物理層兼容行業標準，可滿足 ASIC、SoC 佈局需求，速度支援 12Gbps、14Gbps、16Gbps，兩個 16 位通道高最大頻寬 512G bps。

Micron 在今日正式宣布與 Rambus、Northwest Logic 和 Avery Design 合作，為全球最快的獨立儲存器 GDDR6 提供全面的解決方案，這種首創的解決方案將使 GDDR6 可用於高性能網絡、自動駕駛汽車、人工智能和 5G 基礎設施等高級應用。

全新 GDDR6 全面的解決方案匯集了每家公司獨特的技術去解決問題，使 GDDR6 的覆蓋範圍及效益遠遠超出了傳統的圖形市場。

GDDR6 PHY ( Rambus )

Intel 剛剛完結的在 CES 2018 大會上宣佈推出 800P Optane 系列消費級 SSD，最新有消息指一些新的 Optane 高速緩存模組已經出現在網上多家在線零售商的網站上，全新的 Optane 模組以“M10”命名，並將提供高達 64GB 的容量。

M10 系列 SSD 將採用 M.2 2280 規格，並使用 PCIe 3.0 介面，可用於儲存經常使用的數據，而不太經常使用或讀寫的數據則儲存在較慢的儲存產品之中，如傳統的 SSD 或 HDD。

Optane SSD 採用了 Intel 3D Xpoint 技術，可以確保相較於傳統 SSD 擁有更低延遲及更高的吞吐量，因此售價亦較一般傳統 SSD 更貴。

Samsung 在 18 日正式宣佈已經開始量產業內首個 GDDR6 16Gb 繪圖卡記憶體，每個引腳可管理 18Gbit/s，主要用於遊戲設備、高級圖形處理繪圖卡、汽車、網絡及人工智能系統，新的解決方案將能夠以 72 GBps 的數據傳輸速度執行 18 GBps 頻寬。

Samsung全新 GDDR6 記憶體採用 Samsung 先進的10nm 級工藝技術，具有 16 Gb 的密度 ( 2 GB ) ，是上代 Samsung 20nm 8 Gb GDDR5 記憶體的兩倍。新的解決方案以 18 Gbps 的引腳速度執行，數據傳輸速度為 72 GBps，與 8 Gbps 引腳速度相比，其速度超過 8 GB GDDR5 的兩倍以上。

新型 GDDR6 記憶體採用創新的低功耗電路設計，工作電壓為 1.35V，與廣泛使用的 1.55V GDDR5 相比，能耗降低約 35%，與 20nm 8Gb GDDR5 相比，10nm 16Gb GDDR6 也帶來了 30% 的製造效率提升。