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無天災無人禍,DRAM 跌價再等等吧!! Samsung 預期需求下降有意緩減 DRAM 產量
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DRAM 及 NAND 的價格在過去幾年間持續上漲,各主要供應商都渡過了一段豐收的黃金時代,在今年年初,Samsung 更樂觀地認為在 2018 年 DRAM 及 NAND 的 Bit growth 位元成長率增長將分別上升 20% 和 40%,然而 Samsung 預測看起來非常嚴峻,據 Bloomberg 最新發佈的一份報告顯示,由於預期需求下降,Samsung 正準備在 2019 年緩減其記憶體晶片的產量。

根據 Samsung 最新的預測,預計 DRAM Bit growth 位元成長率增長將低於預期不到 20%,而 NAND 的增長則為 30% ,為了避免投資者對潛在經濟衰退的擔憂,因此 Samsung 正準備緩減記憶體晶片生產限制供應,在需求放緩的情況下仍然可保持供應緊絀及維持價格在理想水平。

Bloomberg Intelligence 駐香港的分析師 Anthea Lai 表示,“如果 Samsung 確實削減其 DRAM 位元成長率增長率,那麼該公司對目前的寡頭壟斷市場結構感到滿意。” 他進一步闡述說:“Samsung 更傾向於保持供應緊張和價格高,而不是佔據市場份額並冒著降低價格的風險,因此 DRAM 價格保持強勁的可能性更高。”
Samsung 半導體廠二氧化碳洩漏 釀成一死兩傷,事故原因仍在調查中
文章索引: Samsung
早幾日才報導過記憶體儲存研究機構 DRAMeXchange 指 PC DRAM 將在年底開始降價,在另一邊廂就有半導體廠房意外發生,Samsung 位於首爾南方 Suwon 水原市的晶片工廠在本週二疑似洩漏二氧化碳,導致一名工人死亡、兩人受傷,Samsung 官方正在調查事故原因,暫時未公佈晶片工廠運作會否受影響。

據了解,本次事故在週二下午 3 點 40 分發生在 Samsung 位於首爾 Suwon 南方水源市的晶片工廠地下室, 設備洩漏的二氧化碳導致了事故的發生,當救援人員趕到現場時,一名 24 歲的姓李的工人被發現死亡,另外兩名年齡分別為 26 歲和 54 歲的工人已處於昏迷,並立即送住醫院救治療。

Samsung 表示,「相信死因是由於二氧化碳洩漏導致的窒息」,並已成立專門工作組對事故原因進行深入調查。消息指,三人同屬 Samsung 外部承包商的員工,事發前正在檢測工廠內氣體相關設施,懷疑因二氧化碳設備洩漏釀成意外。
【組建 128GB/256GB 系統記憶體不遠矣】 Samsung 發佈消費級 DDR4-2666 32GB 記憶體
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為了滿足追求高容量的消費級用家, Samsung 悄然在旗下的記憶體陣容中加了 32GB UDIMM 無緩衝 DDR4 記憶體模組,全新的32GB UDIMM DDR4 記憶體採用 Samsung 10nm 工藝打造,由 16 顆 DDR4 記憶體顆粒組成,時脈為 2666MHz,用家在日後就可以在高階平台上實現 128GB、甚至 256GB 系統記憶體。

Samsung 全新 32GB UDIMM DDR4 記憶體是基於今年較早時候發佈的 16 Gb 晶片,並已經用於生產 32GB SO-DIMM及64 GB RDIMM 記憶體產品,有別於高容量的記憶體主要為伺服器系統而生,這款32 GB UDIMM DDR4記憶體屬於 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組,正正是針對消費級桌面 PC 平台。

