在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息，作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND，每個晶片的容量達到1Tbit，同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢，在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND，而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產，全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。

同時，Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片，Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率，並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。

現時市場上主流的 SSD 基本上都是採用 TLC NAND Flash，然而各大的 SSD 製造商在 2017 年開始研發新一代的 QLC 技術，QLC 的 4bit/cell 設計意味着每單位可以堆積更多的容量，因此可打造出更低成本的產品，國外市場調研公司 IHS Markit 最新在「Samsung SSD Forum 2018」大會上就 HDD 及 SSD 的市場前景發表了演講，預計到 2020 年採用 QLC NAND 的 SDD 產品將迅速增長，並會續步取代舊有的產品。

根據外媒 PC Watch Impress 的報導，IHS Markit 針對 HDD 和 SSD 市場的前景作出了詳細的分析，由 2017 年開始 HDD 的市場佔有率呈負增長，而 SSD 市場佔有率的顯示為 CAGR 50% 的增長，隨著 SSD 單價下降，預期由 HDD 到 SSD 的過渡進展將非常順利。

從數量上看，在保持目前的普及增長率的同時，SSD 的出貨量將會在 2020 年超越 HDD，在未來四年內，SSD 的銷售量將以每年平均 20.7% 的速度增長，對 HDD 硬盤的需求將每年減少 7.3%。

上週 Toshiba 才剛剛公佈成功開發了 96 層 3D QLC BiCS FLASH 的原型樣品，在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) ，單一封裝 16-Die 能實現 2.66TB 儲存容量，可謂業界暫時的最高水平，可惜的是 Toshiba 首先會將這技術用於企業級產品之上，消費用戶還需要一段時間才可以享受到。在 3D TLC 產品方面，Toshiba 最新宣佈推出市場首款基於 96 層 3D TLC BiCS FLASH 儲存器的 SSD「XG6」，最高提供 1TB 儲存容量，連續讀取和寫入速度高達 3,180MB/s 及 2,960 MB/s，主要針對客戶端 PC、高性能移動設備、遊戲領域及嵌入式系統。

Toshiba 全新「XG6」SSD 屬於「XG5」NVMe SSD 的更新產品，採用 96 層 3D TLC BiCS FLASH，Toshiba 表示，與採用 64 層堆棧 3D TLC 的「XG5」產品相比，新型的 SSD 每單位晶片尺寸增加了約 40%，同時連續讀寫及隨機性能亦達到頂級的水平。

「XG6」SSD 採用 M.2-2280 Form Factor 設計、PCI-Express 3.0 x4 連接介面，支援 NVMe 1.3a 協議，備有 256GB、512GB 及 1024GB 三種容量選擇（單面 PCB 佈局），根據官方的資料，「XG6」系列 SSD 的可提供高達 3,180 MB/s 連續讀取速度、寫入速度高達 2,960 MB/s，在 4K 隨機讀寫方面，最高可達 355,000 IOPS 讀取速度、365,000 IOPS 寫入速度。

Toshiba 在過去幾年一直在使用其 BiCS Flash 技術持續取得進步，最新宣佈已成功開發了 96-Layer BiCS FLASH 的原型樣品，不僅將堆疊層數增加到 96-Layer 製程，而且採用了 4 bit/cell 的 QLC 技術，將單晶片記憶體容量提升到最高水平，最快在 9 月初開始向 SSD 和 SSD 控制器製造商提供樣品進行評估，預計於 2019 年開始量產。

Toshiba目前已量產64 層堆疊技術的 3D NAND 產品，最新的96 層 3D QLC NAND Flash與 64 層產品相比，每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。QLC 技術的優勢在於將每個儲存單元的數據位數由每單元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每單元 4 位元(4bit/per cell)，將有助顯著地擴展產品的儲存容量。

根據 Toshiba 的官方說法，原型 96 層 3D QLC BiCS Flash 在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量，該產品還在採用單一封裝的 16 晶片堆疊式結構中實現了無與倫比的 2.66TB 儲存容量。隨著 SNS 的普及和物聯網的進步，移動終端等產生大量的數據，並預計實時分析及利用該數據的需求將急劇增加，因此，需要速度快於 HDD 且存儲容量更大的存儲器，而使用 96 層工藝技術的 QLC 產品即是一種解決方案。

根據網上最新的資料顯示，Intel 已開始生產旗下首款採用 QLC 3D NAND 的 PCIe SSD，屬於 Intel 數據中心產品中全新 D5 系列產品的一部分，採用 4bit/cell 儲存單元，預計會提供 PCI-E 版本及 U.2 版本，瞄準企業級及數據中心平台。

與 TLC 相比，QLC NAND Flash 的儲存容量將可增加 33%，單顆晶片最高可達到 256GB 或 512GB，P/E Cycle 約為 1000 次左右略低於 TLC，在壽命、速度及穩定性方面 QLC 雖比 TLC 更低，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。

然而 ，Intel 並非首家推出 QLC SSD，其合作夥伴 Micron 在 5 月份已發佈了基於 QLC NAND Flash 的企業級 SATA SSD 5210ION，採用 Marvell 88SS1074 主控制器，容量為 2TB / 4TB / 8TB。