從去年開始 SSD 價格就在持續下跌，因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動，除了控制產能之外，另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前，SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產，是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商，是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後，時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊，擁有 3600 多億個 NAND 單元，為了實現此工藝，SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術，包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度，許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品，但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性，在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額，SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。

隨著半導體製程工藝的升級難度越來越大，進度越來越緩慢，台積電的 7nm 工藝開發成本已經超過了 30 億美元，接下來的 5nm 工藝預計要超過 50 億美元，在平面上想提升晶體管密度這事情已經變得相當有挑戰性，3D 堆疊工藝可能是解決這問題的一個好方法，結構簡單的 NAND Flash 已經大面積轉向 3D 堆疊工藝了，HBM 記憶體也是利用 3D 堆疊工藝生產的，但是 3D 堆疊工藝也不是萬能的，散熱就是 3D 堆疊工藝要面臨的一大難題，層數越多熱量堆積就越嚴重，AMD 近日申請的一項專利就有可能解決這一問題的。

AMD 這一專利的就是在 3D 堆疊記憶體的邏輯層和儲存層之間插入一片 TEC 熱點效應散熱模組，也就是我們所說的半導體製冷器或溫差製冷器，它利用 Peltier Effect 珀爾帖效應，由 N 、P 型材料組成一對熱電偶，當熱電偶通入直流電流後，因直流電通入的方向不同，將在電偶結點處產生吸熱和放熱現象。

CPU 也要上 3D 堆疊工藝了，這是 Intel 採用 Foveros 3D 封裝工藝所生產的 Lakefield SoC

AMD 自 2017 年 Zen 架構推出以來氣勢如虹，全新第二代 Ryzen 3000 系列更比上代大幅提升效能，新處理器雖然還有一星期才上市，不過種種已曝光的消息都指出 Ryzen 3000 系列在效能上已大幅超越對手的 Intel Core 系列，從研發角度來說，7nm 第一代產品 Zen2 架構的使命基本上已完成，根據 AMD 的路線圖，2020 年就會推出 Zen 3 架構處理器，製程工藝會升級到 7nm+，也就是 EUV 光刻工藝加持的 7nm 改進版。

今年 7nm Zen 2 架構的 Ryzen 3000、EPYC Rome 處理器都按 AMD 的規劃如期上市，至於緊接的將會是下一代的 Zen 3 架構，Zen 3 架構為現有 Zen 2 架構的升級版，基於 7nm+ EUV 光刻工藝。工藝方面，台積電表示 7nm+ 可實現 20% 的晶體管密度提升，並會在相同負載下進一步減低 10% 的功耗。

架構方面，按照去年底 AMD CTO Mark Papermaster 的說法，Zen 3 的設計目標是效能優先，因此在IPC 性能方面將會比 Zen2 架構有更佳的增幅。

AMD 全新的 Ryzen 3000 系列陣容強大，當中 16 核心的旗艦型號 Ryzen 9 3950X 以「多核心、低功耗、高效能」打入主流級 Desktop 市場，基本上在同級產品完全沒有對手，在 E3 2019 遊戲展期間，AMD 曾在現場將 Ryzen 9 3950X 全開超上 5.275GHz，最新再有外國玩家把 3950X 的全核時脈超至 5.4GHz，Cinebench R15 更獲得 5434 分，再一次刷新新的記錄。

AMD 全新旗艦產品「Ryzen 9 3950X」是 AMD 迄今為止最強大的主流台式機處理器，採用 16 核心、32 線程設計，基礎時脈為 3.5、Boost 時脈為 4.7GHz，擁有 72MB 緩存，TDP 為 105W，並用上釬焊散熱。

「Ryzen 9 3950X」將採用全新的 7nm Zen 2 架構，Ryzen 9 內建了三個 Chiplet，包括兩個 Zen 2 晶片及一個基於 12nm 工藝節點的 I/O 晶片。「Ryzen 9 3950X」在主流平台上提供 HEDT 的性能，官方定價為 749 美元，相比對手 Intel 同為 16 核心/32 線程的 Core-X ( Core i9-9960X ) 處理器價格低得多。

有留意新聞的用家都記得，Toshiba 的 NAND 晶圓廠在日本當地 6 月 15 日下午 6 點 25 分發生斷電事故，停電過程只有 13 分鐘，但生產線卻停工了 5 天直到 21 日上午才恢復，在事故發生後 Toshiba 官方曾表示需要幾天或者幾週時間才能恢復，不過最新的消息指，自 6 月 15 日該地區短暫停電以來該工廠部分生產線已停工，當中 Fab 2、Fab 3 及 Fab 4 晶圓廠至今仍未恢復營運，預計最快要 7 月中旬才能全面恢復生產，看來是次停電事故的影響較想像嚴重。

雖然 NAND 晶圓廠只有短短 13 分鐘的停電時間，但是生產過程中一旦出現任何的意外影響將會非常之大，晶圓製造屬連續性生產製程，過程中水、電一刻也缺不得，一旦暫停即需耗費極大的停工成本。在製程中的晶圓因斷電將會失去真空環境，就會造成晶圓破片，除了晶圓破損、報廢的損失，重要的還有後續碎片的清理，若有碎片卡在機台對日後良率也將造成影響，事後的全面檢查也遞延了第一時間復工的可能。

此前 Toshiba 雖然對外公開表明工廠停工 5 天後就恢復生產，但是實際情況並非如此，日媒爆料稱受影響的工廠共有 5 座，其中 Fab 2、Fab 3 及 Fab 4 晶圓廠並沒有復工，目前的情況並不明朗，預計到 7 月中旬才能完全恢復。