Samsung 指出,編號為「M378A4G43MB1-CTD」的單條 32GB UDIMM DDR4 記憶體適用於各種應用,可在滿足低功耗要求的同時提供出色性能,該記憶體採用了採用了 16顆 Samsung M-die 16Gb ( 2GB ) DDR4 記憶體顆粒,組成 32GB 容量,在標準 1.2 V 電壓下提供 DDR4-2666 MHz 時脈,官方未有公佈記憶體的時序,但估計將使用了 DDR4-2666 的標準 JEDEC 時序 CL17 或更高,Samsung 表示使用 16Gb 顆粒的記憶體模塊會比使用 8Gb 顆粒的同容量記憶體更為節能。
Thunderbolt 3 介面、最高 2,800 MB/s 讀取 Samsung 發佈旗下首款 NVMe 移動 SSD「X5」
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Samsung 最新宣佈推出基於 NVMe 的便攜式 SSD 固態硬盤「X5」,是首款 Samsung SSD 產品基於尖端的 Thunderbolt 3 技術,「X5 SSD」為外部儲存解決方案實現了更高水平的性能及可靠性,在緊湊和耐用的外形中具有出色的速度,使其成為移動內容創作者和 IT 專業人士的理想便攜式儲存裝置,以便更快地傳輸大數據文件,從而節省用戶的寶貴時間。

Samsung 全新「X5 SSD」特別為需要快速便捷的儲存及數據傳輸的用家而設,整體尺寸為 119 x 62 x 19.77mm,重量約 150g,備有 500GB、1TB、2TB 儲存容量。「X5 SSD」靈感來自超級跑車,外殼以全金屬打造,正面採用了銀黑色鏡面設計,側面的接口及底部就用上鮮紅色,設計富有時尚感。

「X5 SSD」首次支援 NVMe 協議並配備 Thunderbolt 3 高速接口,兼容配備 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 設備,讀寫速度最高可達 2,800 MB/s、2,300 MB/s,是 SATA 接口移動 SSD 的 5.2 倍、普通移動硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍傳輸速度,只需 12 秒即可將 20GB 4K UHD 視頻從 PC 傳輸到 X5。
14 Gbps 頻率、數據傳輸可達 56GB/s  Samsung GDDR6 提高 NVIDIA 新繪圖卡效能
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相信大家都非常期待 NVIDIA 下星期推出的新一代繪圖卡產品,新產品除了很大機會採用全新架構之外,有消息亦指將會內建新的 GDDR6 記憶體,明顯較 GTX10 系列升級不少,在揭曉新遊戲繪圖卡之前,NVIDIA 就率先發佈全新專業級繪圖卡 Quadro RTX GPU 系列,就正正採用了由 Samsung 提供的 GDDR6 記憶體,Samsung 新一代的 16Gb GDDR6 記憶體比上代 20nm 8Gb GDDR5 的設備容量翻了一番,傳輸速率可達 56GB/s,並提供快 75% 的傳送速度。

Samsung 最新宣佈正為 NVIDIA 全新 Quadro RTX GPU 提供 GDDR6 記憶體,得益於 Samsung 業界領先的 16Gb GDDR6 記憶體用戶可以在最廣泛的圖形密集型應用程式中獲得更高的效能,包括運算機輔助設計(CAD)、數字內容創建(DCC)和科學可視化應用程式,Samsung 16Gb GDDR6 還可用於快速發展的領域,如 8K 超高清視頻處理、VR 虛擬實境、AR 增強實境及 AI 人工智能等領域。

據 Samsung 資料指出,全新 16Gb 容量的 GDDR6 是現時首款可用於的圖形市場的記憶體,採用 Samsung 10nm 級工藝技術,比上代 20nm 8Gb GDDR5 記憶體容量增加了一倍,新解決方案的速度為 14Gbps,數據傳輸速率為 56 GB/s,與 8Gb GDDR5 相比速度提升了 75%。此外,Samsung GDDR6 的功耗比 GDDR5 圖形解決方案低 35%。採用最先進的低功耗電路設計,Samsung 16Gb GDDR6 的工作電壓為 1.35V,而目前市場上常見的 GDDR5 功耗的電壓為 1.55V。
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