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【寫入速度提升 1000 倍?!可擦寫 1 億次!!】 傳 Samsung eMRAM 記憶體良率已達 90%
文章索引: Samsung
傳統 HDD 機械硬碟速度太慢,但 SSD 固態硬碟的讀寫次數有限,而 NAND Flash 堆疊已達 100+,未來發展恐難避免瓶頸挾制,究竟有沒有新的方案可以替代呢?! 為了解決以上問題,Samsung 在今年三月份宣佈量產首款商用的 8Mb 容量的 eMRAM,為,而最近再有哨消息指 Samsung 已經開始生產 1Gb 容量 eMRAM,良率已經達到 90%,使得 eMRAM 實用性大大提升。

早在 2013 年,Samsung 已成功量產 3D NAND Flash,經過從 2D 向 3D 轉換的“青黃不接”之後,進入 2018 年,3D NAND 產能大規模爆發,現在已經實現了 128 層 NAND Flash 量產。

不過隨著 NAND Flash 堆疊層數的增加,對鍍膜均勻性和蝕刻縱深比的要求越來越高,工藝越來越複雜將造成良率越來越低,產品成本將會隨之增加。一旦成本增加到不足以支撐廠商在激烈的市場競爭中保持優勢地位時,這種工藝就將要面臨淘汰。
【未來主流繪圖卡都升級標配 GDDR6 了?!】 消息稱 Samsung GDDR5 記憶體顆粒已停產
文章索引: Samsung
經歷完「加密貨幣挖礦」的翻天覆地之後,NVIDIA 及 AMD 兩大繪圖卡大廠都開始重回正軌,分別推出了全新的 RTX 20 系列 / GTX 16 系列及 Radeon RX 5000 系列新卡,為了要比以往的繪圖卡帶來更佳的繪圖效能,NVIDIA 及 AMD 都開始在新卡上升級搭載新一代的 GDDR6 記憶體顆粒,根據內地渠道論壇博板堂獲得的最新消息,Samsung 計劃將旗下的 GDDR5 記憶體停產,因此在未來的遊戲繪圖卡市場上,主流型號亦將會升級標配 GDDR6 記憶體顆粒。

據悉,今年 AMD 發佈的 7nm 繪圖卡全部搭載了 GDDR6 記憶體,而 NVIDIA 亦通過 “Super” 升級的方式將 GTX 1660 及 GTX 1650 升級到了 GDDR6 記憶體,換上全新的 GTX 1660 Super 及 GTX 1650 Super,GDDR6 記憶體相比前代速度更快,從而為繪圖卡帶來了不俗的性能提升。

以 NVIDIA GeForce GTX 1660 Super 繪圖卡為例,在升級採用 6GB GDDR6 記憶體、192bit 介面之後,理論最大頻寬達到了 336GBps,性能相較初代的 GeForce GTX 1660 繪圖卡最高提升了 20%。
【又有藉口漲價?!】瑕疵晶圓或需報廢 Samsung DRAM 工廠發生污染事故
文章索引: Samsung
韓媒 BusinessKorea 在上週報導,Samsung 南韓器興(Giheung)廠,因為 8 吋矽晶圓生產線採用了受到污染的設備,導致產品出現瑕疵。一名三星高層坦承,的確發現瑕疵品,但製程已獲修正,損害規模估計有上億韓元。

其實,今次 Samsung 電子晶圓代工產品傳出發現瑕疵並非第一次,在今年稍早時間,Samsung 第一代 10nm ( 1x nm ) DRAM 產品就曾出現過問題,這次則是晶圓代工業務出事,恐傷及 Samsung 的業界信譽。

據了解,Samsung 8 吋矽晶圓事故在一個星期之前發生,消息稱出問題的並非新的 300mm 晶圓廠,而是 Samsung 位於京畿道器興的工廠,這是一家 Samsung 較小的工廠之一,依然用 200mm 的晶圓生產 1x nm 的 DRAM,所以造成的損失比台積電那次小得多,Samsung 官方承認發現了有缺陷的產品,要處理受污染的幾批晶圓,但是目前生產已經正常化並重回正軌,暫時預估損失約上億韓圜。
【FIP 黑科技,有故障都唔會壞?!】 Samsung 發佈全新“不死”PCIe Gen4 SSD
文章索引: Samsung
「不死鳥」的神話大家都可能有聽過,「不死 SSD」你又聽過未?! SSD 有著高讀寫速度的賣點,不過與傳統硬碟構造完全不同,大家最怕的就是看到 SSD 在毫無任何徵兆提醒的情況下壞掉,為了解決 SSD 突然間掛掉的問題, Samsung 最新宣佈推出號稱「never-die」的新型 SSD「PM1733」及「PM1735」系列,特色是引入了三項能夠提升硬件性能和耐久度的軟件技術創新,當中的 FIP 技術即使在出現晶片級故障的時候,也能夠保障驅動器的正常運行。

Samsung 全新 PCIe Gen4 NVMe SSD 將分為「PM1733」及「PM1735」兩個系列,其中「PM1733」備有 2.5 吋 (U.2) 版本的 960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB 容量可選,另外還有 HHHL ( Card-Type ) 版本的 1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB 容量。至於「PM1735」則提供 2.5 吋 (U.2) 版本的 800GB、1.92TB、1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量可選,HHHL ( Card-Type ) 版本則有 1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB 容量。

受惠於全新 PCIe 4.0 接口的高速傳輸,全新「PM1733」及「PM1735」PCIe Gen4 NVMe SSD 可以提供最高 3.8GB/s 連續寫入、8GB/s 連續讀取,隨機讀取高達 1450K IOPS、隨機寫入高達 260K IOPS ,Sasmung 對主控軟件的演算法優化也達到新高度。
【升級 10nm、單面 32GB 成為可能!!】 Samsung 首批 A-Die 記憶體現身
文章索引: Samsung
Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體,由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性,普通一條的 DDR4-2133 記憶體,都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000,深受不少超頻玩家的青睞。然而,Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產,取而代之的就是用上 Samsung 1z nm(1z 級別)光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態,並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上,舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產,至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點,預期在製程提升的情況下,新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率,同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb,即 2GB 或 4GB 容量,最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。
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