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3DS 封裝、單條可提供 256GB 容量 Samsung 推出 256GB DDR4 RDIMM 記憶體
文章索引: Samsung
在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體,打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制,對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份,Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體,並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務,正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體,新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設,單條就可提供 256GB 容量,與1 28GB LRDIMM 相比,可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝,基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM,並且由通過 TSV 接口(穿矽通孔)彼此連接的四層晶體管組成,在這種情況下,單晶片的容量為 8 GB(64 Gbits)每層16Gbit,可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片,每顆晶片提供 8GB 容量,內部封裝了四個 16Gb Die,由 IDT 4RCD0229K 晶片管理,並支援 ECC 記憶體技術。
手機銷量低於預期 靠 DRAM、NAND 收入支撐 Samsung 2018 Q3 營業利潤將達 158 億美元
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智能手機或電視可能是 Samsung 最受歡迎的產品,但肯定不是 Samsung 最賺錢的產品,這家韓國電子巨頭已經公佈了今年第三季度的預估,受惠於強勁的 DRAM 收入,數據顯示 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄,預計 2018 年第三季度的營業利潤將達到 17.5 萬億韓元,收入增長 4.8%。

根據 Samsung 最新公佈了 2018 年第三季度預估數據,營業利潤將達到 17.5 萬億韓元 ( 約 158 億美元 ),比去年同期增長 20%,收入也將達到創紀錄的 65 萬億韓元 ( 約 573 億美元 ),比去年增加近 5%。

雖然 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄,然而收入並非靠智能手機業務,旗艦手機 Galaxy S9 及 Note 9 系列於 3 月 16 日上市後,雖然配備了更好的相機和改進的音效技術,但銷量沒有達到預期,盈利大幅下滑 30%。
無天災無人禍,DRAM 跌價再等等吧!! Samsung 預期需求下降有意緩減 DRAM 產量
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DRAM 及 NAND 的價格在過去幾年間持續上漲,各主要供應商都渡過了一段豐收的黃金時代,在今年年初,Samsung 更樂觀地認為在 2018 年 DRAM 及 NAND 的 Bit growth 位元成長率增長將分別上升 20% 和 40%,然而 Samsung 預測看起來非常嚴峻,據 Bloomberg 最新發佈的一份報告顯示,由於預期需求下降,Samsung 正準備在 2019 年緩減其記憶體晶片的產量。

根據 Samsung 最新的預測,預計 DRAM Bit growth 位元成長率增長將低於預期不到 20%,而 NAND 的增長則為 30% ,為了避免投資者對潛在經濟衰退的擔憂,因此 Samsung 正準備緩減記憶體晶片生產限制供應,在需求放緩的情況下仍然可保持供應緊絀及維持價格在理想水平。

Bloomberg Intelligence 駐香港的分析師 Anthea Lai 表示,“如果 Samsung 確實削減其 DRAM 位元成長率增長率,那麼該公司對目前的寡頭壟斷市場結構感到滿意。” 他進一步闡述說:“Samsung 更傾向於保持供應緊張和價格高,而不是佔據市場份額並冒著降低價格的風險,因此 DRAM 價格保持強勁的可能性更高。”
Samsung 半導體廠二氧化碳洩漏 釀成一死兩傷,事故原因仍在調查中
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早幾日才報導過記憶體儲存研究機構 DRAMeXchange 指 PC DRAM 將在年底開始降價,在另一邊廂就有半導體廠房意外發生,Samsung 位於首爾南方 Suwon 水原市的晶片工廠在本週二疑似洩漏二氧化碳,導致一名工人死亡、兩人受傷,Samsung 官方正在調查事故原因,暫時未公佈晶片工廠運作會否受影響。

據了解,本次事故在週二下午 3 點 40 分發生在 Samsung 位於首爾 Suwon 南方水源市的晶片工廠地下室, 設備洩漏的二氧化碳導致了事故的發生,當救援人員趕到現場時,一名 24 歲的姓李的工人被發現死亡,另外兩名年齡分別為 26 歲和 54 歲的工人已處於昏迷,並立即送住醫院救治療。

Samsung 表示,「相信死因是由於二氧化碳洩漏導致的窒息」,並已成立專門工作組對事故原因進行深入調查。消息指,三人同屬 Samsung 外部承包商的員工,事發前正在檢測工廠內氣體相關設施,懷疑因二氧化碳設備洩漏釀成意外。
【組建 128GB/256GB 系統記憶體不遠矣】 Samsung 發佈消費級 DDR4-2666 32GB 記憶體
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為了滿足追求高容量的消費級用家, Samsung 悄然在旗下的記憶體陣容中加了 32GB UDIMM 無緩衝 DDR4 記憶體模組,全新的32GB UDIMM DDR4 記憶體採用 Samsung 10nm 工藝打造,由 16 顆 DDR4 記憶體顆粒組成,時脈為 2666MHz,用家在日後就可以在高階平台上實現 128GB、甚至 256GB 系統記憶體。

Samsung 全新 32GB UDIMM DDR4 記憶體是基於今年較早時候發佈的 16 Gb 晶片,並已經用於生產 32GB SO-DIMM及64 GB RDIMM 記憶體產品,有別於高容量的記憶體主要為伺服器系統而生,這款32 GB UDIMM DDR4記憶體屬於 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組,正正是針對消費級桌面 PC 平台。

Samsung 指出,編號為「M378A4G43MB1-CTD」的單條 32GB UDIMM DDR4 記憶體適用於各種應用,可在滿足低功耗要求的同時提供出色性能,該記憶體採用了採用了 16顆 Samsung M-die 16Gb ( 2GB ) DDR4 記憶體顆粒,組成 32GB 容量,在標準 1.2 V 電壓下提供 DDR4-2666 MHz 時脈,官方未有公佈記憶體的時序,但估計將使用了 DDR4-2666 的標準 JEDEC 時序 CL17 或更高,Samsung 表示使用 16Gb 顆粒的記憶體模塊會比使用 8Gb 顆粒的同容量記憶體更為節能。
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