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防止記憶體降價維持利潤?! Samsung 被爆「出茅招」控制記憶體產能
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NAND Flash 及 DRAM 市場在去年雙雙出現齊旺的現像,Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大廠「賺到開巷」,然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在價格出現分歧走勢,受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響,NAND Flash 產品合約價已連續兩季下跌,可惜的是 DRAM 價格依舊未有出現下跌的跡象,當中佔據 DRAM 市場最大比重的 Samsung ,竟然被爆出通過控制記憶體產能延緩或者防止記憶體降價。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能,Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ,因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停,晶片業務為其帶來了最大的貢獻,DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。

面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求,Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度,強行縮短了部分流程,早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患,需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。
96 層堆疊、傳輸率高達 1.4Gbps Samsung 批量生產第五代 V-NAND
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為了提供更快的據傳輸速度,Samsung 最新宣佈已開始批量生產第五代 V-NAND 記憶體晶片,全新第五代 V-NAND 採用 96 層堆疊設計,單 Die 容量為 256Gb,在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時, Samsung 全新 256 Gb 在儲存及記憶體傳輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps,相較 64 層 NAND Flash 增加了 40%,並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。

全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強,主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V,同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快,達到 500 μs,比上一代寫入速度提高了約 30%,而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs,新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命,並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。
兩大 DRAM 巨頭成間諜目標!! 韓媒斥中國涉竊取 Samsung、SK-Hynix 專利
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全球半導體專利戰不斷升溫,在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴,最新由“韓國時報”的報導指出,韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術,該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利,企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息,表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標,並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域,專利對公司的成本結構由關重要,因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron,因為專利技術門檻高,三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術,中國大陸更到台灣挖角人才,早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師,陷入竊取商業機密的嫌疑,紫光也針對這個事件發表聲明。
Samsung 與 ARM 合作拓展 7/5nm 工藝!! Cortex-A76 將實現 3GHz+ 運算性能
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為了保持在高性能運算領域的領先地位,Samsung 最新宣佈將會 ARM 合作將拓展 7/5nm FinFET 工藝技術,基於 7nm LPP 工藝下構建 ARM Cortex-A76 晶片組,預計 CPU 時脈速度超過3 GHz +,未來亦會轉向 5nm LPE 工藝。

Samsung的7LPP工藝技術將在2018年下半年初步生產,第一款 EUV 極紫外光刻工藝技術及其關鍵IP正在開發中,預計將於2019年上半年完成。由於7LPP工藝技術的創新,Samsung 的5LPE技術將實現更大的面積擴展及超低功耗優勢。

ARM稱,7nm 的 Cortex-A76時脈速度超過3 GHz +,比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度,電力使用量可下降多達 40%。ARM 將 Cortex-A76 稱為“筆記本級” 處理器,可用於更強大的設備,而不僅僅是手機之上。
採用全新 NF1 Form Factor 設計 Samsung 推出 8TB NGSFF NVMe SSD
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Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ,新型的 8TB NVMe NF1 SSD 針對下一代數據中心和企業伺服器系統而設,並特別為數據密集型分析及虛擬化應用進行了優化,預計可提高數據中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝,每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上,實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計,相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量,NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD,為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度,從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器,支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口,可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度,這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍,隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS,利用新的 NF1 儲存解決方案,企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS,該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM,以實現更快、更節能的數據處理。
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