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超強打機外掛.999 美元有交易!! Samsung 再推新款 43
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Samsung 近年積極擴展旗下的顯示器產品線,為了締造更極致逼真的視覺效果,在去年帶來了創新的 49 吋 super ultra-wide 32:9 顯示器「CHG90」,最新再推出了另一款 43 吋的曲面顯示器「C43J89」,擁有 32:10 比例、曲率為1800R,具體售價約為999美元,相比「CHG90」更便宜。

Samsung 全新「C43J89」超寬曲面屏顯示器採用了 43 吋 VA 面板,比例為32:10,屏幕解像度為 3840 x 1200,1800R曲率弧度,更新率達到了120Hz、5ms反應時間,支援8位色,典型亮度為亮250cd/m2(非最高亮度) ,靜態對比對3000:1,可視角度為 178 度,並支援 Samsung Eye-Saver、無閃爍等技術。

「C43J89」屏幕大小與兩組比例為16:10 的 24 吋顯示器相同,同時顯示器的像素點距為 0.27mm,適合文字工作者使用,另外「C43J89」顯示器可以同時連接 2 台主機或者設備。擴充能力方面,「C43J89」顯示器提供了一組HDMI 2.0、一組 DisplayPort 1.2、兩個Type-C、三組USB 3.0及一個 3.5mm 耳機輸入孔。
一秒內可發送 51.2GB 數據/14 個 FHD 影片 Samsung 成功開發 10nm 8Gb LPDDR5 DRAM
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Samsung 在最新宣佈已成功開發出業界首款 10nm Class 8Gb LPDDR5 DRAM,新開發的 8Gb LPDDR5是 Samsung 優質 DRAM 陣容的最新成員,該陣容包括了自 2017 年 12 月開始批量生產的 10nm 級16Gb GDDR6 DRAM 及今年 2 月開發的 16Gb DDR5 DRAM,全新8Gb LPDDR5的開發代表了Samsung低功耗移動儲存器解決方案成功向前邁進一步。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長,Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來,Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準,用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。

據 Samsung 指出,8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s,是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高,新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據,或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。
防止記憶體降價維持利潤?! Samsung 被爆「出茅招」控制記憶體產能
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NAND Flash 及 DRAM 市場在去年雙雙出現齊旺的現像,Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大廠「賺到開巷」,然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在價格出現分歧走勢,受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響,NAND Flash 產品合約價已連續兩季下跌,可惜的是 DRAM 價格依舊未有出現下跌的跡象,當中佔據 DRAM 市場最大比重的 Samsung ,竟然被爆出通過控制記憶體產能延緩或者防止記憶體降價。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能,Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ,因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停,晶片業務為其帶來了最大的貢獻,DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。

面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求,Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度,強行縮短了部分流程,早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患,需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。
96 層堆疊、傳輸率高達 1.4Gbps Samsung 批量生產第五代 V-NAND
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為了提供更快的據傳輸速度,Samsung 最新宣佈已開始批量生產第五代 V-NAND 記憶體晶片,全新第五代 V-NAND 採用 96 層堆疊設計,單 Die 容量為 256Gb,在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時, Samsung 全新 256 Gb 在儲存及記憶體傳輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps,相較 64 層 NAND Flash 增加了 40%,並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。

全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強,主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V,同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快,達到 500 μs,比上一代寫入速度提高了約 30%,而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs,新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命,並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。
兩大 DRAM 巨頭成間諜目標!! 韓媒斥中國涉竊取 Samsung、SK-Hynix 專利
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全球半導體專利戰不斷升溫,在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴,最新由“韓國時報”的報導指出,韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術,該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利,企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息,表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標,並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域,專利對公司的成本結構由關重要,因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron,因為專利技術門檻高,三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術,中國大陸更到台灣挖角人才,早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師,陷入竊取商業機密的嫌疑,紫光也針對這個事件發表聲明。
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