6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
【儲存空間大升級!!】1TB 容量手機要來了 Samsung 量產 1TB eUFS 2.1 晶片
文章索引: Samsung
現時的智能手機除了用作即時通訊之外,其實亦可以充當相機或攝影機拍攝相片及影片,當需要儲存更多檔案的時候,手機內置容量的大小亦變得非常重要,為了滿足對儲存容量需求大的用家,Samsung 最新就宣佈將會量產首款 1TB eUFS 2.1 晶片,基於第五代 V-NAND 技術打造,讀取速度高達 1000MB/s,寫入速度也高達 260MB/s,看來智能手機很快就可以追得上筆記本電腦的的速度及儲存容量了。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗,在相同封裝尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 內,1TB eUFS 解決方案將先前 512GB 版本的容量提升了一倍,將 16 個堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 與新開發的專用 Flash主控集合在一起。相比之下,目前高階手機常用的 64GB eUFS 只能儲存大約 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片,而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量,則可以錄製 260 段時長 10 分鐘的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。

不僅在儲存容量方面有所提升, 1TB eUFS 還具有出色的傳輸速度,新的 eUFS 讀取速度高達 1,000MB/s,寫入速度也高達 260MB/s,連續讀取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的兩倍。此外,1TB eUFS 的隨機讀取最高可達 58,000 IOPS,較 512GB 版本的提高了 38%,至於隨機寫入最高可達 50,000 IOPS,傳輸大量多媒體檔案時就更加快捷。
【非凡升級!!寫入速度比 970 Evo 提高 53%】 Samsung 發佈全新 970 EVO Plus SSD
文章索引: Samsung
Samsung 旗下推出的 970 EVO SSD 以卓越的性超而聞名,自去年推出以來吸引到不少用家購買,Samsung 最新宣佈推出進階版的 970 Evo Plus 產品,升級採用 96 層 3D NAND Flash,不僅能夠提高效能,同時亦進一步將功耗降低。

Samsung 自 2015 年將第一款 NVMe SSD 引入消費市場,不斷改良SSD 的設計、性能及技術等層面,Samsung 全新第 5 代 V-NAND 技術是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體,傳輸速率高達1.4Gbps,相較上代 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說,足足提升了 40%,同時工作電壓亦由 1.8V 降至 1.2V。

規格方面,全新 Samsung 970 Evo Plus SSD 採用 M.2 (2280 ) Form Factor、PCIe Gen 3.0x4 接口 ,支援 NVMe 1.3 傳輸,備有 250GB、500GB、1TB、2TB 儲存容量,並分別搭配 512MB LPDDR4 DRAM ( 250/500GB )、1GB LPDDR4 DRAM ( 1TB )、2GB LPDDR4 DRAM ( 2TB ) 緩存。
首款消費級 QLC SSD、比 860 EVO 更抵買 Samsung 全新 860 QVO SSD 歐洲網店偷步上架
文章索引: Samsung
Samsung 在今年 10 月舉行的「Samsung Tech Day 2018」大會上公佈了最新 SSD 的路線圖,最關鍵之一就是透露了將會帶來首款消費級的 QLC SSD 的產品,當中的一款「860 QVO SSD」在歐洲幾間網上零售商就提前上架,備有最大 4TB 儲存容量,提供高達550 MB/s、520 MB/s 連續讀寫效能,預計將在12月份正式開賣。

Samsung 官方的介紹,QVO 代表著“ Quality and Value Optimized ”(質量和價值優化),意思即是高質量、低價格, QLC NAND 相比TLC NAND 在數據儲存密度增加了 33%,可以降低每單位容量的驅動器成本。

全新「860 QVO SSD」是一款標準 2.5 吋的 SATA III 硬碟,儲存容量備有1TB、2TB 及 4TB,速度方面,「860 QVO SSD」的連續讀寫最高可達 550 MB/s Read、520 MB/s Write,隨機讀寫最高可達 96,000 IOPS Read、89,000 IOPS Write,並擁有 1,440 TBW 寫入壽命。
3DS 封裝、單條可提供 256GB 容量 Samsung 推出 256GB DDR4 RDIMM 記憶體
文章索引: Samsung
在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體,打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制,對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份,Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體,並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務,正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體,新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設,單條就可提供 256GB 容量,與1 28GB LRDIMM 相比,可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝,基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM,並且由通過 TSV 接口(穿矽通孔)彼此連接的四層晶體管組成,在這種情況下,單晶片的容量為 8 GB(64 Gbits)每層16Gbit,可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片,每顆晶片提供 8GB 容量,內部封裝了四個 16Gb Die,由 IDT 4RCD0229K 晶片管理,並支援 ECC 記憶體技術。
手機銷量低於預期 靠 DRAM、NAND 收入支撐 Samsung 2018 Q3 營業利潤將達 158 億美元
文章索引: Samsung
智能手機或電視可能是 Samsung 最受歡迎的產品,但肯定不是 Samsung 最賺錢的產品,這家韓國電子巨頭已經公佈了今年第三季度的預估,受惠於強勁的 DRAM 收入,數據顯示 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄,預計 2018 年第三季度的營業利潤將達到 17.5 萬億韓元,收入增長 4.8%。

根據 Samsung 最新公佈了 2018 年第三季度預估數據,營業利潤將達到 17.5 萬億韓元 ( 約 158 億美元 ),比去年同期增長 20%,收入也將達到創紀錄的 65 萬億韓元 ( 約 573 億美元 ),比去年增加近 5%。

雖然 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄,然而收入並非靠智能手機業務,旗艦手機 Galaxy S9 及 Note 9 系列於 3 月 16 日上市後,雖然配備了更好的相機和改進的音效技術,但銷量沒有達到預期,盈利大幅下滑 30%。
6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...