2021-02-19
密度較 5nm 提升 70% 功耗降低 27%
TSMC 3nm 進度大超前 明年正式量產
文: Matthew Chan / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 半導體 TSMC

TSMC 18 日於 ISSCC 2021 大會上透露了更多 TSMC 制程工藝的進展,據執行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技術進度超出預期,預期將會提前至 2021 年下半年正式試產、2022 年正式量產。

 

據了解,無論是 TSMC 或是 SAMSUNG,半導體制程均已推進至 3nm 級別,技術研發基本上已完成,剩下來是產能和良率問題了,但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰,因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝,TSMC 做法則比較保守,選擇在 2nm  制程才導入 GAA 環繞閘極工藝,所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

 

與 5nm 制程相比, TSMC 3nm 的電晶體管密度提升70%,時脈提升 11% 或者功耗降低 27%,表現相當出色。

 

此外,TSMC 表示他們在 EUV 光源技術獲得突破,光源可達350W,不僅能用於 5nm 制程 ,甚至未來可以用於 1nm 制程。

 

 

 

TSMC

 

 

 

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