DRAM 及 NAND 的價格在過去幾年間持續上漲，各主要供應商都渡過了一段豐收的黃金時代，在今年年初，Samsung 更樂觀地認為在 2018 年 DRAM 及 NAND 的 Bit growth 位元成長率增長將分別上升 20% 和 40%，然而 Samsung 預測看起來非常嚴峻，據 Bloomberg 最新發佈的一份報告顯示，由於預期需求下降，Samsung 正準備在 2019 年緩減其記憶體晶片的產量。

根據 Samsung 最新的預測，預計 DRAM Bit growth 位元成長率增長將低於預期不到 20%，而 NAND 的增長則為 30% ，為了避免投資者對潛在經濟衰退的擔憂，因此 Samsung 正準備緩減記憶體晶片生產限制供應，在需求放緩的情況下仍然可保持供應緊絀及維持價格在理想水平。

Bloomberg Intelligence 駐香港的分析師 Anthea Lai 表示，“如果 Samsung 確實削減其 DRAM 位元成長率增長率，那麼該公司對目前的寡頭壟斷市場結構感到滿意。” 他進一步闡述說：“Samsung 更傾向於保持供應緊張和價格高，而不是佔據市場份額並冒著降低價格的風險，因此 DRAM 價格保持強勁的可能性更高。”

早幾日才報導過記憶體儲存研究機構 DRAMeXchange 指 PC DRAM 將在年底開始降價，在另一邊廂就有半導體廠房意外發生，Samsung 位於首爾南方 Suwon 水原市的晶片工廠在本週二疑似洩漏二氧化碳，導致一名工人死亡、兩人受傷，Samsung 官方正在調查事故原因，暫時未公佈晶片工廠運作會否受影響。

據了解，本次事故在週二下午 3 點 40 分發生在 Samsung 位於首爾 Suwon 南方水源市的晶片工廠地下室， 設備洩漏的二氧化碳導致了事故的發生，當救援人員趕到現場時，一名 24 歲的姓李的工人被發現死亡，另外兩名年齡分別為 26 歲和 54 歲的工人已處於昏迷，並立即送住醫院救治療。

Samsung 表示，「相信死因是由於二氧化碳洩漏導致的窒息」，並已成立專門工作組對事故原因進行深入調查。消息指，三人同屬 Samsung 外部承包商的員工，事發前正在檢測工廠內氣體相關設施，懷疑因二氧化碳設備洩漏釀成意外。

為了滿足追求高容量的消費級用家， Samsung 悄然在旗下的記憶體陣容中加了 32GB UDIMM 無緩衝 DDR4 記憶體模組，全新的32GB UDIMM DDR4 記憶體採用 Samsung 10nm 工藝打造，由 16 顆 DDR4 記憶體顆粒組成，時脈為 2666MHz，用家在日後就可以在高階平台上實現 128GB、甚至 256GB 系統記憶體。

Samsung 全新 32GB UDIMM DDR4 記憶體是基於今年較早時候發佈的 16 Gb 晶片，並已經用於生產 32GB SO-DIMM及64 GB RDIMM 記憶體產品，有別於高容量的記憶體主要為伺服器系統而生，這款32 GB UDIMM DDR4記憶體屬於 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組，正正是針對消費級桌面 PC 平台。

Samsung 指出，編號為「M378A4G43MB1-CTD」的單條 32GB UDIMM DDR4 記憶體適用於各種應用，可在滿足低功耗要求的同時提供出色性能，該記憶體採用了採用了 16顆 Samsung M-die 16Gb ( 2GB ) DDR4 記憶體顆粒，組成 32GB 容量，在標準 1.2 V 電壓下提供 DDR4-2666 MHz 時脈，官方未有公佈記憶體的時序，但估計將使用了 DDR4-2666 的標準 JEDEC 時序 CL17 或更高，Samsung 表示使用 16Gb 顆粒的記憶體模塊會比使用 8Gb 顆粒的同容量記憶體更為節能。

Samsung 最新宣佈推出基於 NVMe 的便攜式 SSD 固態硬盤「X5」，是首款 Samsung SSD 產品基於尖端的 Thunderbolt 3 技術，「X5 SSD」為外部儲存解決方案實現了更高水平的性能及可靠性，在緊湊和耐用的外形中具有出色的速度，使其成為移動內容創作者和 IT 專業人士的理想便攜式儲存裝置，以便更快地傳輸大數據文件，從而節省用戶的寶貴時間。

Samsung 全新「X5 SSD」特別為需要快速便捷的儲存及數據傳輸的用家而設，整體尺寸為 119 x 62 x 19.77mm，重量約 150g，備有 500GB、1TB、2TB 儲存容量。「X5 SSD」靈感來自超級跑車，外殼以全金屬打造，正面採用了銀黑色鏡面設計，側面的接口及底部就用上鮮紅色，設計富有時尚感。

「X5 SSD」首次支援 NVMe 協議並配備 Thunderbolt 3 高速接口，兼容配備 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 設備，讀寫速度最高可達 2,800 MB/s、2,300 MB/s，是 SATA 接口移動 SSD 的 5.2 倍、普通移動硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍傳輸速度，只需 12 秒即可將 20GB 4K UHD 視頻從 PC 傳輸到 X5。

相信大家都非常期待 NVIDIA 下星期推出的新一代繪圖卡產品，新產品除了很大機會採用全新架構之外，有消息亦指將會內建新的 GDDR6 記憶體，明顯較 GTX10 系列升級不少，在揭曉新遊戲繪圖卡之前，NVIDIA 就率先發佈全新專業級繪圖卡 Quadro RTX GPU 系列，就正正採用了由 Samsung 提供的 GDDR6 記憶體，Samsung 新一代的 16Gb GDDR6 記憶體比上代 20nm 8Gb GDDR5 的設備容量翻了一番，傳輸速率可達 56GB/s，並提供快 75% 的傳送速度。

Samsung 最新宣佈正為 NVIDIA 全新 Quadro RTX GPU 提供 GDDR6 記憶體，得益於 Samsung 業界領先的 16Gb GDDR6 記憶體用戶可以在最廣泛的圖形密集型應用程式中獲得更高的效能，包括運算機輔助設計（CAD）、數字內容創建（DCC）和科學可視化應用程式，Samsung 16Gb GDDR6 還可用於快速發展的領域，如 8K 超高清視頻處理、VR 虛擬實境、AR 增強實境及 AI 人工智能等領域。

據 Samsung 資料指出，全新 16Gb 容量的 GDDR6 是現時首款可用於的圖形市場的記憶體，採用 Samsung 10nm 級工藝技術，比上代 20nm 8Gb GDDR5 記憶體容量增加了一倍，新解決方案的速度為 14Gbps，數據傳輸速率為 56 GB/s，與 8Gb GDDR5 相比速度提升了 75%。此外，Samsung GDDR6 的功耗比 GDDR5 圖形解決方案低 35%。採用最先進的低功耗電路設計，Samsung 16Gb GDDR6 的工作電壓為 1.35V，而目前市場上常見的 GDDR5 功耗的電壓為 1.55V。