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Thunderbolt 3 介面、最高 2,800 MB/s 讀取 Samsung 發佈旗下首款 NVMe 移動 SSD「X5」
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Samsung 最新宣佈推出基於 NVMe 的便攜式 SSD 固態硬盤「X5」,是首款 Samsung SSD 產品基於尖端的 Thunderbolt 3 技術,「X5 SSD」為外部儲存解決方案實現了更高水平的性能及可靠性,在緊湊和耐用的外形中具有出色的速度,使其成為移動內容創作者和 IT 專業人士的理想便攜式儲存裝置,以便更快地傳輸大數據文件,從而節省用戶的寶貴時間。

Samsung 全新「X5 SSD」特別為需要快速便捷的儲存及數據傳輸的用家而設,整體尺寸為 119 x 62 x 19.77mm,重量約 150g,備有 500GB、1TB、2TB 儲存容量。「X5 SSD」靈感來自超級跑車,外殼以全金屬打造,正面採用了銀黑色鏡面設計,側面的接口及底部就用上鮮紅色,設計富有時尚感。

「X5 SSD」首次支援 NVMe 協議並配備 Thunderbolt 3 高速接口,兼容配備 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 設備,讀寫速度最高可達 2,800 MB/s、2,300 MB/s,是 SATA 接口移動 SSD 的 5.2 倍、普通移動硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍傳輸速度,只需 12 秒即可將 20GB 4K UHD 視頻從 PC 傳輸到 X5。
14 Gbps 頻率、數據傳輸可達 56GB/s  Samsung GDDR6 提高 NVIDIA 新繪圖卡效能
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相信大家都非常期待 NVIDIA 下星期推出的新一代繪圖卡產品,新產品除了很大機會採用全新架構之外,有消息亦指將會內建新的 GDDR6 記憶體,明顯較 GTX10 系列升級不少,在揭曉新遊戲繪圖卡之前,NVIDIA 就率先發佈全新專業級繪圖卡 Quadro RTX GPU 系列,就正正採用了由 Samsung 提供的 GDDR6 記憶體,Samsung 新一代的 16Gb GDDR6 記憶體比上代 20nm 8Gb GDDR5 的設備容量翻了一番,傳輸速率可達 56GB/s,並提供快 75% 的傳送速度。

Samsung 最新宣佈正為 NVIDIA 全新 Quadro RTX GPU 提供 GDDR6 記憶體,得益於 Samsung 業界領先的 16Gb GDDR6 記憶體用戶可以在最廣泛的圖形密集型應用程式中獲得更高的效能,包括運算機輔助設計(CAD)、數字內容創建(DCC)和科學可視化應用程式,Samsung 16Gb GDDR6 還可用於快速發展的領域,如 8K 超高清視頻處理、VR 虛擬實境、AR 增強實境及 AI 人工智能等領域。

據 Samsung 資料指出,全新 16Gb 容量的 GDDR6 是現時首款可用於的圖形市場的記憶體,採用 Samsung 10nm 級工藝技術,比上代 20nm 8Gb GDDR5 記憶體容量增加了一倍,新解決方案的速度為 14Gbps,數據傳輸速率為 56 GB/s,與 8Gb GDDR5 相比速度提升了 75%。此外,Samsung GDDR6 的功耗比 GDDR5 圖形解決方案低 35%。採用最先進的低功耗電路設計,Samsung 16Gb GDDR6 的工作電壓為 1.35V,而目前市場上常見的 GDDR5 功耗的電壓為 1.55V。
韓國兩大巨擘 Samsung、Hynix 賺到笑 預計 2018 年全球 DRAM 產值將破 1000 億美元
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這過去的兩年時間,DRAM、NAND Flash 價格持續飆升,兩大行業的晶片廠賺得盆滿缽滿,即使在 2018 年 NAND Flash 有降價的跡象,但是市場需求持續異常旺盛,DRAM 更不用說。根據市調機構IC Insight的最新報告,2018 年全球 DRAM 記憶體晶片產業總價值預計將達 1016 億美元,將是歷史上首次單個領域的 IC 產業價值突破 1000 億美元大關,NAND 行業產值有望達到 626 億美元。

IC Insights 日前發佈的《The McClean Report》報告中分析及預測了全球 IC 晶片產業的情況,在 2018 年全球前 DRAM 產業總價值預計將達 1016 億美元,年增幅高達 39%,蟬聯今年的冠軍,佔全年整個IC行業的多達 24%。NAND Flash 行業排名第二,產值有望達到 626 億美元,與 DRAM 行業合計 428 億美元,佔全產業的 38% 之多。

第三位的則是標準 PC、伺服器微處理器,市場價值為 507.8 億美元,年增幅僅 5%。即便如此,也是該行業連續兩年創造新高了。之後是運算晶片、無線通訊晶片,分別為 276、160 億美元左右。
基於 64 層 QLC V-NAND、最大 4TB 容量 Samsung 批量生產全新消費級 QLC SSD
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繼日前在網上洩露 Intel 將會推出採用 QLC 技術的消費級「 SSD 660p 」產品後,Samsung 最新亦宣佈將會帶來基於 QLC V-NAND 記憶體的消費級 SSD,採用 1 Tb 64-layer QLC V-NAND flash,容量最高可達 4TB,適用於具有SATA接口的主流 PC 系統。

Samsung 全新 QLC SSD 基於 1 Tb 64 層 QLC V-NAND Flash,備有 1TB、2TB 及 4TB 容量選擇,最多可支援 32 個 NAND 晶片。全新的 QLC SSD 採用 2.5 吋、7mm 厚度,與具有 SATA 連接器的台式機及筆記本電腦兼容,Samsung 表示將會在今年稍後時間推出基於 QLC V-NAND 記憶體的 M.2 固態硬盤。

傳輸速度方面,全新的 Samsung QLC SSD 在啟用 TurboWrite SLC Cache 緩存技術下,可以提供高達 540 MB/s 的連續讀取速度以及高達 520 MB/s 的連續寫入速度,4K 隨機 I/O 速度則未有提供。
1Tb 核心容量 V-NAND 準備就緒 Samsung 32TB 超大容量 SSD 今年問世
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在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息,作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND,每個晶片的容量達到1Tbit,同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢,在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND,而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產,全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。

同時,Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片,Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率,並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。
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