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【腦場掃地僧 ㊙️】間代理麻煩過 HE !! 買三叔 860 EVO / 970 EVO PLUS 記得留盒
文章索引: Samsung
三叔嘅 860 EVO / 970 EVO PLUS 雖然賣得唔平,但卻不乏玩家追捧,主要係 V-NAND TLC 寫入壽命較長,加上 5年保養、好多人寧願畀多少少錢都出佢。

腦場好多都係 EASYWALL 代理嘅貨,因為佢番貨最平,不過貧僧收到風呢,間代理麻煩過 HE,唔止要單、仲要有盒,好多 USER 上到去畀佢彈鐘,所以大家記得 Keep 盒啊,再唔係貴少少搵強仔代理貨。

HK$420 (250GB) / HK$649 (500G) / HK$1,160 (1TB)
【📈】單條 256GB 、DDR5-4800 起跳 Samsung 明年大規模量產 DDR5 記憶體
文章索引: Samsung
雖然之前有許多消息稱今年 Intel 及 AMD 都會推出支援 DDR5 記憶體的平台,但是目前來看最快都要等到明年,因為 Samsung 最新宣佈將在 2021 年量產 DDR5 記憶體,並將率先為 DRAM 記憶體顆粒生產引入 EUV 工藝,有望可為新的記憶體帶來更快的速度及更高的性能。

在半導體製造之中,光刻機是不可或缺核心設備,最先進的極紫外光刻機更多用於復雜的邏輯晶片製造及處理器製造中,例如台積電去年 10月宣佈已開始大規模生產基於 7nm+ EUV 光刻技術的晶片,AMD 即將推出的 Zen 3 處理器及 Intel 計劃明年推出的 7nm 產品就會用上 EUV 技術。

EUV 技術是利用波長較短的紫外線將圖案刻入矽中,與傳統的多製版方法相比,EUV 技術具有精度高、減少重複步驟、提高製版精度等優點,將可以實現更好的性能和更少的缺陷晶片的產量,反過來就可降低了晶片製造商的成本,並縮短了開發時間。
【想加價不如直接講!!】今次係火災喎 Samsung 華城晶片廠大火燒足兩個半鐘
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武漢肺炎在全球肆虐,除了中國内地成重災區之外,南韓疫情同樣嚴峻,目前已累計有 7 千多宗確診病例,半導體行業有大量的原材料源於日、韓兩地,記憶體產量或多或少將會可能受阻,而目前 DRAM 價格較 3 個月前低谷期已暴漲 4 成。在 NAND Flash 及 DRAM 報價持續向上的情況下又有「事故」發生了,日前 Samsung 位於華城的半導體廠發生火災,當地居民稱,大火的黑煙覆蓋了週邊地區,最終持續燒足 2 個半小時後才被撲滅。

據了解,位於韓國首爾南部、京畿道華城的工廠是 Samsung 目前最先進的晶片生產基地,主要生產先進極紫外光 EUV 工藝邏輯代工、高階 DRAM、NAND Flash 等產品。

是次火災在 3 月 8 日晚上發生,當地居民表示,發生火災的時候大火的黑煙覆蓋了週邊地區,隨後消防部門就迅速趕到,消防部門出動了 48 輛消防車及 124 名消防員趕到工廠進行滅火。最終大火持續了兩個半小時,在當地時間週一凌晨才被撲滅,消防部門目前正在對起火原因進行調查。
【高達 3.2GB/s!!】1 秒內傳輸 82 部 FHD 影片 Samsung 第三代 HBM2E 記憶體「Flashbolt」
文章索引: Samsung
目前,高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體,至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體,在上週,JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」,作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體,HBM2E 單顆最大容量為 16GB,由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成,單個封裝可實現 16GB 容量,最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度,預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體,HBM2E 是 HBM2 的升級版標準,HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ,在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V,其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s,至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」,電壓依舊保持在 1.2V,不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps,較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範,單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量,將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上,便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。
【齊齊燒大錢?!】晶片設計至少投資 10 億美元 台積電、Samsung 2nm 成本上漲或無人用得起
文章索引: Samsung
「有競爭才會有進步」不但可以在「Intel vs AMD 處理器市場」及「NVIDIA vs AMD 繪圖卡市場」的競爭中可見,其實 TSMC 台積電及 Samsung 兩大晶圓代工廠亦在正在「制程工藝競賽」,目前台積電在晶圓代工行業已把競爭對手的差距拉得非常大,老大的地位毋庸置疑,不過日前有消息指 Samsung 將採用降價策略搶客,而兩廠之爭更延續到 3nm、2nm 工藝,在最樂觀的情況下在 2024 年 2nm 工藝將會正式量產,可惜的是即使解決 2nm 工藝技術研發的難題,但由於成本直線上漲,恐怕全球也沒幾家用得起。

有別於以往間隔多年推出一代全新工藝,兩大晶圓代工廠 TSMC 台積電及 Samsung 都改變打法,一項重大工藝進行部分優化升級之後,就會以更小的數字命名。作為韓系晶片組大廠龍頭的 Samsung 在工藝方面非常激進,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢如破竹準備量產,至於對手 TSMC 在較早前就宣佈的 3nm 製程發展相當順利,後續的 2nm 研發亦開始啟動,預計 2024 年能夠投產。

儘管 10nm 以下晶片製造工藝的突破已經愈加艱難,但 TSMC 台積電作為晶片組領先企業並沒有因此而放緩研發的步伐。在去年 7 月時已宣佈 3nm 製程的開發進展順利,並且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸,預期 3nm 制程可進一步鞏固 TSMC 在行業的領導地位。
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