2026-08-28
中國長江存儲宣布 NAND 擴產
目標 2027 年登頂全球 NAND 晶片龍頭
文: 編輯部 / 新聞中心
文章索引: IT快訊

【人棄我取🤤】外媒報導,中國 NAND 晶片大廠長江存儲(YMTC)預計近期完成約 330 億元人民幣(約 46 億美元)的新一輪融資,全面加快晶圓廠(Fab 2)產線建設,目標在 2027 年底前超越 Samsung 與 SK Hynix,成為全球產能與出貨量最大的 NAND 晶片製造商。

 

據英國《金融時報》報導,長江存儲上週已正式提交上市申請,預計募資 330 億元人民幣(約 46 億美元),公開發行 1.98 億至 2.43 億股 A 股。所得資金將重點投入產能擴充與技術研發,其中 208 億元人民幣用於量產線升級,122 億元人民幣則投向先進技術研發,預估上市後市值將達 2,750 億至 3,300 億元人民幣。

 

目前長江存儲在全球 NAND Flash 出貨量市佔率約為 14%,與日本鎧俠(Kioxia)相當,暫時落後於 Samsung 的 25% 與 SK Hynix 的 22%。然而,這兩家韓系大廠目前將資本支出與晶圓廠資源大幅轉向利潤更高的 HBM 與高容量 DRAM 記憶體,相對放緩了 NAND Flash 的擴產力道,給予長江存儲逆勢填補市場缺口的空間。

 

正所謂人棄我取,長江存儲正計劃加快晶圓廠(Fab 2)產線建設,希望在未來 16 個月內將出貨量增加一倍,衝刺全球 NAND 龍頭寶座。

 

儘管長江存儲自 2022 年 12 月被美國商務部列入實體清單(Entity List),無法取得部分美製先進半導體設備,但 NAND Flash 的競爭核心更取決於層數堆疊與架構設計。

 

長江存儲憑藉獨家的 Xtacking(晶棧)架構,將邏輯周邊電路晶圓與高層數 3D NAND 陣列晶圓進行晶圓級混合鍵合(Hybrid Bonding),有效突破傳統架構的效能與密度限制,技術實力與高層數堆疊進度已完全追上韓系大廠。

 

91 基金(Ninety One)基金經理 Joanna Yang 表示,長江存儲的擴產將有助於穩定全球 NAND 晶片價格,降低 AI 浪潮擠壓供應鏈對 PC、手機等消費性電子產品帶來的成本衝擊。

 

 

 

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