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【有助降低 DRAM 生產成本?!】 DRAM 廠商有意升級 EUV 技術
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繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光(EUV)微影技術後,同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產,Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM,SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。
【MolaMola...B-Die 顆粒陸續停產】 Samsung 新顆粒可打造單條 32GB 記憶體
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Samsung B-Die DDR4 記憶體顆粒有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性深受玩家愛戴,在近年不少廠商推出的高頻記憶體都會用上 Samsung 的 B-Die 顆粒,不過B-Die顆粒很快就會成為歷史,Samsung 日前公佈了最新的產品指導說明書,透露了 B-Die 今年上半年將陸續停產,並會由新款的 A-Die、E-Die顆粒接替。

Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒,與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性,同時有不俗的超頻能力,一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000,成為超頻界的火熱顆粒,加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高,基本都是DDR4-2666以上,因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態,取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。
【Galaxy S10 5G 爆炸!! 用咗 6 日咋】 Samsung 否認手機故障拒賠償
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「Samsung 手機又爆炸!!」Galaxy S10 5G 手機在 4 月頭才剛剛上市,竟然不出一個月就發生爆炸事故,一名韓國用戶在網上發佈了幾張據稱是「Galaxy S10 5G」手機燒毀的相片,圖片可見手機內部已被燒毀無法修復,不過 Samsung 官方指出手機燒毀的原因是由外部衝擊造成,而並非故障所致,拒絕作出賠償。

據了解,一名李姓男子 Rivon 近日在 cafe.naver 平台發表了一個帖文,聲稱在購買「Galaxy S10 5G」後僅使用了六天,手機竟突然冒煙及著火,最終嚴重燒毀,李姓男子在帖文上聲稱:「當時我將手機放在桌上,突然間聞到有燒焦的味道,之後就迅速冒煙。我有嘗試拿起手機,但由於手機太燙了,我不得不把它丟到地上。」

根據圖片可見,手機屏幕很大部份燒成金黃色,屏幕亦已出現碎裂,至於玻璃背蓋亦有碎裂及燒溶的跡象,同時更有明顯燒焦的痕跡。幸運的是,Rivon 沒有因此受到傷害。
【嵌入式儲存救星!!】比 eFlash 快 1000 倍 Samsung 大規模量產 28nm 工藝 eMRAM
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Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 ),該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術,可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域,並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案,包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器,除了 MRAM,還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器,能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等,提升數據保存的能力。

Samsung 指出,eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難,由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ,雖然密度越來越高,但是相對來說壽命亦越來越短,主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。
【容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上】 Samsung、SK-Hynix 計劃今年底發佈 DDR5 模組
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DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及,各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備,其中,兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品,Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品,而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。

至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。
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