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【又有藉口漲價?!】瑕疵晶圓或需報廢 Samsung DRAM 工廠發生污染事故
文章索引: Samsung
韓媒 BusinessKorea 在上週報導,Samsung 南韓器興(Giheung)廠,因為 8 吋矽晶圓生產線採用了受到污染的設備,導致產品出現瑕疵。一名三星高層坦承,的確發現瑕疵品,但製程已獲修正,損害規模估計有上億韓元。

其實,今次 Samsung 電子晶圓代工產品傳出發現瑕疵並非第一次,在今年稍早時間,Samsung 第一代 10nm ( 1x nm ) DRAM 產品就曾出現過問題,這次則是晶圓代工業務出事,恐傷及 Samsung 的業界信譽。

據了解,Samsung 8 吋矽晶圓事故在一個星期之前發生,消息稱出問題的並非新的 300mm 晶圓廠,而是 Samsung 位於京畿道器興的工廠,這是一家 Samsung 較小的工廠之一,依然用 200mm 的晶圓生產 1x nm 的 DRAM,所以造成的損失比台積電那次小得多,Samsung 官方承認發現了有缺陷的產品,要處理受污染的幾批晶圓,但是目前生產已經正常化並重回正軌,暫時預估損失約上億韓圜。
【FIP 黑科技,有故障都唔會壞?!】 Samsung 發佈全新“不死”PCIe Gen4 SSD
文章索引: Samsung
「不死鳥」的神話大家都可能有聽過,「不死 SSD」你又聽過未?! SSD 有著高讀寫速度的賣點,不過與傳統硬碟構造完全不同,大家最怕的就是看到 SSD 在毫無任何徵兆提醒的情況下壞掉,為了解決 SSD 突然間掛掉的問題, Samsung 最新宣佈推出號稱「never-die」的新型 SSD「PM1733」及「PM1735」系列,特色是引入了三項能夠提升硬件性能和耐久度的軟件技術創新,當中的 FIP 技術即使在出現晶片級故障的時候,也能夠保障驅動器的正常運行。

Samsung 全新 PCIe Gen4 NVMe SSD 將分為「PM1733」及「PM1735」兩個系列,其中「PM1733」備有 2.5 吋 (U.2) 版本的 960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB 容量可選,另外還有 HHHL ( Card-Type ) 版本的 1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB 容量。至於「PM1735」則提供 2.5 吋 (U.2) 版本的 800GB、1.92TB、1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量可選,HHHL ( Card-Type ) 版本則有 1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量。

受惠於全新 PCIe 4.0 接口的高速傳輸,全新「PM1733」及「PM1735」PCIe Gen4 NVMe SSD 可以提供最高 3.8GB/s 連續寫入、8GB/s 連續讀取,隨機讀取高達 1450K IOPS、隨機寫入高達 260K IOPS ,Sasmung 對主控軟件的演算法優化也達到新高度。
【升級 10nm、單面 32GB 成為可能!!】 Samsung 首批 A-Die 記憶體現身
文章索引: Samsung
Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體,由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性,普通一條的 DDR4-2133 記憶體,都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000,深受不少超頻玩家的青睞。然而,Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產,取而代之的就是用上 Samsung 1z nm(1z 級別)光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態,並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上,舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產,至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點,預期在製程提升的情況下,新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率,同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb,即 2GB 或 4GB 容量,最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。
【升級至 136 層堆疊!!性能提升功耗降低】 Samsung 新型 TLC V-NAND SSD 正式量產
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為了進一步提高 SSD 容量及密度,Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND,是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit,也就是 TLC ) 晶片,首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品,預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%,數據傳輸速度是現時業內最快。

Samsung 表示,100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術,新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數,達到了 136 層,同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面,可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs,與上代 90 層 V-NAND 相比,100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%,功耗還降低了 15% 。

值得一提的是,新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減,讓生產效率能夠提高 20%。
【產能唔掂】Intel 要搵 Samsung 幫手  幫手代工 14nm Rocket Lake 處理器 ??
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Intel 由於 10nm 延遲改為以 14nm 製程去填補中間的空缺,導致 Intel 的 CPU 在去年出現供不應求的情況,為了解決 14nm 產能嚴重吃緊的問題,當時 Intel 計劃將部份 14nm 工藝交由台積電生產,然而最新有消息指 Intel 秘密接洽了另一家代工廠「Samsung」為其代工 14nm 處理器,預計將會包括即將在 2021 年推出的 Rocket Lake 系列。

為了能緩解 14nm 產能危機的問題,Intel 雖然已巨額斥資興建晶圓廠增加自家生產線,不過建造工廠需要數年時間,因此在燃眉之急的情況下,只能尋求外緩幫手, 並正與 Samsung 討論合作的相關事宜。

Samsung 代工業務部門積極的銷售策略是吸引 Intel 的其中一個原因,據了解,Samsung 提供特殊規格的全光罩(full-mask)給出的價格比台積電低 60%,Samsung 的全光罩是一種用於在晶圓上繪製電路的薄膜,比台積電推出的MLM 多層綜合光罩價格便宜,讓 Samsung 已經獲得了大量客戶的支持,能降低製造成本亦是吸引 Intel 的原因。
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