記憶體近年成為中國重點發展的項目之一，日前有網上有消息指中國「紫光國芯」研發出中國第一條自主的 PC DDR4 記憶體，然而「紫光國芯」最新接受內地媒體的訪問，表明 DDR4 記憶體儲器晶片及模組目前仍處於研發階段，並非如消息報導指已大量上市。

根據網上的圖片，可見該記憶體貼上 UnilC「紫光國芯」的標識，單條容量為 4GB，用上裸條設計未有配上任何散熱片。

「西安紫光國芯半導體有限公司」的核心業務是儲存器設計開發，自有品牌儲存器產品量產銷售，以及專用集成電路設計開發服務。今年 1 月紫光集團投資2000 億元在南京建設半導體產業基地，一期建成後將是中國規模最大的芯片製造工廠，月產晶圓 10 萬片。去年 7 月，紫光還參與了長江存儲的投資，後者計劃總投資 1600 億元，打造國產 3D NAND Flash，還組建了 500 人的研發團隊，主攻 DRAM 記憶製造技術。

Micron 最新宣佈將計劃在整個 GPU 業務中積極採用 GDDR6 技術，GDDR6 繪圖記憶體已經完成所有的設計工作並通過了內部驗證，首發的分別是針腳頻寬 12Gbps 及 14Gbps 的晶片，GDDR6 的推出對於主流 PC 繪圖卡業務具有重大意義，但 GDDR5 仍然是主流的記憶體架構，並將由續步由舊一代 GDDR5 繪圖記憶體轉向即將於 2018 年上半年發佈的 GDDR6。

GDDR5 在 2008 年首次推出，其仍然佔據了 300 美元以下價格的個人電腦繪圖卡行業，隨著 VR 及 4K 雙雙進入主流市場，是時候提升 GDDR5 所提供的記憶體頻寬及容量，因此於 2016 年推出了 GDDR5X 增加高階頻寬作短暫的緩衝，但 AMD 及 NVIDIA 的繪圖卡亦需要新一代的解決方案，以滿足不斷增加的高繪圖能力需求。

根據上圖顯然， GDDR5X 及 GDDR6 這兩種設計的數據速率是相同的，但 GDDR6 有兩個完全獨立的記憶體通道，可根據需讀取或寫入數據，將有效提高整體的記憶體效率，同時 Access granularity 也有所改善由6 4 bytes 至 32 bytes。正如 GDDR5 與舊款繪圖卡相比，各級繪圖記憶體頻寬都得到了大幅提升，GDDR6 也將有助提升低階及中階繪圖卡的性能。

中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域，中國包含晉華電子、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。

TrendForce 指出，中國記憶體產業的發展，儘管早期如紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終，或是併購相關技術母廠多失敗收場，但中國積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日韓的技術人才皆為中國半導體廠目標，並且從技術授權轉為自主研發，處處可見中國進軍記憶體的強烈決心。

從記憶體中的 DRAM 產業來看，中國在發展記憶體領域中的策略上已有逐步收斂之勢，並非雜亂無章。以技術布局的角度觀察，中國 DRAM 領域中除了繪圖用記憶體未有廠商布局，其他都有廠商按照計畫發展中。

Samsung 在今天宣布已經開始批量生產業界首款第二代10nm級 別 ( 1y-nm )、8 GB DDR4 記憶體產品，第二代產品比第一代 10nm 級別的 8Gb DDR4，提高了 30% 的生產力，同時性能及功耗提高亦有約 10% 及 15% 的提升。

Samsung 第二代 10nm 級別採用了先進的專有電路設計技術，新款 8GB DDR4 的每個引腳運行速率為 3,600Mbps，而 Samsung 1x-nm 8Gb DDR4 的速度為 3200Mbps。為了實現更高的性能表現，Samsung 並非使用 EUV 工藝而是應用了全新技術，包括使用高靈敏度的細胞數據傳感系統和漸進的「Air Spacer 空氣間隔」方式。

Samsung 第二代 10 nm 級 DRAM 的單元中，新設計的數據傳感系統可以更準確地確定每個單元中的儲存數據，從而顯著提高電路集成度及製造生產率。新的10nm級DRAM也採用了一個獨特的「Air Spacer空氣間隔」方式，放置在位元線周圍大大降低了雜散電容。

由於 DRAM 記憶體全球供應短缺導致記憶體價格在 2017 年不斷飆升，讓不少 DIY 用家在平台升級時都「望而卻步」，內地媒體 mydrivers 最新為 2018 年的記憶體狀況作出分析，各大廠商在 2017 年後半年開始增加產能，在最近一個多月記憶體價格開始普遍下降，預料 2018 年將成轉折點。

Mydrivers 指出，在過去一年間記憶體市場嚴重短缺讓需求大漲，越是在供應不足、售價上漲的情況下，部份廠商越不願意出貨，反而囤積居奇，有些經銷商也是如此。手頭有貨也不出，賭的就是價格繼續漲，而廠商、經銷商人為的限制出貨，又進一步加大了市場空缺，從而形成了惡性循環，要想徹底解決記憶體漲價問題，還需要讓市場回到供應平衡的狀態。

各大廠商包括 Samsung、Micron、SK Hynix 等在 2017 年投入大量預算進行新工廠建設，可以說全球主要的記憶體、NAND Flash 廠商這一兩年都宣佈了新的工廠擴建計劃，大部分工廠會在 2018 年投產。