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【升級至 136 層堆疊!!性能提升功耗降低】 Samsung 新型 TLC V-NAND SSD 正式量產
文章索引: Samsung
為了進一步提高 SSD 容量及密度,Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND,是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit,也就是 TLC ) 晶片,首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品,預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%,數據傳輸速度是現時業內最快。

Samsung 表示,100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術,新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數,達到了 136 層,同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面,可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs,與上代 90 層 V-NAND 相比,100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%,功耗還降低了 15% 。

值得一提的是,新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減,讓生產效率能夠提高 20%。
【產能唔掂】Intel 要搵 Samsung 幫手  幫手代工 14nm Rocket Lake 處理器 ??
文章索引: Samsung
Intel 由於 10nm 延遲改為以 14nm 製程去填補中間的空缺,導致 Intel 的 CPU 在去年出現供不應求的情況,為了解決 14nm 產能嚴重吃緊的問題,當時 Intel 計劃將部份 14nm 工藝交由台積電生產,然而最新有消息指 Intel 秘密接洽了另一家代工廠「Samsung」為其代工 14nm 處理器,預計將會包括即將在 2021 年推出的 Rocket Lake 系列。

為了能緩解 14nm 產能危機的問題,Intel 雖然已巨額斥資興建晶圓廠增加自家生產線,不過建造工廠需要數年時間,因此在燃眉之急的情況下,只能尋求外緩幫手, 並正與 Samsung 討論合作的相關事宜。

Samsung 代工業務部門積極的銷售策略是吸引 Intel 的其中一個原因,據了解,Samsung 提供特殊規格的全光罩(full-mask)給出的價格比台積電低 60%,Samsung 的全光罩是一種用於在晶圓上繪製電路的薄膜,比台積電推出的MLM 多層綜合光罩價格便宜,讓 Samsung 已經獲得了大量客戶的支持,能降低製造成本亦是吸引 Intel 的原因。
【有助降低 DRAM 生產成本?!】 DRAM 廠商有意升級 EUV 技術
文章索引: Samsung
繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光(EUV)微影技術後,同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產,Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM,SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。
【MolaMola...B-Die 顆粒陸續停產】 Samsung 新顆粒可打造單條 32GB 記憶體
文章索引: Samsung
Samsung B-Die DDR4 記憶體顆粒有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性深受玩家愛戴,在近年不少廠商推出的高頻記憶體都會用上 Samsung 的 B-Die 顆粒,不過B-Die顆粒很快就會成為歷史,Samsung 日前公佈了最新的產品指導說明書,透露了 B-Die 今年上半年將陸續停產,並會由新款的 A-Die、E-Die顆粒接替。

Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒,與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性,同時有不俗的超頻能力,一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000,成為超頻界的火熱顆粒,加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高,基本都是DDR4-2666以上,因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態,取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。
【Galaxy S10 5G 爆炸!! 用咗 6 日咋】 Samsung 否認手機故障拒賠償
文章索引: Samsung
「Samsung 手機又爆炸!!」Galaxy S10 5G 手機在 4 月頭才剛剛上市,竟然不出一個月就發生爆炸事故,一名韓國用戶在網上發佈了幾張據稱是「Galaxy S10 5G」手機燒毀的相片,圖片可見手機內部已被燒毀無法修復,不過 Samsung 官方指出手機燒毀的原因是由外部衝擊造成,而並非故障所致,拒絕作出賠償。

據了解,一名李姓男子 Rivon 近日在 cafe.naver 平台發表了一個帖文,聲稱在購買「Galaxy S10 5G」後僅使用了六天,手機竟突然冒煙及著火,最終嚴重燒毀,李姓男子在帖文上聲稱:「當時我將手機放在桌上,突然間聞到有燒焦的味道,之後就迅速冒煙。我有嘗試拿起手機,但由於手機太燙了,我不得不把它丟到地上。」

根據圖片可見,手機屏幕很大部份燒成金黃色,屏幕亦已出現碎裂,至於玻璃背蓋亦有碎裂及燒溶的跡象,同時更有明顯燒焦的痕跡。幸運的是,Rivon 沒有因此受到傷害。
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